Структура та електропровідність ультратонких плівок міді, золота та срібла
Вивчено вплив поверхневого та зерномежового розсіяння носіїв струму на перенесення заряду в плівках Cu, Au та Ag в умовах надвисокого вакууму при тиску залишкових газів Рз ≤ 10⁻⁷ Па. Досліджено вплив сурфактантних підшарів Sb, Ge та Si на структуру та кінетичні коефіцієнти тонких плівок Cu, Au та Ag...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/72617 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Структура та електропровідність ультратонких плівок міді, золота та срібла / А.П. Шпак, Р.І. Бігун, З.В. Стасюк, Ю.А. Куницький // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2010. — Т. 8, № 2. — С. 339-388. — Бібліогр.: 115 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862539717983076352 |
|---|---|
| author | Шпак, А.П. Бігун, Р.І. Стасюк, З.В. Куницький, Ю.А. |
| author_facet | Шпак, А.П. Бігун, Р.І. Стасюк, З.В. Куницький, Ю.А. |
| citation_txt | Структура та електропровідність ультратонких плівок міді, золота та срібла / А.П. Шпак, Р.І. Бігун, З.В. Стасюк, Ю.А. Куницький // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2010. — Т. 8, № 2. — С. 339-388. — Бібліогр.: 115 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | Вивчено вплив поверхневого та зерномежового розсіяння носіїв струму на перенесення заряду в плівках Cu, Au та Ag в умовах надвисокого вакууму при тиску залишкових газів Рз ≤ 10⁻⁷ Па. Досліджено вплив сурфактантних підшарів Sb, Ge та Si на структуру та кінетичні коефіцієнти тонких плівок Cu, Au та Ag. Залежності від товщини шару питомого опору ρ, температурного коефіцієнта опору β в широкому діяпазоні товщин (d = 2—70 нм) плівок тлумачаться на основі теоретичних моделів квазикласичних та квантових кінетичних явищ у зразках обмежених розмірів. Виконано розрахунок зонної структури ультратонких плівок Cu, Au та Ag. Виявлено, що для плівок досліджуваних металів товщиною, більшою за 5—6 атомових шарів, зонна енергетична структура близька до зонної енергетичної структури масивного
зразка металу. Розмірні залежності електропровідности ультратонких плівок (товщиною 2—8 нм) досліджуваних металів пояснено за допомогою квантових теорій балістичного перенесення заряду. Параметри перенесення заряду в плівках металів розраховано в рамках моделів класичного та внутрішнього розмірних ефектів.
Изучено влияние поверхностного и зернограничного рассеяния носителей тока на перенос заряда в ультратонких пленках Cu, Au и Ag в условиях сверхвысокого вакуума при давлении остаточных газов, не превышающем Рост ≤ 10⁻⁷ Па. Исследовано влияние сурфактантных подслоев Sb, Ge и Si на структуру и кинетические коэффициенты тонких пленок Cu, Au и Ag. Зависимости от толщины пленки металла удельного сопротивления ρ и температурного коэффициента сопротивления β в широком диапазоне толщин пленок трактуются с помощью теоретических квазиклассических и квантовых моделей явлений переноса заряда в образцах ограниченных размеров. Параметры переноса заряда в металлических пленках вычислены в рамках теорий классического и внутреннего размерных эффектов.
The resistivity ρ and the temperature coefficient of resistivity β dependences
on thin films thickness are investigated experimentally. The experiment
showed that ρ and β possess size dependence. The experimental results for ρ are
interpreted within the scope of the inhomogeneous cross-section polycrystalline-
film model size-effect theories. The grain-boundary scattering is explained
within the framework of the Mayadas—Shatzkes and Tellier—Tosser—
Pichard theories. The electron-transport parameters for thin films are calculated
within the scope of the classical size effect. As shown, a value of the coefficient of charge-carrier grain-boundary transmission, t, do not depend on
temperature in the range from 78 K to 370 K and surfactants under layers. The
average amplitude of one-dimensional surface asperities, h, is estimated by
means of the results of electrical measurements and shows good correlation
with crystallite-size (D) data. The Sb, Ge or Si surfactant sublayers (of massive
thickness less than 6 nm) hasten the Cu, Au and Ag films metallization. The
calculations of electronic band structure of Cu, Au and Ag films show that
films with thickness more than 5—6 atom layers have the same electronic band
structure as bulk metal samples. The experimental results are explained within
the framework of the classical and quantum size-effect theories. Generalized
conclusion about electron transport in thin metal films for a wide thickness
range is made. The ballistic electron transport in ultrathin metal films is explained
within the scope of the Fishman—Calecki theory.
|
| first_indexed | 2025-11-24T15:58:08Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-72617 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-24T15:58:08Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Шпак, А.П. Бігун, Р.І. Стасюк, З.В. Куницький, Ю.А. 2014-12-26T22:37:52Z 2014-12-26T22:37:52Z 2010 Структура та електропровідність ультратонких плівок міді, золота та срібла / А.П. Шпак, Р.І. Бігун, З.В. Стасюк, Ю.А. Куницький // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2010. — Т. 8, № 2. — С. 339-388. — Бібліогр.: 115 назв. — укр. 1816-5230 PACS numbers: 68.35.Ct, 68.37.-d, 68.55.J-, 72.10.Fk, 73.23.Ad, 73.25.+i, 73.50.Bk https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/72617 Вивчено вплив поверхневого та зерномежового розсіяння носіїв струму на перенесення заряду в плівках Cu, Au та Ag в умовах надвисокого вакууму при тиску залишкових газів Рз ≤ 10⁻⁷ Па. Досліджено вплив сурфактантних підшарів Sb, Ge та Si на структуру та кінетичні коефіцієнти тонких плівок Cu, Au та Ag. Залежності від товщини шару питомого опору ρ, температурного коефіцієнта опору β в широкому діяпазоні товщин (d = 2—70 нм) плівок тлумачаться на основі теоретичних моделів квазикласичних та квантових кінетичних явищ у зразках обмежених розмірів. Виконано розрахунок зонної структури ультратонких плівок Cu, Au та Ag. Виявлено, що для плівок досліджуваних металів товщиною, більшою за 5—6 атомових шарів, зонна енергетична структура близька до зонної енергетичної структури масивного
 зразка металу. Розмірні залежності електропровідности ультратонких плівок (товщиною 2—8 нм) досліджуваних металів пояснено за допомогою квантових теорій балістичного перенесення заряду. Параметри перенесення заряду в плівках металів розраховано в рамках моделів класичного та внутрішнього розмірних ефектів. Изучено влияние поверхностного и зернограничного рассеяния носителей тока на перенос заряда в ультратонких пленках Cu, Au и Ag в условиях сверхвысокого вакуума при давлении остаточных газов, не превышающем Рост ≤ 10⁻⁷ Па. Исследовано влияние сурфактантных подслоев Sb, Ge и Si на структуру и кинетические коэффициенты тонких пленок Cu, Au и Ag. Зависимости от толщины пленки металла удельного сопротивления ρ и температурного коэффициента сопротивления β в широком диапазоне толщин пленок трактуются с помощью теоретических квазиклассических и квантовых моделей явлений переноса заряда в образцах ограниченных размеров. Параметры переноса заряда в металлических пленках вычислены в рамках теорий классического и внутреннего размерных эффектов. The resistivity ρ and the temperature coefficient of resistivity β dependences
 on thin films thickness are investigated experimentally. The experiment
 showed that ρ and β possess size dependence. The experimental results for ρ are
 interpreted within the scope of the inhomogeneous cross-section polycrystalline-
 film model size-effect theories. The grain-boundary scattering is explained
 within the framework of the Mayadas—Shatzkes and Tellier—Tosser—
 Pichard theories. The electron-transport parameters for thin films are calculated
 within the scope of the classical size effect. As shown, a value of the coefficient of charge-carrier grain-boundary transmission, t, do not depend on
 temperature in the range from 78 K to 370 K and surfactants under layers. The
 average amplitude of one-dimensional surface asperities, h, is estimated by
 means of the results of electrical measurements and shows good correlation
 with crystallite-size (D) data. The Sb, Ge or Si surfactant sublayers (of massive
 thickness less than 6 nm) hasten the Cu, Au and Ag films metallization. The
 calculations of electronic band structure of Cu, Au and Ag films show that
 films with thickness more than 5—6 atom layers have the same electronic band
 structure as bulk metal samples. The experimental results are explained within
 the framework of the classical and quantum size-effect theories. Generalized
 conclusion about electron transport in thin metal films for a wide thickness
 range is made. The ballistic electron transport in ultrathin metal films is explained
 within the scope of the Fishman—Calecki theory. uk Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Структура та електропровідність ультратонких плівок міді, золота та срібла Structure and Electroconductivity of Ultrathin Films of Copper, Gold, and Silver Article published earlier |
| spellingShingle | Структура та електропровідність ультратонких плівок міді, золота та срібла Шпак, А.П. Бігун, Р.І. Стасюк, З.В. Куницький, Ю.А. |
| title | Структура та електропровідність ультратонких плівок міді, золота та срібла |
| title_alt | Structure and Electroconductivity of Ultrathin Films of Copper, Gold, and Silver |
| title_full | Структура та електропровідність ультратонких плівок міді, золота та срібла |
| title_fullStr | Структура та електропровідність ультратонких плівок міді, золота та срібла |
| title_full_unstemmed | Структура та електропровідність ультратонких плівок міді, золота та срібла |
| title_short | Структура та електропровідність ультратонких плівок міді, золота та срібла |
| title_sort | структура та електропровідність ультратонких плівок міді, золота та срібла |
| topic | |
| topic_facet | |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/72617 |
| work_keys_str_mv | AT špakap strukturataelektroprovídnístʹulʹtratonkihplívokmídízolotatasríbla AT bígunrí strukturataelektroprovídnístʹulʹtratonkihplívokmídízolotatasríbla AT stasûkzv strukturataelektroprovídnístʹulʹtratonkihplívokmídízolotatasríbla AT kunicʹkiiûa strukturataelektroprovídnístʹulʹtratonkihplívokmídízolotatasríbla AT špakap structureandelectroconductivityofultrathinfilmsofcoppergoldandsilver AT bígunrí structureandelectroconductivityofultrathinfilmsofcoppergoldandsilver AT stasûkzv structureandelectroconductivityofultrathinfilmsofcoppergoldandsilver AT kunicʹkiiûa structureandelectroconductivityofultrathinfilmsofcoppergoldandsilver |