APA (7th ed.) Citation

Батаев, М., Батаев, Ю., & Бриллсон, Л. (2011). Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов. Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Батаев, М, Ю Батаев, and Л Бриллсон. "Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы C высокой подвижностью электронов." Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології 2011.

MLA (8th ed.) Citation

Батаев, М, et al. "Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы C высокой подвижностью электронов." Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2011.

Warning: These citations may not always be 100% accurate.