Елелектрохімічне одержання та властивості гібридних наноструктур на основі поруватого кремнію і поліаніліну

Вивчено закономірності електрохімічного одержання гібридних наноструктур на основі тонких шарів поліаніліну на поверхні поруватого кремнію в умовах електрохімічної полімеризації аніліну з циклічною розгорткою потенціалу. Методом атомносилової мікроскопії досліджено топологію поверхні отриманих стру...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Праці наукового товариства ім. Шевченка
Дата:2010
Автори: Аксіментьєва, О., Євчук, О.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Західний науковий центр НАН України і МОН України 2010
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/74467
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Елелектрохімічне одержання та властивості гібридних наноструктур на основі поруватого кремнію і поліаніліну / О. Аксіментєва, О. Євчук // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2010. — Т. XXV: Хемія і біохемія. — С. 188-197. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-74467
record_format dspace
spelling Аксіментьєва, О.
Євчук, О.
2015-01-20T21:50:28Z
2015-01-20T21:50:28Z
2010
Елелектрохімічне одержання та властивості гібридних наноструктур на основі поруватого кремнію і поліаніліну / О. Аксіментєва, О. Євчук // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2010. — Т. XXV: Хемія і біохемія. — С. 188-197. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.
1563-3569
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/74467
544.164
Вивчено закономірності електрохімічного одержання гібридних наноструктур на основі тонких шарів поліаніліну на поверхні поруватого кремнію в умовах електрохімічної полімеризації аніліну з циклічною розгорткою потенціалу. Методом атомносилової мікроскопії досліджено топологію поверхні отриманих структур. Виявлено, що наявність тонкого поліанілінового шару спричиняє незначний зсув максимуму і деяке послаблення фотолюмінесценції поруватого кремнію, а також окисновідновну та сенсорну активність одержаних наноструктур. Ключові слова: поруватий кремній, електрополімеризація, поліанілін, наноструктура, фотолюмінесценція..
Belong the semiconductor materials a special place is occupied by the heterogeneous systems based on nanoporous silicon (PS), having a wide application in optoelectronic and sensor devices. Of great interest are the heterostructures created on the PS and surface organic layers, among which the conjugated conducting polymers now intensively studied. In the present work the possibility of electrochemical obtaining of the hybrid nanostructures based on thin polyaniline (PANI) layers on the surface of porous silicon in the conditions of electrochemical polymerization has been investigated. The porous silicon layers were formed by etching of the silicon wafers (100) with n-type of conductivity in a 40% HF ethyl alcohol solution at a current density of 10 mA. cm-2 during 20 minutes. For creation of PS-PANI hybrid layer a method of electrochemical polymerization with cyclic potential sweeping in 0.1M solutions of purified aniline in 0.5 M H2SO4 was used. A wafer of PS of the area of 1 cm2 was as an operating electrode, a platinum wire was used as a counter electrode and saturated Ag/AgCl electrode was employed as a reference. The potentiostat PI-50 was a power source. After film coating the samples were rinsed with deionized water and dried under vacuum at 353 – 373 K. Linear dependence of the peak current on the potential sweep number in the interval of N = 4…16 give the possibility to control the process of electroactive film formation on the surface of the porous silicon. The surface topology of the prepared structures was investigated by the method of atom force microscopy. It found that PANI films obtained on the surface of PS by electropolymerization method in general repeat the relief of the surface forming a continuous polymer layer. However, the morphology of the films is difficult interpret due to the irregularity of PS surface. As has been shown by the profile analysis of PS-polymer heterostructure a thickness of PS-polymer layer achieves 40–45 nm. Obtained nanostructures were examined on the ability to photoluminescence (PL) and electrochemical activity. Higher electrochemical activity of PS-PANI nanostructure in comparison with PS probably connected with particularities of the polyaniline structure, obtained in the condition of electropolymerization with cyclic potential sweeping where polymer synthesis proceeds both on the surface and inside the silicon pores. It has been found that presence of the thin polyaniline layer causes an insignificant displacement of the maximum and some weakness of PL in comparison with PL of clean porous silicon. Because electrical and optical properties of PANI is significantly depend on the level of oxidation or reduction, this polymer is very sensitive to the action of chemical substances (value of рН, adsorption of polar gases), therefore coating of PS by PANI film may improving the properties of sensor devices based on PS. A sensor activity of the obtained heterostructures in gas medium has been study. It found that increasing the ammonia pressure leads to growing the PL intensity, which may be explained by the processes of PANI film reduction with formation of colorless form of polymer - leucoemeraldine, in result of this increases an optical transparence of the film and, correspondently, yield of emission. Key words: porous silicon, electropolymerization, polyaniline, nanostructure, photoluminescence
Изучены закономерности электрохимического получения гибридных наноструктур на основе тонких слоев полианилина на поверхности пористого кремния в условиях электрохимической полимеризации анилина с циклической разверткой потенциала. Методом атомно-силовой микроскопии исследовано топологияю поверхности полученных структур. Установлено, что наличие тонкого полианилинового слоя вызывает незначительный сдвиг максимума и некоторое ослабление фотолюминесценции пористого кремния, а также окислительно - восстановительную и сенсорную активность полученных гетероструктур. Ключевые слова: пористый кремний, электрополимеризация, полианилин, наноструктура, фотолюминесценция.
uk
Західний науковий центр НАН України і МОН України
Праці наукового товариства ім. Шевченка
Хемія
Елелектрохімічне одержання та властивості гібридних наноструктур на основі поруватого кремнію і поліаніліну
Еlectrochemical obtaining and properties of the hybrid nanostructures based on porous silicon and polyaniline
Электрохимическое получение и свойства гибридных наноструктур на основе пористого кремния и полианилина
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Елелектрохімічне одержання та властивості гібридних наноструктур на основі поруватого кремнію і поліаніліну
spellingShingle Елелектрохімічне одержання та властивості гібридних наноструктур на основі поруватого кремнію і поліаніліну
Аксіментьєва, О.
Євчук, О.
Хемія
title_short Елелектрохімічне одержання та властивості гібридних наноструктур на основі поруватого кремнію і поліаніліну
title_full Елелектрохімічне одержання та властивості гібридних наноструктур на основі поруватого кремнію і поліаніліну
title_fullStr Елелектрохімічне одержання та властивості гібридних наноструктур на основі поруватого кремнію і поліаніліну
title_full_unstemmed Елелектрохімічне одержання та властивості гібридних наноструктур на основі поруватого кремнію і поліаніліну
title_sort елелектрохімічне одержання та властивості гібридних наноструктур на основі поруватого кремнію і поліаніліну
author Аксіментьєва, О.
Євчук, О.
author_facet Аксіментьєва, О.
Євчук, О.
topic Хемія
topic_facet Хемія
publishDate 2010
language Ukrainian
container_title Праці наукового товариства ім. Шевченка
publisher Західний науковий центр НАН України і МОН України
format Article
title_alt Еlectrochemical obtaining and properties of the hybrid nanostructures based on porous silicon and polyaniline
Электрохимическое получение и свойства гибридных наноструктур на основе пористого кремния и полианилина
issn 1563-3569
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/74467
citation_txt Елелектрохімічне одержання та властивості гібридних наноструктур на основі поруватого кремнію і поліаніліну / О. Аксіментєва, О. Євчук // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2010. — Т. XXV: Хемія і біохемія. — С. 188-197. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT aksímentʹêvao elelektrohímíčneoderžannâtavlastivostígíbridnihnanostrukturnaosnovíporuvatogokremníûípolíanílínu
AT êvčuko elelektrohímíčneoderžannâtavlastivostígíbridnihnanostrukturnaosnovíporuvatogokremníûípolíanílínu
AT aksímentʹêvao electrochemicalobtainingandpropertiesofthehybridnanostructuresbasedonporoussiliconandpolyaniline
AT êvčuko electrochemicalobtainingandpropertiesofthehybridnanostructuresbasedonporoussiliconandpolyaniline
AT aksímentʹêvao élektrohimičeskoepolučenieisvoistvagibridnyhnanostrukturnaosnoveporistogokremniâipolianilina
AT êvčuko élektrohimičeskoepolučenieisvoistvagibridnyhnanostrukturnaosnoveporistogokremniâipolianilina
first_indexed 2025-12-07T17:48:59Z
last_indexed 2025-12-07T17:48:59Z
_version_ 1850872682279600128
description Вивчено закономірності електрохімічного одержання гібридних наноструктур на основі тонких шарів поліаніліну на поверхні поруватого кремнію в умовах електрохімічної полімеризації аніліну з циклічною розгорткою потенціалу. Методом атомносилової мікроскопії досліджено топологію поверхні отриманих структур. Виявлено, що наявність тонкого поліанілінового шару спричиняє незначний зсув максимуму і деяке послаблення фотолюмінесценції поруватого кремнію, а також окисновідновну та сенсорну активність одержаних наноструктур. Ключові слова: поруватий кремній, електрополімеризація, поліанілін, наноструктура, фотолюмінесценція.. Belong the semiconductor materials a special place is occupied by the heterogeneous systems based on nanoporous silicon (PS), having a wide application in optoelectronic and sensor devices. Of great interest are the heterostructures created on the PS and surface organic layers, among which the conjugated conducting polymers now intensively studied. In the present work the possibility of electrochemical obtaining of the hybrid nanostructures based on thin polyaniline (PANI) layers on the surface of porous silicon in the conditions of electrochemical polymerization has been investigated. The porous silicon layers were formed by etching of the silicon wafers (100) with n-type of conductivity in a 40% HF ethyl alcohol solution at a current density of 10 mA. cm-2 during 20 minutes. For creation of PS-PANI hybrid layer a method of electrochemical polymerization with cyclic potential sweeping in 0.1M solutions of purified aniline in 0.5 M H2SO4 was used. A wafer of PS of the area of 1 cm2 was as an operating electrode, a platinum wire was used as a counter electrode and saturated Ag/AgCl electrode was employed as a reference. The potentiostat PI-50 was a power source. After film coating the samples were rinsed with deionized water and dried under vacuum at 353 – 373 K. Linear dependence of the peak current on the potential sweep number in the interval of N = 4…16 give the possibility to control the process of electroactive film formation on the surface of the porous silicon. The surface topology of the prepared structures was investigated by the method of atom force microscopy. It found that PANI films obtained on the surface of PS by electropolymerization method in general repeat the relief of the surface forming a continuous polymer layer. However, the morphology of the films is difficult interpret due to the irregularity of PS surface. As has been shown by the profile analysis of PS-polymer heterostructure a thickness of PS-polymer layer achieves 40–45 nm. Obtained nanostructures were examined on the ability to photoluminescence (PL) and electrochemical activity. Higher electrochemical activity of PS-PANI nanostructure in comparison with PS probably connected with particularities of the polyaniline structure, obtained in the condition of electropolymerization with cyclic potential sweeping where polymer synthesis proceeds both on the surface and inside the silicon pores. It has been found that presence of the thin polyaniline layer causes an insignificant displacement of the maximum and some weakness of PL in comparison with PL of clean porous silicon. Because electrical and optical properties of PANI is significantly depend on the level of oxidation or reduction, this polymer is very sensitive to the action of chemical substances (value of рН, adsorption of polar gases), therefore coating of PS by PANI film may improving the properties of sensor devices based on PS. A sensor activity of the obtained heterostructures in gas medium has been study. It found that increasing the ammonia pressure leads to growing the PL intensity, which may be explained by the processes of PANI film reduction with formation of colorless form of polymer - leucoemeraldine, in result of this increases an optical transparence of the film and, correspondently, yield of emission. Key words: porous silicon, electropolymerization, polyaniline, nanostructure, photoluminescence Изучены закономерности электрохимического получения гибридных наноструктур на основе тонких слоев полианилина на поверхности пористого кремния в условиях электрохимической полимеризации анилина с циклической разверткой потенциала. Методом атомно-силовой микроскопии исследовано топологияю поверхности полученных структур. Установлено, что наличие тонкого полианилинового слоя вызывает незначительный сдвиг максимума и некоторое ослабление фотолюминесценции пористого кремния, а также окислительно - восстановительную и сенсорную активность полученных гетероструктур. Ключевые слова: пористый кремний, электрополимеризация, полианилин, наноструктура, фотолюминесценция.