Cover Image

Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия

Описано устройство для термоообработки полупроводниковых пластин, обеспечивающее быстрый нагрев и охлаждение образцов и создающее необходимые условия для равномерной рекристаллизации и улучшения морфологии омических контактов в процессе вплавления металлизации. Оптимизированы тепловые режимы формиро...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2000
Main Author: Иващук, А.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Subjects:
Технология производства
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70962
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия / А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items