Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния
Исследовано влияние облучения нейтронами и гамма-квантами на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния. Показано, что действие излучения в основном проявляется в изменении времени жизни неосновных носителей в базе транзистора, что приводит к изменению его коэффициента передачи ток...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70965 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния / Л.Ф. Викулина, П.Ю. Марколенко, О.Б. Шевчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 50-51. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859907850172628992 |
|---|---|
| author | Викулина, Л.Ф. Марколенко, П.Ю. Шевчук, О.Б. |
| author_facet | Викулина, Л.Ф. Марколенко, П.Ю. Шевчук, О.Б. |
| citation_txt | Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния / Л.Ф. Викулина, П.Ю. Марколенко, О.Б. Шевчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 50-51. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследовано влияние облучения нейтронами и гамма-квантами на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния. Показано, что действие излучения в основном проявляется в изменении времени жизни неосновных носителей в базе транзистора, что приводит к изменению его коэффициента передачи тока и магниточувствительности. Экспериментально установлено, что гамма-излучение дозой 10⁷ Р увеличивает магниточувствительность в 3 раза, а облучение потоком нейтронов до 5·10¹² н/см² уменьшает ее в 2 раза.
The influence of radiation by neutron and gamma-ray quantum on sensitivity of magnetotransistors produced from high-resistivity silicon has been investigated. It is shown that the radiation action is revealed itself basically in changing life time of charge carriers in the transistor base that causes changing its alpha coefficient and magnetosensitivity. It has been established experimentally that gamma-ray radiation by dose to 10⁷ roentgen increases magnetosensitivity a three times and radiation by neutrons flow to 5·10¹² n/sm² decreases it a two times.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:00:57Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2000, ¹ 5�6
50
ÒÅÕÍÎËÎÃÈß ÏÐÎÈÇÂÎÄÑÒÂÀ
Èññëåäîâàíî âëèÿíèå îáëó÷åíèÿ íåé-
òðîíàìè è ãàììà-êâàíòàìè íà ÷óâ-
ñòâèòåëüíîñòü ìàãíèòîòðàíçèñòîðîâ
èç âûñîêîîìíîãî êðåìíèÿ ð-òèïà.
Ìàãíèòî÷óâñòâèòåëüíûå òðàíçèñòîðû ñåðèéíî
âûïóñêàþòñÿ ýëåêòðîííîé ïðîìûøëåííîñòüþ, îäíà-
êî äåéñòâèå ðàäèàöèè íà èõ õàðàêòåðèñòèêè ïðàêòè-
÷åñêè íå èññëåäîâàíî.
Èññëåäîâàíèå âîçäåéñòâèÿ ðàäèàöèè íà õàðàê-
òåðèñòèêè ìàãíèòî÷óâñòâèòåëüíûõ ýëåìåíòîâ ïðåä-
ñòàâëÿåò èíòåðåñ êàê ñ òî÷êè çðåíèÿ ðàáîòû ýëå-
ìåíòîâ â óñëîâèÿõ ðàäèàöèîííîãî îáëó÷åíèÿ, òàê è
ñ òî÷êè çðåíèÿ íàïðàâëåííîãî èçìåíåíèÿ ïàðàìåò-
ðîâ ýëåìåíòîâ ïóòåì èõ îáëó÷åíèÿ. Ïðè îáëó÷å-
íèè ïîëóïðîâîäíèêà âûñîêîýíåðãåòè÷åñêèìè ÷àñ-
òèöàìè (ýëåêòðîíû, ãàììà-êâàíòû, íåéòðîíû è ïðî-
òîíû) â ïîëóïðîâîäíèêå âîçíèêàþò äåôåêòû òèïà
âàêàíñèé è ìåæäîóçåëüíûõ àòîìîâ, ñîõðàíÿþùèåñÿ
è ïîñëå âîçäåéñòâèÿ ðàäèàöèè. Ðàññåÿíèå ïîäâèæ-
íûõ íîñèòåëåé íà äåôåêòàõ ïðèâîäèò ê óìåíüøå-
íèþ ïîäâèæíîñòè îñíîâíûõ è íåîñíîâíûõ íîñèòå-
ëåé çàðÿäà, à òàêæå ê óìåíüøåíèþ âðåìåíè æèçíè
íåîñíîâíûõ íîñèòåëåé çàðÿäà [1, 2]. Îáû÷íî âîç-
íèêàþùèå êîìïëåêñû äåôåêòîâ êîìïåíñèðóþò îñ-
íîâíóþ ëåãèðóþùóþ ïðèìåñü è óìåíüøàþò êîí-
öåíòðàöèþ îñíîâíûõ íîñèòåëåé, ÷òî â ñîâîêóïíîñ-
òè ñ óìåíüøåíèåì ïîäâèæíîñòè ïðèâîäèò ê ðîñòó
óäåëüíîãî ñîïðîòèâëåíèÿ ïîëóïðîâîäíèêà.
Íàèáîëüøèå èçìåíåíèÿ ýëåêòðîôèçè÷åñêèõ ïàðà-
ìåòðîâ ïîëóïðîâîäíèêà ïðîèñõîäÿò ïðè îáëó÷åíèè
òÿæåëûìè ÷àñòèöàìè � íåéòðîíàìè èëè ïðîòîíàìè.
Íà ðèñ. 1 ïîêàçàíî âëèÿíèå ïîòîêà íåéòðîíîâ (Ô) ñ
ýíåðãèåé 15 ÌýÂ íà óäåëüíîå ñîïðîòèâëåíèå (ρ) è
âðåìÿ æèçíè (τ) íåîñíîâíûõ íîñèòåëåé çàðÿäà (ýëåê-
òðîíîâ) â êðåìíèè ñ ρ=20 êÎì·ñì. Ïîäâèæíîñòü íî-
ñèòåëåé çàðÿäà ïðè òàêèõ âåëè÷èíàõ ïîòîêîâ ìåíÿåò-
ñÿ çíà÷èòåëüíî ñëàáåå. Õàðàêòåð èçìåíåíèé ρ è τ
òèïè÷åí äëÿ êðåìíèÿ ëþáîé âåëè÷èíû ïðîâîäèìîñ-
òè. Åäèíñòâåííûì êà÷åñòâåííûì îòëè÷èåì (ïî ñðàâ-
íåíèþ ñ íèçêîîìíûì êðåìíèåì) ÿâëÿåòñÿ ïîÿâëåíèå
ìèíèìóìà íà çàâèñèìîñòè ρ(Ô), ÷òî, âåðîÿòíî, ñâÿçà-
íî ñ àêòèâàöèåé íåêîòîðûõ ïðèìåñåé îñíîâíîãî òèïà
ïðîâîäèìîñòè. Ñëåäóåò îòìåòèòü, ÷òî àíàëîãè÷íûé
ìèíèìóì áûë îáíàðóæåí ïðè èññëåäîâàíèè âûñîêî-
îìíîãî êðåìíèÿ è äðóãèìè èññëåäîâàòåëÿìè [3].
Öåëü äàííîé ðàáîòû � èçó÷åíèå âëèÿíèÿ ïîòîêà
íåéòðîíîâ è ãàììà-èçëó÷åíèÿ íà ÷óâñòâèòåëüíîñòü
ìàãíèòî÷óâñòâèòåëüíûõ òðàíçèñòîðîâ (ÌÒ).
ÌÒ îòëè÷àåòñÿ îò îáû÷íîãî áèïîëÿðíîãî òðàí-
çèñòîðà çíà÷èòåëüíî áîëüøåé äëèíîé áàçû l≈L
(L2=Dτ � êâàäðàò äëèíû äèôôóçèîííîãî ñìåùå-
íèÿ íåîñíîâíûõ íîñèòåëåé çàðÿäà; D � êîýôôèöè-
åíò äèôôóçèè) [4]. Òàê êàê äåéñòâèå ìàãíèòíîãî
ïîëÿ íà ïàðàìåòðû òðàíçèñòîðà ïðîÿâëÿåòñÿ â îñ-
íîâíîì â èçìåíåíèè êîýôôèöèåíòà ïåðåäà÷è òîêà,
òî îöåíêó äåéñòâèÿ ðàäèàöèè ñëåäóåò ïðîâîäèòü ïî
åå âîçäåéñòâèþ íà ýòîò ïàðàìåòð.
Êîýôôèöèåíò ïåðåäà÷è òîêà ÌÒ ìîæíî çàïè-
ñàòü â ïðîñòîì âèäå:
h21Á = 1�C1/L2, (1)
ãäå Ñ1 � ïîñòîÿííàÿ.
Ä. ò. í. Ë. Ô. ÂÈÊÓËÈÍÀ, Ï. Þ. ÌÀÐÊÎËÅÍÊÎ,
Î. Á. ØÅÂ×ÓÊ
Óêðàèíà, ã. Îäåññà, Óêðàèíñêàÿ ãîñ. àêàäåìèÿ ñâÿçè
èì. À. Ñ. Ïîïîâà
ÄÅÉÑÒÂÈÅ ÐÀÄÈÀÖÈÈ
ÍÀ ×ÓÂÑÒÂÈÒÅËÜÍÎÑÒÜ ÌÀÃÍÈÒÎÒÐÀÍÇÈÑÒÎÐÎÂ
ÈÇ ÂÛÑÎÊÎÎÌÍÎÃÎ ÊÐÅÌÍÈß
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
30.05 2000 ã.
Îïïîíåíò ê. ô.-ì. í. Â. È. ÈÐÕÀ,
ä. ô.-ì. í. Ø. Ä. ÊÓÐÌÀØÅÂ
0 1 2 Ô, 10�11í/ñì2
Ðèñ. 1. Âëèÿíèå ïîòîêà íåéòðîíîâ íà óäåëüíîå ñîïðîòèâëåíèå (à) è âðåìÿ æèçíè íåîñíîâíûõ íîñèòåëåé (á) â
êðåìíèè ñ ρ0=20 êÎì·ñì
á) τ/τ0
0,8
0,6
0 1 2 3 Ô, 10�12í/ñì2
a) ρ,
êÎì·ñì
60
40
20
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2000, ¹ 5�6 51
ÒÅÕÍÎËÎÃÈß ÏÐÎÈÇÂÎÄÑÒÂÀ
Ïîñêîëüêó êîýôôèöèåíò äèôôóçèè, ïðîïîðöèî-
íàëüíûé ïîäâèæíîñòè íîñèòåëåé çàðÿäà (µ), ñëàáî
çàâèñèò îò îáëó÷åíèÿ, òî îñíîâíîé ïðè÷èíîé èçìåíå-
íèÿ h21Á ÿâëÿåòñÿ óìåíüøåíèå τ, è (1) ìîæíî ïåðå-
ïèñàòü êàê
h21Á = 1�C2/τ, (2)
ãäå Ñ2 � ïîñòîÿííàÿ, âêëþ÷àþùàÿ Ñ1.
Âîëüòîâàÿ ìàãíèòî÷óâñòâèòåëüíîñòü ÌÒ (γ) îï-
ðåäåëÿåòñÿ ïî èçìåíåíèþ íàïðÿæåíèÿ íà íåì ïðè
ïîñòîÿííîì òîêå ïèòàíèÿ: γ=∆U/IB (B � èíäóê-
öèÿ ìàãíèòíîãî ïîëÿ). ÌÒ îáû÷íî âêëþ÷àåòñÿ êàê
äâóõïîëþñíèê (áàçà îòêëþ÷åíà) ïîñëåäîâàòåëüíî
ñ íàãðóçî÷íûì ðåçèñòîðîì Rí. Èçìåíåíèå íàïðÿ-
æåíèÿ íà ÌÒ ïðè îïòèìàëüíîé íàãðóçêå ìîæíî
çàïèñàòü êàê
∆U IR
I
h
R I R
C
= =
−
=í
ÊÁÎ
Á
í ÊÁÎ í1 21 2
τ
. (3)
Òàêèì îáðàçîì, γ ∼ τ, è ôàêòè÷åñêè çàâèñèìîñòü
ìàãíèòî÷óâñòâèòåëüíîñòè îò ïîòîêà íåéòðîíîâ ïî-
âòîðÿåò àíàëîãè÷íóþ çàâèñèìîñòü τ(Ô). Ñëåäîâà-
òåëüíî, èìååò ìåñòî îòíîøåíèå
γ/γ0≈τ/τ0, (4)
ò. å. ãðàôèê γ/γ0=f(Ô) íå îòëè÷àåòñÿ îò ðèñ. 1, á è
íå íóæäàåòñÿ â äîïîëíèòåëüíûõ ïîÿñíåíèÿõ.
Ïðè ëþáûõ ÿäåðíûõ ðåàêöèÿõ (ÿäåðíûé âçðûâ,
ÿäåðíûå ýíåðãåòè÷åñêèå óñòàíîâêè) â ïðîöåññå äå-
ëåíèÿ ÿäåð âìåñòå ñ èñïóñêàíèåì íåéòðîíîâ ïðîèñ-
õîäèò èçëó÷åíèå ãàììà-êâàíòîâ. Äåéñòâèå ãàììà-èç-
ëó÷åíèÿ íà ïîëóïðîâîäíèê ïðîÿâëÿåòñÿ â òîì, ÷òî
÷àñòü ýíåðãèè ãàììà-êâàíòîâ ïåðåäàåòñÿ ñâÿçàííûì
ýëåêòðîíàì ñ îáðàçîâàíèåì ñâîáîäíûõ ýëåêòðîíîâ
(ýôôåêò Êîìïòîíà). Ýòè ýëåêòðîíû ó÷àñòâóþò â
ïðîöåññàõ ðàññåÿíèÿ íà àòîìàõ îáëó÷àåìîãî âåùå-
ñòâà, ÷òî òàê æå ïðèâîäèò ê îáðàçîâàíèþ äåôåêòîâ
è óìåíüøåíèþ âðåìåíè æèçíè íåîñíîâíûõ íîñèòå-
ëåé, êàê è ïðè îáëó÷åíèè íåéòðîíàìè. Îäíàêî ìåæ-
äó âçàèìîäåéñòâèåì íåéòðîíîâ è ïîëóïðîâîäíèêîì
è âçàèìîäåéñòâèåì ãàììà-êâàíòîâ ñ íèì åñòü íåêî-
òîðûå ðàçëè÷èÿ, îñîáåííî ïðè îáëó÷åíèè òîíêèõ ïëà-
ñòèí, êîòîðûå èñïîëüçóþòñÿ äëÿ ñîçäàíèÿ ïîëóïðî-
âîäíèêîâûõ òðàíçèñòîðîâ.
 ëþáîì ïîëóïðîâîäíèêîâîì êðèñòàëëå èìåþò-
ñÿ ñòðóêòóðíûå äåôåêòû. Êðîìå ýòîãî, ïðè ñîçäà-
íèè òðàíçèñòîðà ïîâåðõíîñòü ïîëóïðîâîäíèêà ïîä-
âåðãàåòñÿ ìíîãî÷èñëåííîé îáðàáîòêå (ðåçêà ïëàñ-
òèí, øëèôîâêà, õèìè÷åñêîå òðàâëåíèå), â ðåçóëüòàòå
÷åãî íà ïîâåðõíîñòè ñîçäàþòñÿ äîïîëíèòåëüíûå äå-
ôåêòû, óìåíüøàþùèå ýôôåêòèâíîå âðåìÿ æèçíè
íåîñíîâíûõ íîñèòåëåé. Ïðè ñëàáûõ ïîòîêàõ èçëó-
÷åíèÿ (íåäîñòàòî÷íûõ äëÿ îáðàçîâàíèÿ äåôåêòîâ â
îáúåìå ïîëóïðîâîäíèêà) ãàììà-êâàíòû ìîãóò ðàç-
ðóøàòü êîìïëåêñû òåõíîëîãè÷åñêèõ äåôåêòîâ íà
ïîâåðõíîñòè, ÷òî ïðèâîäèò ê óìåíüøåíèþ ñêîðîñòè
ðåêîìáèíàöèè íîñèòåëåé íà ïîâåðõíîñòè è óâåëè÷å-
íèþ ýôôåêòèâíîãî âðåìåíè æèçíè (ðèñ. 2). Ñëåäî-
âàòåëüíî, ïðîèñõîäèò ñâîåîáðàçíîå "çàëå÷èâàíèå"
äåôåêòîâ, è çàâèñèìîñòü τ(Ô) äëÿ òðàíçèñòîðà ñ
áîëüøèì êîëè÷åñòâîì äåôåêòîâ íà ïîâåðõíîñòè âîç-
âðàùàåòñÿ ê çàâèñèìîñòè τ(Ô) ñ ïðåîáëàäàíèåì
îáúåìíîé ðåêîìáèíàöèè (ïåðåõîä îò íèæíåé êðèâîé
Ï íà ðèñ. 2 ê âåðõíåé � Î). Ôèçè÷åñêèé ìåõàíèçì
"çàëå÷èâàíèÿ" ñîñòîèò â íåéòðàëèçàöèè ïîâåðõíîñò-
íûõ çàðÿäîâ íà äåôåêòàõ èîíàìè è ýëåêòðîíàìè,
îáðàçîâàâøèìèñÿ ïðè ïîãëîùåíèè ãàììà-êâàíòîâ.
Òàê êàê ìàãíèòî÷óâñòâèòåëüíîñòü ïðîïîðöèîíàëü-
íà âðåìåíè æèçíè íåîñíîâíûõ íîñèòåëåé çàðÿäà (γ∼τ),
òî åå çàâèñèìîñòü îò ïîòîêà ãàììà-êâàíòîâ ó ÌÒ
äîëæíà ïîâòîðÿòü õîä çàâèñèìîñòè τ(Ô). Îáû÷íî
ó ÌÒ èç âûñîêîîìíîãî êðåìíèÿ ñêîðîñòü ðåêîìáè-
íàöèè íà ïîâåðõíîñòè ñî ñòîðîíû ýëåêòðîäîâ äîñòà-
òî÷íî âåëèêà, è çàâèñèìîñòü τ(Ô) èìååò ìàêñèìóì
(íèæíÿÿ êðèâàÿ íà ðèñ. 2).
Ýêñïåðèìåíòû ñ ÌÒ èç óêàçàííîãî äûðî÷íîãî
âûñîêîîìíîãî êðåìíèÿ ñ ρ=20 êÎì·ñì ïîêàçàëè, ÷òî
çàâèñèìîñòü γ(Ô) òàêæå èìååò ìàêñèìóì, ò. å. ñíà-
÷àëà ìàãíèòî÷óâñòâèòåëüíîñòü γ ñ ðîñòîì ïîòîêà
ãàììà-êâàíòîâ óâåëè÷èâàåòñÿ (óìåíüøåíèå äåôåê-
òîâ íà ïîâåðõíîñòè), à çàòåì óìåíüøàåòñÿ (óâåëè÷å-
íèå äåôåêòîâ â îáúåìå). Íà ðèñ. 3 ïðåäñòàâëåíà
ýòà çàâèñèìîñòü, ïðè÷åì ñëåäóåò ó÷åñòü, ÷òî ðîñò γ
ïðîèñõîäèò ëèøü ïðè îáëó÷åíèè ïîâåðõíîñòè ÌÒ
ñî ñòîðîíû ýëåêòðîäîâ. Êàê âèäíî èç ðèñóíêà, ãàì-
ìà-èçëó÷åíèå äîçîé äî 107 Ð óâåëè÷èâàåò ìàãíèòî-
÷óâñòâèòåëüíîñòü â 3 ðàçà, â òî âðåìÿ êàê îáëó÷åíèå
ïîòîêîì íåéòðîíîâ äî 5·1012 í/ñì2 (ñì. ðèñ. 1, á)
óìåíüøàåò åå â 2 ðàçà.
Î÷åâèäíî, ãàììà-èçëó÷åíèå äîçîé äî 107 P ìî-
æåò èñïîëüçîâàòüñÿ â êà÷åñòâå òåõíîëîãè÷åñêîãî ñïî-
ñîáà ïîâûøåíèÿ ÷óâñòâèòåëüíîñòè ÌÒ.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Êóëàêîâ Â. Ï., Ëàäûãèí Å. À., Øàõîâöåâ Â. È. è
äð. Äåéñòâèå ïðîíèêàþùåé ðàäèàöèè íà èçäåëèÿ ýëåêò-
ðîííîé òåõíèêè.� Ì. : Ñîâ. ðàäèî, 1980.
2. Âèêóëèí È. Ì., Ñòàôååâ Â. È. Ôèçèêà ïîëóïðî-
âîäíèêîâûõ ïðèáîðîâ.� Ì. : Ðàäèî è ñâÿçü, 1990.
3. Êàðàïàòíèöêèé È. À., Åãèàçàðÿí Ã. À., Êàðàêóøàí
Ý. È. è äð. Âëèÿíèå íåéòðîííîãî îáëó÷åíèÿ íà ñâîéñòâà
êðåìíèåâûõ ìàãíèòîäèîäîâ // Ôèçèêà è òåõíèêà ïîëó-
ïðîâîäíèêîâ.� 1979.� ¹ 6.� Ñ. 1242.
4. Âèêóëèíà Ë. Ô. Ìàãíèòî÷óâñòâèòåëüíûå òðàíçèñ-
òîðû // Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé
àïïàðàòóðå.� 1998.� ¹ 1.� Ñ. 25�27.
Ðèñ. 3. Çàâèñèìîñòü ìàãíèòî÷óâñòâèòåëüíîñòè îäíîêîëëåê-
òîðíîãî ìàãíèòîòðàíçèñòîðà îò ïîòîêà ãàììà-èçëó÷åíèÿ
3
2
1
0 106 107 108 Ô, P
γ,
1
0�
4 Â
/
À
·Ò
ë
Ðèñ. 2. Çàâèñèìîñòü ýô-
ôåêòèâíîãî âðåìåíè æèç-
íè îò ïîòîêà ãàììà-êâàí-
òîâ â ïîëóïðîâîäíèêå
τ
0 Ô
Î
Ï
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70965 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:00:57Z |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Викулина, Л.Ф. Марколенко, П.Ю. Шевчук, О.Б. 2014-11-18T06:57:51Z 2014-11-18T06:57:51Z 2000 Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния / Л.Ф. Викулина, П.Ю. Марколенко, О.Б. Шевчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 50-51. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70965 621.382 Исследовано влияние облучения нейтронами и гамма-квантами на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния. Показано, что действие излучения в основном проявляется в изменении времени жизни неосновных носителей в базе транзистора, что приводит к изменению его коэффициента передачи тока и магниточувствительности. Экспериментально установлено, что гамма-излучение дозой 10⁷ Р увеличивает магниточувствительность в 3 раза, а облучение потоком нейтронов до 5·10¹² н/см² уменьшает ее в 2 раза. The influence of radiation by neutron and gamma-ray quantum on sensitivity of magnetotransistors produced from high-resistivity silicon has been investigated. It is shown that the radiation action is revealed itself basically in changing life time of charge carriers in the transistor base that causes changing its alpha coefficient and magnetosensitivity. It has been established experimentally that gamma-ray radiation by dose to 10⁷ roentgen increases magnetosensitivity a three times and radiation by neutrons flow to 5·10¹² n/sm² decreases it a two times. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технология производства Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния Вплив радіації на чутливість магнітотранзисторів з високоомного кремнію The radiation action on sensitivity of magnetotransistors produced from high-resistivity silicon Article published earlier |
| spellingShingle | Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния Викулина, Л.Ф. Марколенко, П.Ю. Шевчук, О.Б. Технология производства |
| title | Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния |
| title_alt | Вплив радіації на чутливість магнітотранзисторів з високоомного кремнію The radiation action on sensitivity of magnetotransistors produced from high-resistivity silicon |
| title_full | Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния |
| title_fullStr | Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния |
| title_full_unstemmed | Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния |
| title_short | Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния |
| title_sort | действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния |
| topic | Технология производства |
| topic_facet | Технология производства |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70965 |
| work_keys_str_mv | AT vikulinalf deistvieradiaciinačuvstvitelʹnostʹmagnitotranzistorovizvysokoomnogokremniâ AT markolenkopû deistvieradiaciinačuvstvitelʹnostʹmagnitotranzistorovizvysokoomnogokremniâ AT ševčukob deistvieradiaciinačuvstvitelʹnostʹmagnitotranzistorovizvysokoomnogokremniâ AT vikulinalf vplivradíacíínačutlivístʹmagnítotranzistorívzvisokoomnogokremníû AT markolenkopû vplivradíacíínačutlivístʹmagnítotranzistorívzvisokoomnogokremníû AT ševčukob vplivradíacíínačutlivístʹmagnítotranzistorívzvisokoomnogokremníû AT vikulinalf theradiationactiononsensitivityofmagnetotransistorsproducedfromhighresistivitysilicon AT markolenkopû theradiationactiononsensitivityofmagnetotransistorsproducedfromhighresistivitysilicon AT ševčukob theradiationactiononsensitivityofmagnetotransistorsproducedfromhighresistivitysilicon |