Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2000
• Автор: Иващук, А.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
• Теми: Технология производства
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70962
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия / А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Описано устройство для термоообработки полупроводниковых пластин, обеспечивающее быстрый нагрев и охлаждение образцов и создающее необходимые условия для равномерной рекристаллизации и улучшения морфологии омических контактов в процессе вплавления металлизации. Оптимизированы тепловые режимы формирования омических контактов с учетом массы образца к n-GaAs для полевых транзисторов с барьером Шоттки. The device for semiconductor wafers thermal treatment that provides the fast heating and cooling of samples and creates the necessary conditions for uniform recrystallization and morphology imrovement of ohmic contacts during alloying of metallization has been described. The thermal modes of ohmic contacts formation to n-GaAs for field effect transistors with Schottky barrir have been optimized with account of sample mass.