Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками

• Veröffentlicht in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Вакуленко, О.В., Головинський, С.Л., Кондратенко, С.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2011
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/74482
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками / О.В. Вакуленко, С.Л. Головинський, С.В. Кондратенко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 343-353. — Бібліогр.: 23 назв. — укр.

У гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з ланцюгами квантових точок досліджено властивості латерального фотоструму, викликаного оптичним перезарядженням центрів електронної локалізації. В кінетиці фотоструму структур виявлено довготривалу динаміку наростання та релаксації, а також ефект залишкової пров...