Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si
Выполнены исследования особенностей формирования металлических наноостровков Pb на поверхности кремния методом сканирующей туннельной микроскопии. Показано, что рост наноостровков Pb на поверхности Si происходит в рамках модели Странски—Крастанова; вместе с тем формирование островков сопровождается...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2011
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/74448 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si / Д.А. Фокин, С.И. Божко, V. Dubost, F. Debontridder, А.М. Ионов, T. Cren, D. Roditchev // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 333-341. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-74448 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Фокин, Д.А. Божко, С.И. Dubost, V. Debontridder, F. Ионов, А.М. Cren, T. Roditchev, D. 2015-01-20T20:53:00Z 2015-01-20T20:53:00Z 2011 Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si / Д.А. Фокин, С.И. Божко, V. Dubost, F. Debontridder, А.М. Ионов, T. Cren, D. Roditchev // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 333-341. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 61.05.jh, 68.35.Dv, 68.37.Ef, 68.55.ag, 68.65.Fg, 81.07.St, 82.80.Pv https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/74448 Выполнены исследования особенностей формирования металлических наноостровков Pb на поверхности кремния методом сканирующей туннельной микроскопии. Показано, что рост наноостровков Pb на поверхности Si происходит в рамках модели Странски—Крастанова; вместе с тем формирование островков сопровождается их расслоением с характерным масштабом 2 нм (7 монослоёв Pb). Обнаруженное явление рассматривается в связи с минимизацией энергии в квантовых ямах, образующихся вследствие эффекта квантовой локализации, и объясняется в рамках модели электронного роста. Виконано дослідження особливостей формування металевих наноострівців Pb на поверхні кремнію методою сканівної тунельної мікроскопії. Показано, що ріст наноострівців Pb на поверхні Si відбувається в рамках моделю Странскі—Крастанова; разом з тим формування острівців супроводжується їх розшаруванням з характерним масштабом 2 нм (7 моношарів Pb). Виявлене явище розглядається в зв’язку з мінімізацією енергії в квантових ямах, які утворюються внаслідок ефекту квантової локалізації, та пояснюються в рамках моделю електронного росту. We report on Pb-islands growth on a surface of silicon. Using the scanning tunnelling microscopy, we show that, while in general the growth follows the Stranski—Krastanov scenario, the formation of Pb islands is accompanied by their lamination with a characteristic scale of two nanometers (7 monolayers of Pb). Such an effect manifests the energy minimum in quantum wells due to the quantum confinement, and it can be explained within the scope of the electronic-growth model. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si |
| spellingShingle |
Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si Фокин, Д.А. Божко, С.И. Dubost, V. Debontridder, F. Ионов, А.М. Cren, T. Roditchev, D. |
| title_short |
Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si |
| title_full |
Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si |
| title_fullStr |
Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si |
| title_full_unstemmed |
Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si |
| title_sort |
электронный рост нанообъектов pb на поверхностях si |
| author |
Фокин, Д.А. Божко, С.И. Dubost, V. Debontridder, F. Ионов, А.М. Cren, T. Roditchev, D. |
| author_facet |
Фокин, Д.А. Божко, С.И. Dubost, V. Debontridder, F. Ионов, А.М. Cren, T. Roditchev, D. |
| publishDate |
2011 |
| language |
Russian |
| container_title |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| format |
Article |
| description |
Выполнены исследования особенностей формирования металлических наноостровков Pb на поверхности кремния методом сканирующей туннельной микроскопии. Показано, что рост наноостровков Pb на поверхности Si происходит в рамках модели Странски—Крастанова; вместе с тем формирование островков сопровождается их расслоением с характерным масштабом 2 нм (7 монослоёв Pb). Обнаруженное явление рассматривается в связи с минимизацией энергии в квантовых ямах, образующихся вследствие эффекта квантовой локализации, и объясняется в рамках модели электронного роста.
Виконано дослідження особливостей формування металевих наноострівців Pb на поверхні кремнію методою сканівної тунельної мікроскопії. Показано, що ріст наноострівців Pb на поверхні Si відбувається в рамках моделю Странскі—Крастанова; разом з тим формування острівців супроводжується їх розшаруванням з характерним масштабом 2 нм (7 моношарів Pb). Виявлене явище розглядається в зв’язку з мінімізацією енергії в квантових ямах, які утворюються внаслідок ефекту квантової локалізації, та пояснюються в рамках моделю електронного росту.
We report on Pb-islands growth on a surface of silicon. Using the scanning tunnelling microscopy, we show that, while in general the growth follows the Stranski—Krastanov scenario, the formation of Pb islands is accompanied by their lamination with a characteristic scale of two nanometers (7 monolayers of Pb). Such an effect manifests the energy minimum in quantum wells due to the quantum confinement, and it can be explained within the scope of the electronic-growth model.
|
| issn |
1816-5230 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/74448 |
| citation_txt |
Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si / Д.А. Фокин, С.И. Божко, V. Dubost, F. Debontridder, А.М. Ионов, T. Cren, D. Roditchev // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 333-341. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT fokinda élektronnyirostnanoobʺektovpbnapoverhnostâhsi AT božkosi élektronnyirostnanoobʺektovpbnapoverhnostâhsi AT dubostv élektronnyirostnanoobʺektovpbnapoverhnostâhsi AT debontridderf élektronnyirostnanoobʺektovpbnapoverhnostâhsi AT ionovam élektronnyirostnanoobʺektovpbnapoverhnostâhsi AT crent élektronnyirostnanoobʺektovpbnapoverhnostâhsi AT roditchevd élektronnyirostnanoobʺektovpbnapoverhnostâhsi |
| first_indexed |
2025-12-07T15:16:29Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:16:29Z |
| _version_ |
1850863087479947264 |