Возникновение резонансных эффектов в многослойных тонкопленочных структурах с высокой пространственной дисперсией

Для многослойной тонкопленочной структуры с высокой пространственной дисперсией теоретически рассчитано пространственное распределение электрического поля. Рассмотрены механизмы возникновения эффекта суперпризмы в структуре. Показано, что в тонкопленочных структурах возможно образование резонаторов...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Date:	2010
Main Authors:	Онищук, В.Н., Первак, Ю.А.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2010
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/73133
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Возникновение резонансных эффектов в многослойных тонкопленочных структурах с высокой пространственной дисперсией / В.Н. Онищук, Ю.А. Первак // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2010. — Т. 8, № 3. — С. 593-602. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

_version_	1860242493044424704
author	Онищук, В.Н. Первак, Ю.А.
author_facet	Онищук, В.Н. Первак, Ю.А.
citation_txt	Возникновение резонансных эффектов в многослойных тонкопленочных структурах с высокой пространственной дисперсией / В.Н. Онищук, Ю.А. Первак // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2010. — Т. 8, № 3. — С. 593-602. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
collection	DSpace DC
container_title	Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
description	Для многослойной тонкопленочной структуры с высокой пространственной дисперсией теоретически рассчитано пространственное распределение электрического поля. Рассмотрены механизмы возникновения эффекта суперпризмы в структуре. Показано, что в тонкопленочных структурах возможно образование резонаторов группами слоев. Для багатошарової тонкоплівкової структури з високою просторовою дисперсією теоретично розраховано просторовий розподіл електричного поля. Розглянуто механізми виникнення ефекту суперпризми в структурі. Показано, що в тонкоплівкових структурах можливе утворення резонаторів групами шарів. For thin-film multilayer structure with high spatial dispersion, the spatial electric-field distribution is calculated theoretically. Mechanisms of an origin of the superprism effect in this structure are considered. As shown, the formation of resonators by groups of layers is possible.
first_indexed	2025-12-07T18:31:14Z
format	Article
fulltext	593 PACS numbers: 42.70.Qs, 42.79.Bh, 42.79.Wc, 78.20.-e, 78.67.Pt Возникновение резонансных эффектов в многослойных тонкопленочных структурах с высокой пространственной дисперсией В. Н. Онищук, Ю. А. Первак Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, просп. Акад. Глушкова, 4, 03022 Киев, Украина Для многослойной тонкопленочной структуры с высокой простран- ственной дисперсией теоретически рассчитано пространственное рас- пределение электрического поля. Рассмотрены механизмы возникнове- ния эффекта суперпризмы в структуре. Показано, что в тонкопленоч- ных структурах возможно образование резонаторов группами слоев. Для багатошарової тонкоплівкової структури з високою просторовою дисперсією теоретично розраховано просторовий розподіл електричного поля. Розглянуто механізми виникнення ефекту суперпризми в струк- турі. Показано, що в тонкоплівкових структурах можливе утворення резонаторів групами шарів. For thin-film multilayer structure with high spatial dispersion, the spatial electric-field distribution is calculated theoretically. Mechanisms of an origin of the superprism effect in this structure are considered. As shown, the formation of resonators by groups of layers is possible. Ключевые слова: тонкопленочная структура, эффект суперпризмы, пространственная дисперсия, пространственное смещение. (Получено 8 сентября 2010 г.) 1. ВВЕДЕНИЕ В искусственных структурах, созданных из диэлектрических мате- риалов, известных как многослойные тонкопленочные структуры, может проявляться пространственная дисперсия, которая во много раз превышает дисперсию обычных материалов, из которых они со- Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies 2010, т. 8, № 3, сс. 593—602 © 2010 ІМФ (Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України) Надруковано в Україні. Фотокопіювання дозволено тільки відповідно до ліцензії 594 В. Н. ОНИЩУК, Ю. А. ПЕРВАК зданы. Пространственное расщепление полихроматических лучей с помощью таких структур намного больше, чем в дифракционных решетках и обычных призмах, поэтому это явление высокой про- странственной дисперсии так же имеет название эффекта супер- призмы [1—3]. Оптические свойства таких структур позволяют изго- товить компактные устройства для многоканальной частотной се- лекции путем пространственного расщепления, а так же устройства для компенсации временной дисперсии и для управления пучками света. Подобные устройства могут применяться в будущих интегри- рованных фотонных системах и системах оптической связи. Предыдущие исследования показали, что в периодической струк- туре (одномерный фотонный кристалл), а также в структуре с полу- волновым слоем (резонатором) эффект суперпризмы проявляется в узких спектральных диапазонах и имеет нелинейный характер зави- симости от длины волны [4]. Невозможность достижения линейной зависимости в подобных структурах можно объяснить малым коли- чеством параметров, которые можно варьировать при разработке структуры. Так же в спектральных интервалах, в которых существу- ет высокая пространственная дисперсия, коэффициент отражения довольно низкий, то есть, существуют значительные потери интен- сивности излучения. Нелинейная зависимость пространственного сдвига от длины волны, узкий диапазон, в котором проявляется эф- фект суперпризмы, а также большие потери интенсивности излуче- ния делают такие структуры малоинтересными с точки зрения прак- тического применения. В структурах с несколькими резонаторами и чирпованных зеркалах [5—13], которые являются одним из ключе- вых элементов фемтосекундных лазеров, удается достичь высокой пространственной дисперсии в более широком спектральном диапа- зоне, и избежать потерь интенсивности излучения при отражении [4]. С практической точки зрения важно иметь возможность скон- струировать тонкопленочную структуру с заданными характери- стиками. Необходимость более эффективного пространственного расщепления полихроматических лучей стимулирует усовершен- ствование методов разработки структур [14, 15]. Усовершенствова- ние процедур разработки и оптимизации структур с нужной про- странственной дисперсией сыграет важную роль при конструиро- вании структур с временной дисперсией. Были предложены неко- торые эмпирические модели для оценки параметров многослойной структуры, которая обеспечивает получение нужной простран- ственной дисперсии [16]. Однако существуют структуры, в которых значения пространственного сдвига или величины спектрального интервала существенно превышают рассчитанные с помощью этих моделей [13]. Рассмотрение процессов, характеризующих распро- странение излучения внутри структуры, будет содействовать усо- вершенствованию методов разработки структур с заданными ха- РЕЗОНАНСНЫЕ ЭФФЕКТЫ В МНОГОСЛОЙНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУРАХ 595 рактеристиками. Цель настоящей работы заключалась в расчете и анализе распре- деления электрического поля излучения в структуре с характерной высокой пространственной и временной дисперсией, а также выяс- нение роли различных механизмов возникновения этой высокой дисперсии. 2. РАСЧЕТ При заданных параметрах многослойной структуры (q – число слоев; nr – показатель преломления; kr – коэффициент экстинк- ции; dr – толщина r-го слоя, nm и km – оптические постоянные под- ложки, n0 и k0 – оптические постоянные внешней среды, θ0 – угол падения) легко рассчитываются матричным методом [17] спектр отражения R(λ), изменение фазы при отражении ϕ(λ) и групповая задержка GD: * 0 0 0 0 B C B C R B C B C    η − η − =    η + η +    , (1) ( ) ( )2 0 0 tg Im CB BC BB CC∗ ∗ ∗ ∗ φ = η − η −  , (2) 2 2 d d GD d c d φ λ φ= − = ω π λ . (3) Пространственное смещение s(λ) прямо пропорционально вели- чине групповой задержки и групповой скорости vgx: .gxs GDv= (4) Групповую скорость можно определить в соответствии с прибли- жением ВКБ [18, 19]: 2 appr const 1 sin eff gx K n v c = ∂β = = ∂ω θ  , (5) где { } { } 1 2 2 2 2 2 1 2 2 2 sin sin i i i i eff i i i n d n n d n  − θ  =  − θ    . (6) При этом характеристическая матрица ансамбля тонких пленок имеет вид: 596 В. Н. ОНИЩУК, Ю. А. ПЕРВАК ( ) 1 1cos sin sin cos q r r r r mr r r B i C i=   δ δ η    =         ηη δ δ      ∏ , (7) где ( )2 cos r r r r N dδ = π θ λ – фазовая толщина слоя (пленки), , , , cosr m vac r m r mNη = χ θ для ТЕ-волны, , , , cosr m vac r m r mNη = χ θ для ТМ- волны, 32,6544 10vac S−χ = ⋅ , λ – длина волны, r r r N n ik= − – ком- плексный показатель преломления r-го слоя; η0 – оптическая про- водимость внешней среды, c = 3⋅108 м/с – скорость света. Значения углов θr определяются законом Снеллиуса: 0 0 sin sin sinr r m mN N Nθ = θ = θ . (8) С помощью матричного метода можно получить соотношения для амплитуды электрического поля. Такое соотношение для границы раздела i и i + 1 слоя имеет вид: ( )0 10 cos sin sin cos i ir r r r ir r r E Ei H Hi=   δ δ η    =       η δ δ       ∏ , (9) где E0, H0 – амплитуды электрического и магнитного полей на гра- нице раздела структуры и внешней среды; Ei, Hi – амплитуды на искомой границе раздела. Таким образом, нахождение амплитуды электрического поля на любой границе раздела пленок сводится к решению матричного уравнения. Для определения величины элек- трического поля в любой точке внутри пленки, можно ввести мни- мую границу раздела и записать такое же матричное соотношение. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ На рисунке 1, а показано изменение оптических толщин в зависи- мости от номера слоя в структуре. Структура образована чередова- нием слоев Nb2O5 и SiO2. Последний слой из Nb2O5 граничит с возду- хом, первый из SiO2 находится на подложке из оптического стекла. Оптические толщины большинства слоев близки λ0/4 на длине вол- ны λ0 = 1550 нм (рис. 1, а). При этом физические толщины слоев Nb2O5 порядка 180 нм, а слоев SiO2 – 294 нм. Минимальная толщи- на слоя в структуре равна 6,37 нм (185 слой). В структуре всего один слой, оптическая толщина которого близка λ0/2. Этот 135 слой име- ет толщину 574,6 нм (оптическая толщина 2,17 λ0/4). Отражение структуры показано на рис. 1, б. Минимальное отражение равно 99,61% на длине волны 1554 нм. В структуре – всего один явно выраженный полуволновой резонатор, образованный 135 слоем, и 9 могут быть образованы группами слоев. При расчете спектральных характеристик многослойной струк- РЕЗОНАНСНЫЕ ЭФФЕКТЫ В МНОГОСЛОЙНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУРАХ 597 туры и амплитуды электрического поля учитывалась дисперсия вы- бранных материалов пленок. Для описания дисперсии материалов использовали формулу Коши. Показатель преломления определяет- ся по формуле: nL = 1,46 + (3,35⋅10 −3/λ2) + (1,41⋅10 −5/λ4) для оксида кремния и nH = 2,22 + (2,18⋅10 −2/λ2) + (4⋅10 −3/λ4) для оксида ниобия, где λ – длина волны в микронах. Дисперсия показателя преломле- ния подложки учтена: nS = 1,50 + (5,33⋅10 −3/λ2) + (4,92⋅10 −4/λ4). Рас- чет выполнялся для угла падения θ = 40° и p-поляризованного излу- чения в спектральном диапазоне 1500—1570 нм. Экстинкция пле- нок и подложки в данном спектральном диапазоне, не превышает 10 −5, и в расчетах не учитывалась. Структура характеризуется высокой пространственной диспер- сией в спектральном диапазоне 1500—1570 нм. Зависимость про- странственного смещения от длины волны носит линейный харак- тер, более того, в данном спектральном диапазоне структура харак- теризуется высоким коэффициентом отражения, что делает струк- туру привлекательной с точки зрения практического применения (рис. 1, б). Известно несколько механизмов возникновения высокой про- странственной дисперсии. В периодических структурах (одномер- ных фотонных кристаллах) высокая пространственная дисперсия на краях запрещенной зоны возникает благодаря тому, что группо- вая и фазовая скорость в этих спектральных диапазонах сильно за- висят от длины волны. Так же возможно возникновение простран- ственной дисперсии в тонкопленочных структурах вследствие зави- симой от длины волны глубины проникновения волны в структуру, или же зависимой от длины волны величины накопленной энергии в структуре [3]. оп ти че ск ая т ол щ ин а, в е д. λ 0/4 номер слоя 0 40 80 120 160 200 0 1 2 Íîìåð ñëîÿ Î ï òè ÷ åñ ê àÿ ò îë ù è í à, â å ä . λ 0 /4 λ 1500 1540 λλ, íì 0,996 0,998 1,000 R s, ìêì 0 100 200 а б Рис. 1. Изменение оптических толщин слоев (а), спектральные зависи- мости отражения и пространственного смещения (б). 598 В. Н. ОНИЩУК, Ю. А. ПЕРВАК В исследуемом спектральном диапазоне было рассчитано распре- деление электрического поля в структуре (рис. 2). Поле на границе раздела структуры с внешней средой принято за единицу. В структуре присутствует всего один слой, оптическая толщина которого близка к полуволновой. Наличие таких слоев в структуре, за счет многократных отражений внутри слоя, приводит к эффекту резонансного накопления энергии внутри слоя (простейшим при- мером структуры с резонатором является фильтр Фабри—Перо). Амплитуда электрического поля в таких слоях существенно увели- чивается и значительно превышает амплитуду поля на границе раздела структуры с внешней средой. Характер распределения поля в полуволновых слоях зависит от показателя преломления слоя; если полуволновой слой имеет показатель преломления ниже чем в соседних с ним слоях, то амплитуда поля минимальна на границах раздела и максимальна посредине слоя, и наоборот, в случае опти- чески более плотного полуволнового слоя, чем соседние слои, ам- плитуда минимальна посредине слоя и максимальна на границах раздела. Эффект резонансного накопления энергии в тонкопленоч- ной структуре приводит к возникновению высокой пространствен- ной дисперсии. Однако в исследуемой структуре возрастание амплитуды элек- трического поля наблюдается и в других областях структуры. Эти области совпадают со слоями, оптическая толщина которых значи- тельно меньше четверти волны. В данном случае резонатор образу- ется группой из трех слоев с центральным тонким слоем. Суммар- λλ = 1560 íì λλ = 1540 íì λλ = 1520 íì λλ = 1500 íì 600 4020 D, ìêì 0 1 2 600 4020 D, ìêì 0 1 2 0 1 2 0 3 6 0 5 10 4 n d /λ 0 \|E \|2 , â å ä . \|E 0 \|2 Рис. 2. Распределение электрического поля для четырех длин волн и изме- нение оптических толщин слоев в зависимости от глубины проникновения D в структуру (отсчет начинается от границы раздела воздух—структура). РЕЗОНАНСНЫЕ ЭФФЕКТЫ В МНОГОСЛОЙНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУРАХ 599 ная оптическая толщина каждой из таких групп так же примерно равна половине длины волны, что соответствует условию возникно- вения резонанса. Характер распределения электрического поля внутри резонато- ров, которые образуются тремя слоями, отличается от распределе- ния поля внутри резонаторов из полуволновых слоев. Вследствие того, что оптическая толщина центрального слоя такого резонатора намного меньше длины волны, распределение поля внутри такого слоя не испытывает каких либо значительных изменений. Кроме того, распределение поля внутри таких резонаторов зависит от по- казателя преломления крайних слоев. Если центральный слой име- ет более низкий показатель преломления, чем соседние слои, то ми- нимальное электрическое поле оказывается в центре резонатора, в случае если центральный слой оптически более плотный – мини- мальное поле на краях резонатора. Для иллюстрации сказанного на рис. 3 приведено в увеличенном масштабе распределение электри- ческого поля для четырех длин волн (1500, 1520, 1540, 1560 нм) в некоторых областях структуры. На этом же рисунке показан про- филь изменения оптической толщины слоев. Специфичность расположения резонаторов внутри структуры приводит к эффекту зависимой от длины волны глубины проникно- вения электромагнитного излучения в структуру. Поэтому часть полученного высокого пространственного смещения объясняется тем, что более длинные волны проникают в структуру глубже, нежели короткие волны исследуемого спектрального интервала. 1 2 3 4 D, ìêì 4 n d /λ 0 \|E \|2 , â å ä . \|E 0 \|2 Рис. 3. Распределение электрического поля для четырех длин волн (1 – 1560 нм; 2 – 1540 нм; 3 – 1520 нм; 4 – 1500 нм) и профиль измене- ния оптической толщины. 600 В. Н. ОНИЩУК, Ю. А. ПЕРВАК Таким образом, присутствие резонаторов в структуре, которые при- водят к эффекту зависимой от длины волны величины накопленной энергии, и специфичное их размещение, вследствие чего возникает эффект зависимой от длины волны глубины проникновения волн в структуру, есть основными причинами возникновения высокой пространственной дисперсии. Надо отметить, что реализация исследуемой многослойной струк- туры требует высокой точности нанесения отдельных слоев структу- ры, особенно последних 10, граничащих с воздухом. Это хорошо видно на рис. 4, а, где показана относительная чувствительность структуры к ошибкам в толщине слоев. На рисунке 4, б приведены результаты анализа влияния ошибок в нанесении отдельных слоев структуры. На этом рисунке максимальные отклонения групповой задержки GD и пространственного смещения s ограничены кривыми 1 и 4, которые соответствуют наихудшей комбинации ошибок в тол- щине отдельных слоев в приближении, что ошибка по толщине каж- дого слоя равна ±1 нм. Кривая 2 соответствует среднему арифметиче- скому из 100 кривых, каждая из которых соответствует случайной комбинации ошибок на ±1 нм в толщине отдельных слоев. Кривая 3 соответствует рассчитанной групповой задержке GD для исследо- ванной структуры при оптимальных толщинах отдельных слоев. 4. ЗАКЛЮЧЕНИЕ Линейная зависимость пространственного смещения от длины вол- ны, а так же высокий коэффициент отражения в заданном спек- тральном диапазоне делает исследуемую структуру привлекательной 190180 200 100 80 60 40 20 0 Íîìåð ñëîÿ Î òí . ÷ ó âñ òâ ., % 15401520 1560 4000 3000 2000 1000 0 1 2 3 4 GD, ôñ λ, íì а б Рис. 4. Относительная чувствительность слоев к ошибкам (а) и анализ ошибок в структуре (б). Нумерация слоев начинается от границы разде- ла подложка – многослойная структура. РЕЗОНАНСНЫЕ ЭФФЕКТЫ В МНОГОСЛОЙНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУРАХ 601 с точки зрения практического применения, в частности как устрой- ство многоканальной частотной селекции. Величина пространствен- ного смещения существенно превышает рассчитанную величину с помощью эмпирической модели, которая позволяет определять па- раметры структур для достижения необходимой пространственной или временной дисперсии. Однако нельзя утверждать, что величина пространственного смещения для данной структуры является мак- симально возможной, а методы конструирования и оптимизации, с помощью которых получена исследуемая структура являются со- вершенными. Дальнейшее усовершенствование методов разработки и оптимизации позволит получать необходимые характеристики в бо- лее компактных структурах с меньшим количеством слоев. Характер распределения амплитуды электрического поля волны внутри структуры позволяет сделать заключение о том, что причи- нами возникновения высокой пространственной дисперсии являет- ся одновременное проявление эффектов зависимых от длины волны глубины проникновения электрического поля в структуру и вели- чины накопленной энергии внутри структуры. Эффект зависимой от длины волны величины накопленной энер- гии возникает благодаря тому, что в структуре присутствует один слой с оптической толщиной близкой к половине длины волны для данного спектрального диапазона, а также благодаря наличию слоев с оптической толщиной значительно меньшей, чем четверть волны. В последнем случае распределение амплитуды поля в тонких слоях не претерпевает заметных изменений. Таким образом, в структурах об- разуются резонаторы группами из трех слоев с центральными тонки- ми слоями. При прохождении таких резонаторов излучение претер- певает такие же изменения, как и при прохождении некоего эквива- лентного полуволнового слоя. Характер распределения поля в резо- наторах определяется показателем преломления слоя в полуволно- вых резонаторах, а в резонаторах из трех слоев с центральным тон- ким слоем – показателем преломления крайних слоев резонатора. Следует отметить, что наличие поглощения в материалах слоев, образующих резонатор приводит к существенному снижению интен- сивности отраженного излучения, что связано с многократными от- ражениями внутри резонатора. Кроме того, при изготовлении подоб- ной структуры необходимы материалы резонаторов с высокой луче- вой прочностью. Поэтому желательно при оптимизации добиваться как можно меньшего возрастания амплитуды электрического поля внутри резонаторов без значительных ухудшений спектральных ха- рактеристик структуры. ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА 1. J. D. Joannopoulos, R. D. Meade, and J. N. Winn, Photonic Crystals (Prince- 602 В. Н. ОНИЩУК, Ю. А. ПЕРВАК ton: Princeton University Press: 1995). 2. R. Zengerle, J. Mod. Opt., 34: 1589 (1987). 3. M. Gerken and D. A. B. Miller, Appl. Opt., 42: 1330 (2003). 4. Yu. O. Pervak, V. M. Onishchuk, and V. Yu. Pervak, SPQEO, 11, No. 4: 345 (2008). 5. R. Szipo, K. Ferencz, C. Spielmann, and F. Krausz, Opt. Lett., 19: 201 (1994). 6. P. Tournois and P. Hartemann, Opt. Commun., 119: 569 (1995). 7. V. Pervak, I. Ahmad, M. K. Trubetskov, A. V. Tikhonravov, and F. Krausz, Opt. Express, 17, Issue 10: 7943 (2009). 8. V. Pervak, I. Ahmad, J. Fulop, M. K. Trubetskov, and A. V. Tikhonravov, Opt. Express, 17, Issue 4: 2207 (2009). 9. M. Trubetskov, A. Tikhonravov, and V. Pervak, Opt. Express, 16, Issue 25: 20637 (2008). 10. V. Pervak, C. Teisset, A. Sugita, S. Naumov, F. Krausz, and A. Apolonski, Opt. Express, 16, Issue 14: 10220 (2008). 11. V. Pervak, F. Krausz, and A. Apolonski, Proc. SPIE., 7101: 710116 (2008). 12. V. Yu. Pervak, V. O. Telyatnikov, and Yu. O. Pervak, SPQEO, 11, No. 2: 154 (2008). 13. Yu. O. Pervak and V. Yu. Pervak, Bulletin of University of Kyiv, Series: Physics & Mathematics, No. 4: 226 (2008). 14. N. Matuschek, F. X. Kärtner, and U. Keller, IEEE J. Quantum Electron, 35: 129 (1999). 15. B. Momeni and A. Adibi, Appl. Phys., B77: 555 (2003). 16. M. Gerken and D. A. B. Miller, Appl. Opt., 44, No. 16: 3349 (2005). 17. H. A. MacLeod, Thin-Film Optical Filters (Philadelphia: Inst. Phys. Publish.: 2001), vol. 2, p. 645. 18. N. Matuschek, F. X. Kärtner, and U. Keller, IEEE J. Quantum Electron, 33: 295 (1997). 19. M. Sumetsky, B. J. Eggleton, and C. M. de Sterke, Opt. Express, 10: 332 (2002).
id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-73133
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn	1816-5230
language	Russian
last_indexed	2025-12-07T18:31:14Z
publishDate	2010
publisher	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
record_format	dspace
spelling	Онищук, В.Н. Первак, Ю.А. 2015-01-05T14:47:14Z 2015-01-05T14:47:14Z 2010 Возникновение резонансных эффектов в многослойных тонкопленочных структурах с высокой пространственной дисперсией / В.Н. Онищук, Ю.А. Первак // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2010. — Т. 8, № 3. — С. 593-602. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 42.70.Qs, 42.79.Bh, 42.79.Wc, 78.20.-e, 78.67.Pt https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/73133 Для многослойной тонкопленочной структуры с высокой пространственной дисперсией теоретически рассчитано пространственное распределение электрического поля. Рассмотрены механизмы возникновения эффекта суперпризмы в структуре. Показано, что в тонкопленочных структурах возможно образование резонаторов группами слоев. Для багатошарової тонкоплівкової структури з високою просторовою дисперсією теоретично розраховано просторовий розподіл електричного поля. Розглянуто механізми виникнення ефекту суперпризми в структурі. Показано, що в тонкоплівкових структурах можливе утворення резонаторів групами шарів. For thin-film multilayer structure with high spatial dispersion, the spatial electric-field distribution is calculated theoretically. Mechanisms of an origin of the superprism effect in this structure are considered. As shown, the formation of resonators by groups of layers is possible. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Возникновение резонансных эффектов в многослойных тонкопленочных структурах с высокой пространственной дисперсией Article published earlier
spellingShingle	Возникновение резонансных эффектов в многослойных тонкопленочных структурах с высокой пространственной дисперсией Онищук, В.Н. Первак, Ю.А.
title	Возникновение резонансных эффектов в многослойных тонкопленочных структурах с высокой пространственной дисперсией
title_full	Возникновение резонансных эффектов в многослойных тонкопленочных структурах с высокой пространственной дисперсией
title_fullStr	Возникновение резонансных эффектов в многослойных тонкопленочных структурах с высокой пространственной дисперсией
title_full_unstemmed	Возникновение резонансных эффектов в многослойных тонкопленочных структурах с высокой пространственной дисперсией
title_short	Возникновение резонансных эффектов в многослойных тонкопленочных структурах с высокой пространственной дисперсией
title_sort	возникновение резонансных эффектов в многослойных тонкопленочных структурах с высокой пространственной дисперсией
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/73133
work_keys_str_mv	AT oniŝukvn vozniknovenierezonansnyhéffektovvmnogosloinyhtonkoplenočnyhstrukturahsvysokoiprostranstvennoidispersiei AT pervakûa vozniknovenierezonansnyhéffektovvmnogosloinyhtonkoplenočnyhstrukturahsvysokoiprostranstvennoidispersiei

Возникновение резонансных эффектов в многослойных тонкопленочных структурах с высокой пространственной дисперсией

Institution

Similar Items