Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния
Исследовано влияние облучения нейтронами и гамма-квантами на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния. Показано, что действие излучения в основном проявляется в изменении времени жизни неосновных носителей в базе транзистора, что приводит к изменению его коэффициента передачи ток...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70965 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния / Л.Ф. Викулина, П.Ю. Марколенко, О.Б. Шевчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 50-51. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70965 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Викулина, Л.Ф. Марколенко, П.Ю. Шевчук, О.Б. 2014-11-18T06:57:51Z 2014-11-18T06:57:51Z 2000 Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния / Л.Ф. Викулина, П.Ю. Марколенко, О.Б. Шевчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 50-51. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70965 621.382 Исследовано влияние облучения нейтронами и гамма-квантами на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния. Показано, что действие излучения в основном проявляется в изменении времени жизни неосновных носителей в базе транзистора, что приводит к изменению его коэффициента передачи тока и магниточувствительности. Экспериментально установлено, что гамма-излучение дозой 10⁷ Р увеличивает магниточувствительность в 3 раза, а облучение потоком нейтронов до 5·10¹² н/см² уменьшает ее в 2 раза. The influence of radiation by neutron and gamma-ray quantum on sensitivity of magnetotransistors produced from high-resistivity silicon has been investigated. It is shown that the radiation action is revealed itself basically in changing life time of charge carriers in the transistor base that causes changing its alpha coefficient and magnetosensitivity. It has been established experimentally that gamma-ray radiation by dose to 10⁷ roentgen increases magnetosensitivity a three times and radiation by neutrons flow to 5·10¹² n/sm² decreases it a two times. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технология производства Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния Вплив радіації на чутливість магнітотранзисторів з високоомного кремнію The radiation action on sensitivity of magnetotransistors produced from high-resistivity silicon Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния |
| spellingShingle |
Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния Викулина, Л.Ф. Марколенко, П.Ю. Шевчук, О.Б. Технология производства |
| title_short |
Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния |
| title_full |
Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния |
| title_fullStr |
Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния |
| title_full_unstemmed |
Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния |
| title_sort |
действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния |
| author |
Викулина, Л.Ф. Марколенко, П.Ю. Шевчук, О.Б. |
| author_facet |
Викулина, Л.Ф. Марколенко, П.Ю. Шевчук, О.Б. |
| topic |
Технология производства |
| topic_facet |
Технология производства |
| publishDate |
2000 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Вплив радіації на чутливість магнітотранзисторів з високоомного кремнію The radiation action on sensitivity of magnetotransistors produced from high-resistivity silicon |
| description |
Исследовано влияние облучения нейтронами и гамма-квантами на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния. Показано, что действие излучения в основном проявляется в изменении времени жизни неосновных носителей в базе транзистора, что приводит к изменению его коэффициента передачи тока и магниточувствительности. Экспериментально установлено, что гамма-излучение дозой 10⁷ Р увеличивает магниточувствительность в 3 раза, а облучение потоком нейтронов до 5·10¹² н/см² уменьшает ее в 2 раза.
The influence of radiation by neutron and gamma-ray quantum on sensitivity of magnetotransistors produced from high-resistivity silicon has been investigated. It is shown that the radiation action is revealed itself basically in changing life time of charge carriers in the transistor base that causes changing its alpha coefficient and magnetosensitivity. It has been established experimentally that gamma-ray radiation by dose to 10⁷ roentgen increases magnetosensitivity a three times and radiation by neutrons flow to 5·10¹² n/sm² decreases it a two times.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70965 |
| citation_txt |
Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния / Л.Ф. Викулина, П.Ю. Марколенко, О.Б. Шевчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 50-51. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT vikulinalf deistvieradiaciinačuvstvitelʹnostʹmagnitotranzistorovizvysokoomnogokremniâ AT markolenkopû deistvieradiaciinačuvstvitelʹnostʹmagnitotranzistorovizvysokoomnogokremniâ AT ševčukob deistvieradiaciinačuvstvitelʹnostʹmagnitotranzistorovizvysokoomnogokremniâ AT vikulinalf vplivradíacíínačutlivístʹmagnítotranzistorívzvisokoomnogokremníû AT markolenkopû vplivradíacíínačutlivístʹmagnítotranzistorívzvisokoomnogokremníû AT ševčukob vplivradíacíínačutlivístʹmagnítotranzistorívzvisokoomnogokremníû AT vikulinalf theradiationactiononsensitivityofmagnetotransistorsproducedfromhighresistivitysilicon AT markolenkopû theradiationactiononsensitivityofmagnetotransistorsproducedfromhighresistivitysilicon AT ševčukob theradiationactiononsensitivityofmagnetotransistorsproducedfromhighresistivitysilicon |
| first_indexed |
2025-12-07T16:00:57Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:00:57Z |
| _version_ |
1850865884867854336 |