Влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности

В работе используется квазиодномерная система поверхностных электронов (ПЭ) над сверхтекучим гелием в качестве классической модели твердотельного квантового проводника. Выполнены экспериментальные исследования кинетики поведения электронов в узких каналах в присутствии заряда на подложке. Ход темпер...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Date:2011
Main Authors: Николаенко, В.А., Смородин, А.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2011
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75147
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности / В.А. Николаенко, А.В. Смородин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 4. — С. 795-799. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:В работе используется квазиодномерная система поверхностных электронов (ПЭ) над сверхтекучим гелием в качестве классической модели твердотельного квантового проводника. Выполнены экспериментальные исследования кинетики поведения электронов в узких каналах в присутствии заряда на подложке. Ход температурной зависимости в этих условиях имеет ступенчатый характер при температуре ниже 1,3 К, и параметры ступеней в различных опытах отличаются. Подобный характер зависимости не описывается классическими моделями переноса заряда, где учитывается рассеяние электронов в каналах на атомах гелия в паре и рипплонах. Предполагается, что подобная зависимость является проявлением квантового характера переноса в электронных каналах. У статті використовується квазиодновимірна система поверхневих електронів (ПЕ) над надплинним гелієм у якості класичного моделю твердотільного напівпровідника. Виконано експериментальні дослідження кінетики поведінки електронів у вузьких каналах у присутності заряду на підложжі. Хід температурної залежности в цих умовах має східчастий характер за температури нижче 1,3 К; параметри сходів у різних випробуваннях є різними. Подібний характер залежности не описується класичними моделями переносу заряду, де враховується розсіяння електронів у каналах на атомах гелію в парі та риплонах. Вважається, що така залежність є виявленням квантового характеру переносу в електронних каналах. Quasi-one-dimensional system of the surface electron (SE) over superfluid helium is used as a classical model for a solid-state quantum conductor. Experimental investigations of electron kinetics in narrow channels in the presence of charge on the substrate are carried out. The course of temperature dependence under such conditions demonstrates stepwise behaviour at temperatures lower than 1.3 K, and parameters of steps in different experiments are varying. Classical models of charge transfer do not describe a similar character of this dependence, when electrons scattering in channels on atoms of helium in steam and ripplons is considered. It is supposed that such dependence demonstrates quantum behaviour of charge transfer in electronic channels.
ISSN:1816-5230