Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
Описано устройство для термоообработки полупроводниковых пластин, обеспечивающее быстрый нагрев и охлаждение образцов и создающее необходимые условия для равномерной рекристаллизации и улучшения морфологии омических контактов в процессе вплавления металлизации. Оптимизированы тепловые режимы формиро...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| 1. Verfasser: | Иващук, А.В. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70962 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия / А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC
von: Агеев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Агеев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника
von: Иващук, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Иващук, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Konakova, R. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Konakova, R. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Bosiy, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Bosiy, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Тепловые режимы системы охлаждения светодиодного светильника на основе тепловой трубы
von: Рассамакин, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Рассамакин, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A3B5
von: Aleksandrov, S. B., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Aleksandrov, S. B., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Тепловые режимы системы охлаждения светодиодного светильника на основе тепловой трубы
von: Rassamakin, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Rassamakin, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Тепловые режимы источников вторичного электропитания с охлаждением на основе тепловых труб
von: Гниличенко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Гниличенко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Проблемы ресурсосбережения и экологической безопасности в гальванотехнологии
von: Скубилин, М.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Скубилин, М.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Повышение достоверности отбраковки БИС методом понижения питающего напряжения
von: Белоус, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Белоус, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Моделирование процессов бесконтактного химикомеханического изготовления подложек полупроводников
von: Григорьев, Н.Н., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Григорьев, Н.Н., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Басанец, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Басанец, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников
von: Васильев, В.А.
Veröffentlicht: (2002)
von: Васильев, В.А.
Veröffentlicht: (2002)
Многокристальные модули на анодированной алюминиевой подложке
von: Сокол, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Сокол, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Методика автоматизированного проектирования технологических процессов
von: Невлюдов, И.Ш., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Невлюдов, И.Ш., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Методы удаления полимерных загрязнений, вызванных плазмохимическим травлением
von: Иванчиков, А.Э., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Иванчиков, А.Э., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Получение электрокоммутационных слоев керамических теплопереходов методом детонационного напыления
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо
von: Литвинович, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Литвинович, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Измеритель параметров роторных машин
von: Дмитриев, Э.А., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Дмитриев, Э.А., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Итоги и перспективы развития технологии микроволнового нагрева диэлектрических материалов
von: Демьянчук, Б.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Демьянчук, Б.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Установка толстослойного анодирования алюминия
von: Сокол, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Сокол, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Получение тонких пленок медно-цинковых сплавов методом электрического взрыва в вакууме
von: Головяшкин, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Головяшкин, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Исследование процесса монтажа кристаллов мощных транзисторов вибрационной пайкой
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Особенности применения напыленной фольги для алюминиевых электролитических конденсаторов
von: Гордиенко, Г.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Гордиенко, Г.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Получение кремния электродным восстановлением продуктов пиролиза рисовой лузги
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки
von: Светличный, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Светличный, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Оценка технологического процесса изготовления СБИС по стабильности элементов ее структуры
von: Вантеев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Вантеев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Математическая модель технологического процесса по выборкам малого объема
von: Долгов, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Долгов, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов
von: Беришвили, З.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Беришвили, З.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Технологические средства изготовления микрополосковых линий для ГИС КВЧ-диапазона
von: Кренделев, А.Е.
Veröffentlicht: (2002)
von: Кренделев, А.Е.
Veröffentlicht: (2002)
Микроволновый нагрев: особенности модернизации технологии
von: Демьянчук, Б.А.
Veröffentlicht: (2004)
von: Демьянчук, Б.А.
Veröffentlicht: (2004)
Выявление резервов производства методами статистического моделирования по пассивным данным
von: Долгов, Ю.А.
Veröffentlicht: (2004)
von: Долгов, Ю.А.
Veröffentlicht: (2004)
Коррекция электропроводности ферритонаполненных композитов путем СВЧ-воздействия
von: Демьянчук, Б.А.
Veröffentlicht: (2004)
von: Демьянчук, Б.А.
Veröffentlicht: (2004)
Интегрированный метод принятия решений об эффективной структуре технологических процессов
von: Алексеев, Н.А.
Veröffentlicht: (2004)
von: Алексеев, Н.А.
Veröffentlicht: (2004)
Ähnliche Einträge
-
Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC
von: Агеев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2001) -
Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника
von: Иващук, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2000) -
Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Konakova, R. V., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)