О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник—вакуум—металл
В рамках метода диэлектрического формализма для системы трёх сред с пространственной дисперсией рассчитан суммарный электростатический потенциал Vi(x) в системе полупроводник—вакуум—металл (ПВМ), учитывающий зарядовое состояние поверхностей полупроводника и металла до контакта. Показано, что непреры...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2011
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/73210 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник—вакуум—металл / Л.Г. Ильченко, В.В. Ильченко, В.В. Лобанов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 1. — С. 55-65. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862709559681875968 |
|---|---|
| author | Ильченко, Л.Г. Ильченко, В.В. Лобанов, В.В. |
| author_facet | Ильченко, Л.Г. Ильченко, В.В. Лобанов, В.В. |
| citation_txt | О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник—вакуум—металл / Л.Г. Ильченко, В.В. Ильченко, В.В. Лобанов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 1. — С. 55-65. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | В рамках метода диэлектрического формализма для системы трёх сред с пространственной дисперсией рассчитан суммарный электростатический потенциал Vi(x) в системе полупроводник—вакуум—металл (ПВМ), учитывающий зарядовое состояние поверхностей полупроводника и металла до контакта. Показано, что непрерывность потенциала Vi(x, ΔΦ) при переходе системы ПВМ в контакт может быть сохранена при условии образования двойного электрического слоя (ДЭС) и перераспределения плотностей заряда на границах раздела в соответствии с контактной разницей потенциалов ΔΦ и толщиной ДЭС L. Независимость распределения зарядового потенциала в полупроводнике ΔV₁σ(x, ΔΦ) от L при формировании выпрямляющего контакта обусловливает стабильность высоты h(ΔΦ) = ΔV₁σ (x = 0, ΔΦ) запорного слоя во всей плоскости контакта, тогда как высота потенциального барьера V₂ (x, ΔΦ) внутри вакуумной щели увеличивается с увеличением L в соответствии с распределением потенциала сил изображения V₂0(x) в ней.
У рамках методи діелектричного формалізму для системи трьох середовищ з просторовою дисперсією розраховано сумарний електростатичний потенціял Vi(x) у системі напівпровідник—вакуум—метал (НВМ), що враховує зарядовий стан поверхонь напівпровідника і металу до контакту. Показано, що неперервність потенціялу Vi(x, ΔΦ) при переході системи НВМ у контакт може бути збереженою за умови створення подвійного електричного шару (ПЕШ) і перерозподілу густин заряду на роздільчій межі відповідно до контактної ріжниці потенціялів ΔΦ і товщини ПЕШ L. Незалежність розподілу зарядового потенціялу в напівпровіднику від L при формуванні випростувального контакту обумовлює стабільність висоти h(ΔΦ) = ΔV₁σ(x = 0, ΔΦ) запірного шару у всій площині контакту, тоді як висота потенціяльного бар’єру всередині вакуумної щілини збільшується зі збільшенням L відповідно до розподілу потенціялу сил зображення V₂⁰(x) у ній.
Within the scope of the dielectric formalism for three media with spatial dispersion, the total electrostatic potential, Vi(x), in the semiconductor—vacuum—metal (SVM) system is calculated and takes into account the charge state of the semiconductor and metal surfaces before contact. As shown, the continuity of the potential ΔV₁σ(x, ΔΦ) when joining the SVM system can be maintained under the condition of formation of the electrical double layer (EDL) and redistribution of charge densities on interfaces
in accordance with the contact potential difference, ΔΦ, and DES thickness, L. Independence of the distribution of charge potential within the semiconductor on L during formation of the rectifying contact determines the stability of the height of a barrier layer over the whole plane of the contact, while the potential barrier within the vacuum slot increases with L according to the distribution of the image forces potential, V₂⁰(x), within
the slot.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:17:52Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-73210 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:17:52Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ильченко, Л.Г. Ильченко, В.В. Лобанов, В.В. 2015-01-06T14:58:43Z 2015-01-06T14:58:43Z 2011 О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник—вакуум—металл / Л.Г. Ильченко, В.В. Ильченко, В.В. Лобанов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 1. — С. 55-65. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 73.23.Hk, 73.30.+y, 73.40.Qv, 73.63.Rt, 81.07.Lk, 85.30.-z, 85.35.-p https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/73210 В рамках метода диэлектрического формализма для системы трёх сред с пространственной дисперсией рассчитан суммарный электростатический потенциал Vi(x) в системе полупроводник—вакуум—металл (ПВМ), учитывающий зарядовое состояние поверхностей полупроводника и металла до контакта. Показано, что непрерывность потенциала Vi(x, ΔΦ) при переходе системы ПВМ в контакт может быть сохранена при условии образования двойного электрического слоя (ДЭС) и перераспределения плотностей заряда на границах раздела в соответствии с контактной разницей потенциалов ΔΦ и толщиной ДЭС L. Независимость распределения зарядового потенциала в полупроводнике ΔV₁σ(x, ΔΦ) от L при формировании выпрямляющего контакта обусловливает стабильность высоты h(ΔΦ) = ΔV₁σ (x = 0, ΔΦ) запорного слоя во всей плоскости контакта, тогда как высота потенциального барьера V₂ (x, ΔΦ) внутри вакуумной щели увеличивается с увеличением L в соответствии с распределением потенциала сил изображения V₂0(x) в ней. У рамках методи діелектричного формалізму для системи трьох середовищ з просторовою дисперсією розраховано сумарний електростатичний потенціял Vi(x) у системі напівпровідник—вакуум—метал (НВМ), що враховує зарядовий стан поверхонь напівпровідника і металу до контакту. Показано, що неперервність потенціялу Vi(x, ΔΦ) при переході системи НВМ у контакт може бути збереженою за умови створення подвійного електричного шару (ПЕШ) і перерозподілу густин заряду на роздільчій межі відповідно до контактної ріжниці потенціялів ΔΦ і товщини ПЕШ L. Незалежність розподілу зарядового потенціялу в напівпровіднику від L при формуванні випростувального контакту обумовлює стабільність висоти h(ΔΦ) = ΔV₁σ(x = 0, ΔΦ) запірного шару у всій площині контакту, тоді як висота потенціяльного бар’єру всередині вакуумної щілини збільшується зі збільшенням L відповідно до розподілу потенціялу сил зображення V₂⁰(x) у ній. Within the scope of the dielectric formalism for three media with spatial dispersion, the total electrostatic potential, Vi(x), in the semiconductor—vacuum—metal (SVM) system is calculated and takes into account the charge state of the semiconductor and metal surfaces before contact. As shown, the continuity of the potential ΔV₁σ(x, ΔΦ) when joining the SVM system can be maintained under the condition of formation of the electrical double layer (EDL) and redistribution of charge densities on interfaces
 in accordance with the contact potential difference, ΔΦ, and DES thickness, L. Independence of the distribution of charge potential within the semiconductor on L during formation of the rectifying contact determines the stability of the height of a barrier layer over the whole plane of the contact, while the potential barrier within the vacuum slot increases with L according to the distribution of the image forces potential, V₂⁰(x), within
 the slot. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник—вакуум—металл Formation of Rectifying Contact in Semiconductor—Vacuum—Metal System Article published earlier |
| spellingShingle | О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник—вакуум—металл Ильченко, Л.Г. Ильченко, В.В. Лобанов, В.В. |
| title | О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник—вакуум—металл |
| title_alt | Formation of Rectifying Contact in Semiconductor—Vacuum—Metal System |
| title_full | О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник—вакуум—металл |
| title_fullStr | О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник—вакуум—металл |
| title_full_unstemmed | О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник—вакуум—металл |
| title_short | О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник—вакуум—металл |
| title_sort | о формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник—вакуум—металл |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/73210 |
| work_keys_str_mv | AT ilʹčenkolg oformirovaniivyprâmlâûŝegokontaktavsistemepoluprovodnikvakuummetall AT ilʹčenkovv oformirovaniivyprâmlâûŝegokontaktavsistemepoluprovodnikvakuummetall AT lobanovvv oformirovaniivyprâmlâûŝegokontaktavsistemepoluprovodnikvakuummetall AT ilʹčenkolg formationofrectifyingcontactinsemiconductorvacuummetalsystem AT ilʹčenkovv formationofrectifyingcontactinsemiconductorvacuummetalsystem AT lobanovvv formationofrectifyingcontactinsemiconductorvacuummetalsystem |