Вакуленко, О., Головинський, С., & Кондратенко, С. (2011). Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками. Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
Chicago Style (17th ed.) CitationВакуленко, О.В, С.Л Головинський, and С.В Кондратенко. "Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками." Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології 2011.
MLA (8th ed.) CitationВакуленко, О.В, et al. "Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками." Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2011.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.