Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2000
• Автори: Викулина, Л.Ф., Марколенко, П.Ю., Шевчук, О.Б.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
• Теми: Технология производства
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70965
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния / Л.Ф. Викулина, П.Ю. Марколенко, О.Б. Шевчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 50-51. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Исследовано влияние облучения нейтронами и гамма-квантами на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния. Показано, что действие излучения в основном проявляется в изменении времени жизни неосновных носителей в базе транзистора, что приводит к изменению его коэффициента передачи ток...