Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H
В работе исследовано влияние отрицательного потенциала смещения на подложке (UD) на структуру и механические свойства аморфного карбида кремния, полученного методом газофазового осаждения, усиленного высокочастотной плазмой (PECVD). Пленки охарактеризованы с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ),...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2010
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/72614 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H / В.И. Иващенко, О.К. Порада, Л.А. Иващенко, С.Н. Дуб, И.И. Тимофеева, Л.А. Гришнова // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2010. — Т. 8, № 2. — С. 277-285. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862709558430924800 |
|---|---|
| author | Иващенко, В.И. Порада, О.К. Иващенко, Л.А. Дуб, С.Н. Тимофеева, И.И. Гришнова, Л.А. |
| author_facet | Иващенко, В.И. Порада, О.К. Иващенко, Л.А. Дуб, С.Н. Тимофеева, И.И. Гришнова, Л.А. |
| citation_txt | Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H / В.И. Иващенко, О.К. Порада, Л.А. Иващенко, С.Н. Дуб, И.И. Тимофеева, Л.А. Гришнова // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2010. — Т. 8, № 2. — С. 277-285. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | В работе исследовано влияние отрицательного потенциала смещения на подложке (UD) на структуру и механические свойства аморфного карбида кремния, полученного методом газофазового осаждения, усиленного высокочастотной плазмой (PECVD). Пленки охарактеризованы с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ), ИК-абсорбционной спектроскопии, рентгеновской дифракции и оже-спектроскопии. Нанотвердость, модуль упругости и износостойкость пленок достигают максимума для UD ∼ −200 В. Для объяснения механизма упрочнения пленок использовано моделирование осаждения пленок SiC на кремниевые подложки. Как следует из экспериментальных и теоретических исследований, наблюдаемое усиление механических характеристик, обусловленное ростом отрицательного потенциала смещения на подложке, является следствием улучшения аморфной структуры, уплотнения пленки и уменьшения шероховатости
ее поверхности.
У роботі досліджено вплив неґативного потенціялу зсуву на підложжі (UD) на структуру й механічні властивості аморфного карбіду кремнію, одержаного методою газофазового осадження, посиленого високочастотною плазмою (PECVD). Плівки охарактеризовано за допомогою атомовосилового мікроскопа (АСМ), ІЧ-абсорбційної спектроскопії, Рентґенової дифракції й Оже-спектроскопії. Нанотвердість, модуль пружности й зносостійкість плівок досягають максимуму для UD ∼ −200 В. Для пояснення механізму зміцнення плівок використано моделювання осадження плівок SiC на кремнійові підложжя. Як випливає з експериментальних і теоретичних досліджень, спостережуване посилення механічних характеристик, обумовлене ростом неґативного потенціялу зсуву на підложжі, є наслідком поліпшення аморфної структури, ущільнення плівки й зменшення шорсткости її поверхні.
Plasma-enhanced chemical vapour deposition technique is used to prepare amorphous silicon carbide films to examine an effect of substrate negative bias (UD) on film properties. The films are characterized by an atomic force microscopy, infrared absorption spectroscopy, X-ray diffraction, and Auger spectroscopy. The nanohardness, elastic modulus, and wear resistance of the films reach maximums for UD ∼ −200 V. To explain film-hardening mechanism, simulation of SiC films deposition on silicon substrates is carried out. Both experimental and theoretical investigations point out that the observed enhancement of the mechanical characteristics is a consequence of an improvement of the amorphous structure, film compactness, and decrease of surface roughness caused by increasing of negative substrate bias.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:18:31Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-72614 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:18:31Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Иващенко, В.И. Порада, О.К. Иващенко, Л.А. Дуб, С.Н. Тимофеева, И.И. Гришнова, Л.А. 2014-12-26T21:14:52Z 2014-12-26T21:14:52Z 2010 Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H / В.И. Иващенко, О.К. Порада, Л.А. Иващенко, С.Н. Дуб, И.И. Тимофеева, Л.А. Гришнова // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2010. — Т. 8, № 2. — С. 277-285. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 62.20.Qp, 68.37.Ps, 71.15.Pd, 78.66.Jg, 81.15.Gh, 81.40.Pq, 82.80.Pv https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/72614 В работе исследовано влияние отрицательного потенциала смещения на подложке (UD) на структуру и механические свойства аморфного карбида кремния, полученного методом газофазового осаждения, усиленного высокочастотной плазмой (PECVD). Пленки охарактеризованы с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ), ИК-абсорбционной спектроскопии, рентгеновской дифракции и оже-спектроскопии. Нанотвердость, модуль упругости и износостойкость пленок достигают максимума для UD ∼ −200 В. Для объяснения механизма упрочнения пленок использовано моделирование осаждения пленок SiC на кремниевые подложки. Как следует из экспериментальных и теоретических исследований, наблюдаемое усиление механических характеристик, обусловленное ростом отрицательного потенциала смещения на подложке, является следствием улучшения аморфной структуры, уплотнения пленки и уменьшения шероховатости
 ее поверхности. У роботі досліджено вплив неґативного потенціялу зсуву на підложжі (UD) на структуру й механічні властивості аморфного карбіду кремнію, одержаного методою газофазового осадження, посиленого високочастотною плазмою (PECVD). Плівки охарактеризовано за допомогою атомовосилового мікроскопа (АСМ), ІЧ-абсорбційної спектроскопії, Рентґенової дифракції й Оже-спектроскопії. Нанотвердість, модуль пружности й зносостійкість плівок досягають максимуму для UD ∼ −200 В. Для пояснення механізму зміцнення плівок використано моделювання осадження плівок SiC на кремнійові підложжя. Як випливає з експериментальних і теоретичних досліджень, спостережуване посилення механічних характеристик, обумовлене ростом неґативного потенціялу зсуву на підложжі, є наслідком поліпшення аморфної структури, ущільнення плівки й зменшення шорсткости її поверхні. Plasma-enhanced chemical vapour deposition technique is used to prepare amorphous silicon carbide films to examine an effect of substrate negative bias (UD) on film properties. The films are characterized by an atomic force microscopy, infrared absorption spectroscopy, X-ray diffraction, and Auger spectroscopy. The nanohardness, elastic modulus, and wear resistance of the films reach maximums for UD ∼ −200 V. To explain film-hardening mechanism, simulation of SiC films deposition on silicon substrates is carried out. Both experimental and theoretical investigations point out that the observed enhancement of the mechanical characteristics is a consequence of an improvement of the amorphous structure, film compactness, and decrease of surface roughness caused by increasing of negative substrate bias. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H Иващенко, В.И. Порада, О.К. Иващенко, Л.А. Дуб, С.Н. Тимофеева, И.И. Гришнова, Л.А. |
| title | Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H |
| title_full | Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H |
| title_fullStr | Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H |
| title_full_unstemmed | Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H |
| title_short | Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H |
| title_sort | влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-sic:h |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/72614 |
| work_keys_str_mv | AT ivaŝenkovi vliâniepotencialasmeŝeniânapodložkenastrukturnyeimehaničeskiesvoistvaplenokasich AT poradaok vliâniepotencialasmeŝeniânapodložkenastrukturnyeimehaničeskiesvoistvaplenokasich AT ivaŝenkola vliâniepotencialasmeŝeniânapodložkenastrukturnyeimehaničeskiesvoistvaplenokasich AT dubsn vliâniepotencialasmeŝeniânapodložkenastrukturnyeimehaničeskiesvoistvaplenokasich AT timofeevaii vliâniepotencialasmeŝeniânapodložkenastrukturnyeimehaničeskiesvoistvaplenokasich AT grišnovala vliâniepotencialasmeŝeniânapodložkenastrukturnyeimehaničeskiesvoistvaplenokasich |