Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H

Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H

В работе исследовано влияние отрицательного потенциала смещения на подложке (UD) на структуру и механические свойства аморфного карбида кремния, полученного методом газофазового осаждения, усиленного высокочастотной плазмой (PECVD). Пленки охарактеризованы с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ),...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Datum:2010
Hauptverfasser: Иващенко, В.И., Порада, О.К., Иващенко, Л.А., Дуб, С.Н., Тимофеева, И.И., Гришнова, Л.А.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2010
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/72614
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H / В.И. Иващенко, О.К. Порада, Л.А. Иващенко, С.Н. Дуб, И.И. Тимофеева, Л.А. Гришнова // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2010. — Т. 8, № 2. — С. 277-285. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-72614
record_format dspace
spelling Иващенко, В.И.
Порада, О.К.
Иващенко, Л.А.
Дуб, С.Н.
Тимофеева, И.И.
Гришнова, Л.А.
2014-12-26T21:14:52Z
2014-12-26T21:14:52Z
2010
Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H / В.И. Иващенко, О.К. Порада, Л.А. Иващенко, С.Н. Дуб, И.И. Тимофеева, Л.А. Гришнова // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2010. — Т. 8, № 2. — С. 277-285. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
1816-5230
PACS numbers: 62.20.Qp, 68.37.Ps, 71.15.Pd, 78.66.Jg, 81.15.Gh, 81.40.Pq, 82.80.Pv
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/72614
В работе исследовано влияние отрицательного потенциала смещения на подложке (UD) на структуру и механические свойства аморфного карбида кремния, полученного методом газофазового осаждения, усиленного высокочастотной плазмой (PECVD). Пленки охарактеризованы с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ), ИК-абсорбционной спектроскопии, рентгеновской дифракции и оже-спектроскопии. Нанотвердость, модуль упругости и износостойкость пленок достигают максимума для UD ∼ −200 В. Для объяснения механизма упрочнения пленок использовано моделирование осаждения пленок SiC на кремниевые подложки. Как следует из экспериментальных и теоретических исследований, наблюдаемое усиление механических характеристик, обусловленное ростом отрицательного потенциала смещения на подложке, является следствием улучшения аморфной структуры, уплотнения пленки и уменьшения шероховатости ее поверхности.
У роботі досліджено вплив неґативного потенціялу зсуву на підложжі (UD) на структуру й механічні властивості аморфного карбіду кремнію, одержаного методою газофазового осадження, посиленого високочастотною плазмою (PECVD). Плівки охарактеризовано за допомогою атомовосилового мікроскопа (АСМ), ІЧ-абсорбційної спектроскопії, Рентґенової дифракції й Оже-спектроскопії. Нанотвердість, модуль пружности й зносостійкість плівок досягають максимуму для UD ∼ −200 В. Для пояснення механізму зміцнення плівок використано моделювання осадження плівок SiC на кремнійові підложжя. Як випливає з експериментальних і теоретичних досліджень, спостережуване посилення механічних характеристик, обумовлене ростом неґативного потенціялу зсуву на підложжі, є наслідком поліпшення аморфної структури, ущільнення плівки й зменшення шорсткости її поверхні.
Plasma-enhanced chemical vapour deposition technique is used to prepare amorphous silicon carbide films to examine an effect of substrate negative bias (UD) on film properties. The films are characterized by an atomic force microscopy, infrared absorption spectroscopy, X-ray diffraction, and Auger spectroscopy. The nanohardness, elastic modulus, and wear resistance of the films reach maximums for UD ∼ −200 V. To explain film-hardening mechanism, simulation of SiC films deposition on silicon substrates is carried out. Both experimental and theoretical investigations point out that the observed enhancement of the mechanical characteristics is a consequence of an improvement of the amorphous structure, film compactness, and decrease of surface roughness caused by increasing of negative substrate bias.
ru
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H
spellingShingle Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H
Иващенко, В.И.
Порада, О.К.
Иващенко, Л.А.
Дуб, С.Н.
Тимофеева, И.И.
Гришнова, Л.А.
title_short Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H
title_full Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H
title_fullStr Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H
title_full_unstemmed Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H
title_sort влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-sic:h
author Иващенко, В.И.
Порада, О.К.
Иващенко, Л.А.
Дуб, С.Н.
Тимофеева, И.И.
Гришнова, Л.А.
author_facet Иващенко, В.И.
Порада, О.К.
Иващенко, Л.А.
Дуб, С.Н.
Тимофеева, И.И.
Гришнова, Л.А.
publishDate 2010
language Russian
container_title Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
format Article
description В работе исследовано влияние отрицательного потенциала смещения на подложке (UD) на структуру и механические свойства аморфного карбида кремния, полученного методом газофазового осаждения, усиленного высокочастотной плазмой (PECVD). Пленки охарактеризованы с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ), ИК-абсорбционной спектроскопии, рентгеновской дифракции и оже-спектроскопии. Нанотвердость, модуль упругости и износостойкость пленок достигают максимума для UD ∼ −200 В. Для объяснения механизма упрочнения пленок использовано моделирование осаждения пленок SiC на кремниевые подложки. Как следует из экспериментальных и теоретических исследований, наблюдаемое усиление механических характеристик, обусловленное ростом отрицательного потенциала смещения на подложке, является следствием улучшения аморфной структуры, уплотнения пленки и уменьшения шероховатости ее поверхности. У роботі досліджено вплив неґативного потенціялу зсуву на підложжі (UD) на структуру й механічні властивості аморфного карбіду кремнію, одержаного методою газофазового осадження, посиленого високочастотною плазмою (PECVD). Плівки охарактеризовано за допомогою атомовосилового мікроскопа (АСМ), ІЧ-абсорбційної спектроскопії, Рентґенової дифракції й Оже-спектроскопії. Нанотвердість, модуль пружности й зносостійкість плівок досягають максимуму для UD ∼ −200 В. Для пояснення механізму зміцнення плівок використано моделювання осадження плівок SiC на кремнійові підложжя. Як випливає з експериментальних і теоретичних досліджень, спостережуване посилення механічних характеристик, обумовлене ростом неґативного потенціялу зсуву на підложжі, є наслідком поліпшення аморфної структури, ущільнення плівки й зменшення шорсткости її поверхні. Plasma-enhanced chemical vapour deposition technique is used to prepare amorphous silicon carbide films to examine an effect of substrate negative bias (UD) on film properties. The films are characterized by an atomic force microscopy, infrared absorption spectroscopy, X-ray diffraction, and Auger spectroscopy. The nanohardness, elastic modulus, and wear resistance of the films reach maximums for UD ∼ −200 V. To explain film-hardening mechanism, simulation of SiC films deposition on silicon substrates is carried out. Both experimental and theoretical investigations point out that the observed enhancement of the mechanical characteristics is a consequence of an improvement of the amorphous structure, film compactness, and decrease of surface roughness caused by increasing of negative substrate bias.
issn 1816-5230
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/72614
citation_txt Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H / В.И. Иващенко, О.К. Порада, Л.А. Иващенко, С.Н. Дуб, И.И. Тимофеева, Л.А. Гришнова // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2010. — Т. 8, № 2. — С. 277-285. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT ivaŝenkovi vliâniepotencialasmeŝeniânapodložkenastrukturnyeimehaničeskiesvoistvaplenokasich
AT poradaok vliâniepotencialasmeŝeniânapodložkenastrukturnyeimehaničeskiesvoistvaplenokasich
AT ivaŝenkola vliâniepotencialasmeŝeniânapodložkenastrukturnyeimehaničeskiesvoistvaplenokasich
AT dubsn vliâniepotencialasmeŝeniânapodložkenastrukturnyeimehaničeskiesvoistvaplenokasich
AT timofeevaii vliâniepotencialasmeŝeniânapodložkenastrukturnyeimehaničeskiesvoistvaplenokasich
AT grišnovala vliâniepotencialasmeŝeniânapodložkenastrukturnyeimehaničeskiesvoistvaplenokasich
first_indexed 2025-12-07T17:18:31Z
last_indexed 2025-12-07T17:18:31Z
_version_ 1850870764754960384

Ähnliche Einträge