Вакуленко, О., Головинський, С., & Кондратенко, С. (2011). Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками. Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Вакуленко, О.В, С.Л Головинський, та С.В Кондратенко. "Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками." Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології 2011.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Вакуленко, О.В, et al. "Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками." Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2011.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.