Вакуленко, О., Головинський, С., & Кондратенко, С. (2011). Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками. Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Вакуленко, О.В, С.Л Головинський, und С.В Кондратенко. "Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками." Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології 2011.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Вакуленко, О.В, et al. "Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками." Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2011.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.