Батаев, М., Батаев, Ю., & Бриллсон, Л. (2011). Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов. Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Батаев, М, Ю Батаев, und Л Бриллсон. "Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы C высокой подвижностью электронов." Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології 2011.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Батаев, М, et al. "Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы C высокой подвижностью электронов." Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2011.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.