Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
Описано устройство для термоообработки полупроводниковых пластин, обеспечивающее быстрый нагрев и охлаждение образцов и создающее необходимые условия для равномерной рекристаллизации и улучшения морфологии омических контактов в процессе вплавления металлизации. Оптимизированы тепловые режимы формиро...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2000 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70962 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия / А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862687925608644608 |
|---|---|
| author | Иващук, А.В. |
| author_facet | Иващук, А.В. |
| citation_txt | Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия / А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Описано устройство для термоообработки полупроводниковых пластин, обеспечивающее быстрый нагрев и охлаждение образцов и создающее необходимые условия для равномерной рекристаллизации и улучшения морфологии омических контактов в процессе вплавления металлизации. Оптимизированы тепловые режимы формирования омических контактов с учетом массы образца к n-GaAs для полевых транзисторов с барьером Шоттки.
The device for semiconductor wafers thermal treatment that provides the fast heating and cooling of samples and creates the necessary conditions for uniform recrystallization and morphology imrovement of ohmic contacts during alloying of metallization has been described. The thermal modes of ohmic contacts formation to n-GaAs for field effect transistors with Schottky barrir have been optimized with account of sample mass.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:07:19Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70962 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:07:19Z |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Иващук, А.В. 2014-11-18T06:52:11Z 2014-11-18T06:52:11Z 2000 Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия / А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70962 621.382.002 Описано устройство для термоообработки полупроводниковых пластин, обеспечивающее быстрый нагрев и охлаждение образцов и создающее необходимые условия для равномерной рекристаллизации и улучшения морфологии омических контактов в процессе вплавления металлизации. Оптимизированы тепловые режимы формирования омических контактов с учетом массы образца к n-GaAs для полевых транзисторов с барьером Шоттки. The device for semiconductor wafers thermal treatment that provides the fast heating and cooling of samples and creates the necessary conditions for uniform recrystallization and morphology imrovement of ohmic contacts during alloying of metallization has been described. The thermal modes of ohmic contacts formation to n-GaAs for field effect transistors with Schottky barrir have been optimized with account of sample mass. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технология производства Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия Теплові режими формування омічних контактів до арсеніду галія The thermal conditions of ohmic contacts formation to gallium arsenide Article published earlier |
| spellingShingle | Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия Иващук, А.В. Технология производства |
| title | Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия |
| title_alt | Теплові режими формування омічних контактів до арсеніду галія The thermal conditions of ohmic contacts formation to gallium arsenide |
| title_full | Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия |
| title_fullStr | Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия |
| title_full_unstemmed | Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия |
| title_short | Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия |
| title_sort | тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия |
| topic | Технология производства |
| topic_facet | Технология производства |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70962 |
| work_keys_str_mv | AT ivaŝukav teplovyerežimyformirovaniâomičeskihkontaktovkarsenidugalliâ AT ivaŝukav teplovírežimiformuvannâomíčnihkontaktívdoarsenídugalíâ AT ivaŝukav thethermalconditionsofohmiccontactsformationtogalliumarsenide |