Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников
Обсуждается проблема деградации радиационно-индуцированного оптического поглощения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Рассмотрены варианты математического моделирования возможных релаксационных превращений. На примере стекол квазибинарной системы (Sb₂S₃)y(GeS₂)1–y при широкой вариации...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70966 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников / Н.М. Вакив // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 52-57. — Бібліогр.: 56 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862593524308901888 |
|---|---|
| author | Вакив, Н.М. |
| author_facet | Вакив, Н.М. |
| citation_txt | Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников / Н.М. Вакив // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 52-57. — Бібліогр.: 56 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Обсуждается проблема деградации радиационно-индуцированного оптического поглощения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Рассмотрены варианты математического моделирования возможных релаксационных превращений. На примере стекол квазибинарной системы (Sb₂S₃)y(GeS₂)1–y при широкой вариации их химического состава показано, что адекватная математическая модель для количественного описания деградации может быть развита на основе бимолекулярной релаксационной функции, описывающей процессы аннигиляции характерных для данных аморфных материалов координационных дефектов.
The degradation problem of radiation-induced optical absorption in chalcogenide vitreous semiconductors are discussed. Variants of mathematical simulation of possible relaxation transformations have been considered. On example of glasses of (Sb₂S₃)y(GeS₂)1-y quasi-binar system at wide variation their chemical composition it has been shown that adequate mathematical model for quantitative description of degradation can be developed on base of bimolecular relaxation function descripting processes of annigilation featured for data of amorphous materials of coordination defects.
|
| first_indexed | 2025-11-27T10:07:23Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70966 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T10:07:23Z |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Вакив, Н.М. 2014-11-18T06:59:31Z 2014-11-18T06:59:31Z 2000 Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников / Н.М. Вакив // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 52-57. — Бібліогр.: 56 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70966 539.216.2 Обсуждается проблема деградации радиационно-индуцированного оптического поглощения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Рассмотрены варианты математического моделирования возможных релаксационных превращений. На примере стекол квазибинарной системы (Sb₂S₃)y(GeS₂)1–y при широкой вариации их химического состава показано, что адекватная математическая модель для количественного описания деградации может быть развита на основе бимолекулярной релаксационной функции, описывающей процессы аннигиляции характерных для данных аморфных материалов координационных дефектов. The degradation problem of radiation-induced optical absorption in chalcogenide vitreous semiconductors are discussed. Variants of mathematical simulation of possible relaxation transformations have been considered. On example of glasses of (Sb₂S₃)y(GeS₂)1-y quasi-binar system at wide variation their chemical composition it has been shown that adequate mathematical model for quantitative description of degradation can be developed on base of bimolecular relaxation function descripting processes of annigilation featured for data of amorphous materials of coordination defects. Автор выражает благодарность сотруднику Варшавской Политехники доктору Б. Буткевичу за полезные замечания идискуссии. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников Моделювання деградації радіаційно-оптичних властивостей халькогенідних склообразних напівпровідників The simulation of degradation of radiation-optical properties of chalcogenide vitreous semiconductors Article published earlier |
| spellingShingle | Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников Вакив, Н.М. Материалы электроники |
| title | Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников |
| title_alt | Моделювання деградації радіаційно-оптичних властивостей халькогенідних склообразних напівпровідників The simulation of degradation of radiation-optical properties of chalcogenide vitreous semiconductors |
| title_full | Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников |
| title_fullStr | Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников |
| title_full_unstemmed | Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников |
| title_short | Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников |
| title_sort | моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70966 |
| work_keys_str_mv | AT vakivnm modelirovaniedegradaciiradiacionnooptičeskihsvoistvhalʹkogenidnyhstekloobraznyhpoluprovodnikov AT vakivnm modelûvannâdegradacííradíacíinooptičnihvlastivosteihalʹkogenídnihskloobraznihnapívprovídnikív AT vakivnm thesimulationofdegradationofradiationopticalpropertiesofchalcogenidevitreoussemiconductors |