Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники
Изучено влияние режимов ионной имплантации и постимплантационных термообработок на структурные и оптические свойства кремниевой матрицы ионносинтезированными нанокластерами InAs и GaSb. Показано, что введением геттера, а также изменением температуры подложки и флюенса ионов, температуры и длительнос...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2011
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/74485 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники / Ф.Ф. Комаров, Л.А. Власукова, О.В. Мильчанин, А.Ф. Комаров, А.В. Мудрый, Б.С. Дунец // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 355-363. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862706299224981504 |
|---|---|
| author | Комаров, Ф.Ф. Власукова, Л.А. Мильчанин, О.В. Комаров, А.Ф. Мудрый, А.В. Дунец, Б.С. |
| author_facet | Комаров, Ф.Ф. Власукова, Л.А. Мильчанин, О.В. Комаров, А.Ф. Мудрый, А.В. Дунец, Б.С. |
| citation_txt | Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники / Ф.Ф. Комаров, Л.А. Власукова, О.В. Мильчанин, А.Ф. Комаров, А.В. Мудрый, Б.С. Дунец // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 355-363. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | Изучено влияние режимов ионной имплантации и постимплантационных термообработок на структурные и оптические свойства кремниевой матрицы ионносинтезированными нанокластерами InAs и GaSb. Показано, что введением геттера, а также изменением температуры подложки и флюенса ионов, температуры и длительности последующего отжига удаётся сформировать нанокластеры InAs и GaSb с размерами 2—80 нм и создать различную концентрацию и форму глубинных распределений вторичных дефектов структуры. Последний фактор обусловливает появление линий дислокационной люминесценции D1, D2 и D4 с энергией квантов 0,807, 0,87 и 0,997 эВ.
Вивчено вплив режимів йонної імплантації та постімплантаційних термооброблень на структурні і оптичні властивості кремнійової матриці йонносинтезованими нанокластерами InAs і GaSb. Показано, що введенням ґетера, а також зміною температури підложжя та флюєнсу йонів, температури та тривалости наступного відпалу вдається сформувати нанокластери InAs і GaSb з розмірами 2—80 нм та створити різну концентрацію і форму глибинних розподілів вторинних дефектів структури. Останній фактор обумовлює появу ліній дислокаційної люмінесценції D1, D2 і D4 з енергією квантів 0,807, 0,87 і 0,997 еВ.
The influence of ion implantation and post-implantation annealing behaviours on the structural and optical properties of silicon matrix with ion-beam synthesized InAs and GaSb nanocrystals is studied. As demonstrated, by introducing getter, varying the ion-implantation temperature, ion fluence, and post-implantation annealing duration and temperature, it is possible to form InAs and GaSb nanocrystals in the range of sizes of 2—80 nm and create various concentrations and distributions of secondary defects. The last factor causes the appearance of dislocation luminescence lines, D1, D2 and D4, at 0.807, 0.87 and 0.997 eV, respectively.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:58:42Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-74485 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:58:42Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Комаров, Ф.Ф. Власукова, Л.А. Мильчанин, О.В. Комаров, А.Ф. Мудрый, А.В. Дунец, Б.С. 2015-01-21T10:56:59Z 2015-01-21T10:56:59Z 2011 Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники / Ф.Ф. Комаров, Л.А. Власукова, О.В. Мильчанин, А.Ф. Комаров, А.В. Мудрый, Б.С. Дунец // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 355-363. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 61.72.uj, 68.37.Lp, 78.30.Fs, 78.55.Cr, 79.20.Rf, 81.07.Bc, 81.40.Wx https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/74485 Изучено влияние режимов ионной имплантации и постимплантационных термообработок на структурные и оптические свойства кремниевой матрицы ионносинтезированными нанокластерами InAs и GaSb. Показано, что введением геттера, а также изменением температуры подложки и флюенса ионов, температуры и длительности последующего отжига удаётся сформировать нанокластеры InAs и GaSb с размерами 2—80 нм и создать различную концентрацию и форму глубинных распределений вторичных дефектов структуры. Последний фактор обусловливает появление линий дислокационной люминесценции D1, D2 и D4 с энергией квантов 0,807, 0,87 и 0,997 эВ. Вивчено вплив режимів йонної імплантації та постімплантаційних термооброблень на структурні і оптичні властивості кремнійової матриці йонносинтезованими нанокластерами InAs і GaSb. Показано, що введенням ґетера, а також зміною температури підложжя та флюєнсу йонів, температури та тривалости наступного відпалу вдається сформувати нанокластери InAs і GaSb з розмірами 2—80 нм та створити різну концентрацію і форму глибинних розподілів вторинних дефектів структури. Останній фактор обумовлює появу ліній дислокаційної люмінесценції D1, D2 і D4 з енергією квантів 0,807, 0,87 і 0,997 еВ. The influence of ion implantation and post-implantation annealing behaviours on the structural and optical properties of silicon matrix with ion-beam synthesized InAs and GaSb nanocrystals is studied. As demonstrated, by introducing getter, varying the ion-implantation temperature, ion fluence, and post-implantation annealing duration and temperature, it is possible to form InAs and GaSb nanocrystals in the range of sizes of 2—80 nm and create various concentrations and distributions of secondary defects. The last factor causes the appearance of dislocation luminescence lines, D1, D2 and D4, at 0.807, 0.87 and 0.997 eV, respectively. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники Article published earlier |
| spellingShingle | Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники Комаров, Ф.Ф. Власукова, Л.А. Мильчанин, О.В. Комаров, А.Ф. Мудрый, А.В. Дунец, Б.С. |
| title | Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники |
| title_full | Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники |
| title_fullStr | Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники |
| title_full_unstemmed | Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники |
| title_short | Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники |
| title_sort | ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников а³в⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/74485 |
| work_keys_str_mv | AT komarovff ionnyisinteznanokristallovuzkozonnyhpoluprovodnikova3v5vkremnievoimatricedlâsistemoptoélektroniki AT vlasukovala ionnyisinteznanokristallovuzkozonnyhpoluprovodnikova3v5vkremnievoimatricedlâsistemoptoélektroniki AT milʹčaninov ionnyisinteznanokristallovuzkozonnyhpoluprovodnikova3v5vkremnievoimatricedlâsistemoptoélektroniki AT komarovaf ionnyisinteznanokristallovuzkozonnyhpoluprovodnikova3v5vkremnievoimatricedlâsistemoptoélektroniki AT mudryiav ionnyisinteznanokristallovuzkozonnyhpoluprovodnikova3v5vkremnievoimatricedlâsistemoptoélektroniki AT dunecbs ionnyisinteznanokristallovuzkozonnyhpoluprovodnikova3v5vkremnievoimatricedlâsistemoptoélektroniki |