Cover Image

Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников

Обсуждается проблема деградации радиационно-индуцированного оптического поглощения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Рассмотрены варианты математического моделирования возможных релаксационных превращений. На примере стекол квазибинарной системы (Sb₂S₃)y(GeS₂)1–y при широкой вариации...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2000
Main Author: Вакив, Н.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Subjects:
Материалы электроники
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70966
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников / Н.М. Вакив // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 52-57. — Бібліогр.: 56 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items