Buchumschlag

Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками

У гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з ланцюгами квантових точок досліджено властивості латерального фотоструму, викликаного оптичним перезарядженням центрів електронної локалізації. В кінетиці фотоструму структур виявлено довготривалу динаміку наростання та релаксації, а також ефект залишкової пров...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Datum:2011
Hauptverfasser: Вакуленко, О.В., Головинський, С.Л., Кондратенко, С.В.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2011
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/74482
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками / О.В. Вакуленко, С.Л. Головинський, С.В. Кондратенко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 343-353. — Бібліогр.: 23 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Ähnliche Einträge