Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации
Рассмотрены спектральные соотношения между током и напряжением на выходе транзистора, необходимые для получения максимальной эффективности в усилителях с высоким КПД. Полученные условия являются общими для усилителей классов Е, F и других. Обосновывается введение для таких типов (классов работы) уси...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70951 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации / В.Г. Крыжановский, Ю.В. Рассохина, А.Н. Рудякова, И.Н. Шевченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 5-8. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70951 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Крыжановский, В.Г. Рассохина, Ю.В. Рудякова, А.Н. Шевченко, И.Н. 2014-11-18T06:33:12Z 2014-11-18T06:33:12Z 2000 Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации / В.Г. Крыжановский, Ю.В. Рассохина, А.Н. Рудякова, И.Н. Шевченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 5-8. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70951 621.375:621.382.029.6.001.63 Рассмотрены спектральные соотношения между током и напряжением на выходе транзистора, необходимые для получения максимальной эффективности в усилителях с высоким КПД. Полученные условия являются общими для усилителей классов Е, F и других. Обосновывается введение для таких типов (классов работы) усилителей обобщающего термина — полиреактивные усилители. Показана роль и значение полиреактивных усилителей ВЧ- и СВЧ- диапазонов в совершенствовании радиоэлектронной аппаратуры. The spectral ratios between current and voltage on transistor output required to obtain maximum efficiency in the high efficiency amplifier have been considered. Obtained conditions are general for E, F classes amplifiers and others. It is grounded the introduction for such types (operation classes) of summarized term amplifiers - polyreaction amplifiers. The role and significance of RF/HF/VHF polyreaction amplifiers in improvement of radioelectronical equipment has been shown. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Проектирование. Конструирование Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации Транзисторні підсилювачі з високим ККД: загальні умови реалізації The high efficiency transistor amplifiers: the general conditions of implementation Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации |
| spellingShingle |
Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации Крыжановский, В.Г. Рассохина, Ю.В. Рудякова, А.Н. Шевченко, И.Н. Проектирование. Конструирование |
| title_short |
Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации |
| title_full |
Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации |
| title_fullStr |
Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации |
| title_full_unstemmed |
Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации |
| title_sort |
транзисторные усилители с высоким кпд: общие условия реализации |
| author |
Крыжановский, В.Г. Рассохина, Ю.В. Рудякова, А.Н. Шевченко, И.Н. |
| author_facet |
Крыжановский, В.Г. Рассохина, Ю.В. Рудякова, А.Н. Шевченко, И.Н. |
| topic |
Проектирование. Конструирование |
| topic_facet |
Проектирование. Конструирование |
| publishDate |
2000 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Транзисторні підсилювачі з високим ККД: загальні умови реалізації The high efficiency transistor amplifiers: the general conditions of implementation |
| description |
Рассмотрены спектральные соотношения между током и напряжением на выходе транзистора, необходимые для получения максимальной эффективности в усилителях с высоким КПД. Полученные условия являются общими для усилителей классов Е, F и других. Обосновывается введение для таких типов (классов работы) усилителей обобщающего термина — полиреактивные усилители. Показана роль и значение полиреактивных усилителей ВЧ- и СВЧ- диапазонов в совершенствовании радиоэлектронной аппаратуры.
The spectral ratios between current and voltage on transistor output required to obtain maximum efficiency in the high efficiency amplifier have been considered. Obtained conditions are general for E, F classes amplifiers and others. It is grounded the introduction for such types (operation classes) of summarized term amplifiers - polyreaction amplifiers. The role and significance of RF/HF/VHF polyreaction amplifiers in improvement of radioelectronical equipment has been shown.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70951 |
| citation_txt |
Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации / В.Г. Крыжановский, Ю.В. Рассохина, А.Н. Рудякова, И.Н. Шевченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 5-8. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT kryžanovskiivg tranzistornyeusilitelisvysokimkpdobŝieusloviârealizacii AT rassohinaûv tranzistornyeusilitelisvysokimkpdobŝieusloviârealizacii AT rudâkovaan tranzistornyeusilitelisvysokimkpdobŝieusloviârealizacii AT ševčenkoin tranzistornyeusilitelisvysokimkpdobŝieusloviârealizacii AT kryžanovskiivg tranzistornípídsilûvačízvisokimkkdzagalʹníumovirealízacíí AT rassohinaûv tranzistornípídsilûvačízvisokimkkdzagalʹníumovirealízacíí AT rudâkovaan tranzistornípídsilûvačízvisokimkkdzagalʹníumovirealízacíí AT ševčenkoin tranzistornípídsilûvačízvisokimkkdzagalʹníumovirealízacíí AT kryžanovskiivg thehighefficiencytransistoramplifiersthegeneralconditionsofimplementation AT rassohinaûv thehighefficiencytransistoramplifiersthegeneralconditionsofimplementation AT rudâkovaan thehighefficiencytransistoramplifiersthegeneralconditionsofimplementation AT ševčenkoin thehighefficiencytransistoramplifiersthegeneralconditionsofimplementation |
| first_indexed |
2025-12-07T20:42:47Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:42:47Z |
| _version_ |
1850883615946178560 |