Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники
Изучено влияние режимов ионной имплантации и постимплантационных термообработок на структурные и оптические свойства кремниевой матрицы ионносинтезированными нанокластерами InAs и GaSb. Показано, что введением геттера, а также изменением температуры подложки и флюенса ионов, температуры и длительнос...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | Комаров, Ф.Ф., Власукова, Л.А., Мильчанин, О.В., Комаров, А.Ф., Мудрый, А.В., Дунец, Б.С. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2011
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/74485 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники / Ф.Ф. Комаров, Л.А. Власукова, О.В. Мильчанин, А.Ф. Комаров, А.В. Мудрый, Б.С. Дунец // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 355-363. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Ионный инжектор полевого типа
за авторством: Возный, В.И., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Возный, В.И., та інші
Опубліковано: (2010)
Сканирующий ионный гелиевый микроскоп
за авторством: Петров, Ю.В.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Петров, Ю.В.
Опубліковано: (2012)
Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий
за авторством: Комаров, Ф.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Комаров, Ф.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)
Плавление нанокристаллов
за авторством: Романкевич, О.В.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Романкевич, О.В.
Опубліковано: (2013)
Ионный состав каталитических комплексов алкилирования бензола
за авторством: Шутько, А.П., та інші
Опубліковано: (1983)
за авторством: Шутько, А.П., та інші
Опубліковано: (1983)
Полирование прецизионных поверхностей сапфировых элементов оптоэлектроники
за авторством: Филатов, Ю.Д., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Филатов, Ю.Д., та інші
Опубліковано: (2015)
Поверхностная структурная релаксация и пластичность нанокристаллов
за авторством: Бойко, Ю.И., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Бойко, Ю.И., та інші
Опубліковано: (2015)
Алмазное полирование кристаллических материалов для оптоэлектроники
за авторством: Филатов, Ю.Д.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Филатов, Ю.Д.
Опубліковано: (2017)
Получение кремниевых нитевидных нанокристаллов
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
за авторством: Гасанов, А.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Гасанов, А.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Производительность полирования анизотропных монокристаллических материалов для оптоэлектроники
за авторством: Филатов, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Филатов, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2016)
Поверхностная электропроводность допированных нанокристаллов диоксида олова
за авторством: Малеваный, С.М., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Малеваный, С.М., та інші
Опубліковано: (2010)
Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Статистический подход к термодинамическому описанию нанокристаллов
за авторством: Карасевский, А.И.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Карасевский, А.И.
Опубліковано: (2011)
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Оптимизация геометрических характеристик p–n-структур для оптоэлектроники
за авторством: Vikulin, I. М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Vikulin, I. М., та інші
Опубліковано: (2004)
Всестороннее растяжение сферических нанокристаллов молибдена
за авторством: Огородников, В.В.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Огородников, В.В.
Опубліковано: (2010)
Магнитное состояние нанокристаллов Zn-замещенного магнетита
за авторством: Ольховик, Л.П., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ольховик, Л.П., та інші
Опубліковано: (2010)
Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2013)
Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2013)
Растворимость фуллерита С₆₀ в органической матрице
за авторством: Матысина, З.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Матысина, З.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Электронная структура металлических нанокристаллов с дисклинациями
за авторством: Нацик, В.Д., та інші
Опубліковано: (1995)
за авторством: Нацик, В.Д., та інші
Опубліковано: (1995)
Направленная кристаллизация силицидных пленок на кремниевой подложке
за авторством: Belousov, I. V.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Belousov, I. V.
Опубліковано: (2007)
Направленная кристаллизация силицидных пленок на кремниевой подложке
за авторством: Белоусов, И.В.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Белоусов, И.В.
Опубліковано: (2007)
Ионный монитор поперечного сечения протонного пучка промежуточных энергий линейного ускорителя ИЯИ РАН
за авторством: Рейнгардт-Никулин, П., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Рейнгардт-Никулин, П., та інші
Опубліковано: (2008)
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
за авторством: Gasanov, A. M., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Gasanov, A. M., та інші
Опубліковано: (2004)
Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники
за авторством: Krukovsky, S. I.
Опубліковано: (2026)
за авторством: Krukovsky, S. I.
Опубліковано: (2026)
Возможность измерения размеров нанокристаллов с помощью параметрического рентгеновского излучения
за авторством: Щагин, А.В.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Щагин, А.В.
Опубліковано: (2010)
Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2013)
Устройство для бесконтактного измерения электропроводности полупроводников
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами
за авторством: Храмов, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Храмов, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2003)
Оптика полупроводников с линейным электронным спектром
за авторством: Фальковский, Л.А.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Фальковский, Л.А.
Опубліковано: (2011)
2D-структуры на основе ансамблей монодисперсных нанокристаллов золота
за авторством: Матвеевская, Н.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Матвеевская, Н.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Ионный канал возбудимой мембраны как самоорганизующаяся неравновесная система. 1. Моделирование воротных процессов
за авторством: Вайнреб, Г.Е., та інші
Опубліковано: (1991)
за авторством: Вайнреб, Г.Е., та інші
Опубліковано: (1991)
Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++-p+-перехода
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2003)
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Эрозия поверхности игольчатых нанокристаллов под действием бомбардировки ионами инертных газов
за авторством: Дудка, О.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Дудка, О.В., та інші
Опубліковано: (2013)
Многоканальные координатно-чувствительные рентгеновские детекторные системы на основе кремниевой интегральной технологии
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2001) -
Ионный инжектор полевого типа
за авторством: Возный, В.И., та інші
Опубліковано: (2010) -
Сканирующий ионный гелиевый микроскоп
за авторством: Петров, Ю.В.
Опубліковано: (2012) -
Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий
за авторством: Комаров, Ф.Ф., та інші
Опубліковано: (2008) -
Плавление нанокристаллов
за авторством: Романкевич, О.В.
Опубліковано: (2013)