Влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности
В работе используется квазиодномерная система поверхностных электронов (ПЭ) над сверхтекучим гелием в качестве классической модели твердотельного квантового проводника. Выполнены экспериментальные исследования кинетики поведения электронов в узких каналах в присутствии заряда на подложке. Ход темпер...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2011
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75147 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности / В.А. Николаенко, А.В. Смородин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 4. — С. 795-799. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862709815074095104 |
|---|---|
| author | Николаенко, В.А. Смородин, А.В. |
| author_facet | Николаенко, В.А. Смородин, А.В. |
| citation_txt | Влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности / В.А. Николаенко, А.В. Смородин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 4. — С. 795-799. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | В работе используется квазиодномерная система поверхностных электронов (ПЭ) над сверхтекучим гелием в качестве классической модели твердотельного квантового проводника. Выполнены экспериментальные исследования кинетики поведения электронов в узких каналах в присутствии заряда на подложке. Ход температурной зависимости в этих условиях имеет ступенчатый характер при температуре ниже 1,3 К, и параметры ступеней в различных опытах отличаются. Подобный характер зависимости не описывается классическими моделями переноса заряда, где учитывается рассеяние электронов в каналах на атомах гелия в паре и рипплонах. Предполагается, что подобная зависимость является проявлением квантового характера переноса в электронных каналах.
У статті використовується квазиодновимірна система поверхневих електронів (ПЕ) над надплинним гелієм у якості класичного моделю твердотільного напівпровідника. Виконано експериментальні дослідження кінетики поведінки електронів у вузьких каналах у присутності заряду на підложжі. Хід температурної залежности в цих умовах має східчастий характер за температури нижче 1,3 К; параметри сходів у різних випробуваннях є різними. Подібний характер залежности не описується класичними моделями переносу заряду, де враховується розсіяння електронів у каналах на атомах гелію в парі та риплонах. Вважається, що така залежність є виявленням квантового характеру переносу в електронних каналах.
Quasi-one-dimensional system of the surface electron (SE) over superfluid helium is used as a classical model for a solid-state quantum conductor. Experimental investigations of electron kinetics in narrow channels in the presence of charge on the substrate are carried out. The course of temperature dependence under such conditions demonstrates stepwise behaviour at temperatures lower than 1.3 K, and parameters of steps in different experiments are varying. Classical models of charge transfer do not describe a similar character of this dependence, when electrons scattering in channels on atoms of helium in steam and ripplons is considered. It is supposed that such dependence demonstrates quantum behaviour of charge transfer in electronic channels.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:19:38Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-75147 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:19:38Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Николаенко, В.А. Смородин, А.В. 2015-01-26T19:54:35Z 2015-01-26T19:54:35Z 2011 Влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности / В.А. Николаенко, А.В. Смородин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 4. — С. 795-799. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 67.25.-k, 67.30.-n, 67.80.-s, 73.20.-r, 73.25.+i, 73.90.+f, 85.30.De https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75147 В работе используется квазиодномерная система поверхностных электронов (ПЭ) над сверхтекучим гелием в качестве классической модели твердотельного квантового проводника. Выполнены экспериментальные исследования кинетики поведения электронов в узких каналах в присутствии заряда на подложке. Ход температурной зависимости в этих условиях имеет ступенчатый характер при температуре ниже 1,3 К, и параметры ступеней в различных опытах отличаются. Подобный характер зависимости не описывается классическими моделями переноса заряда, где учитывается рассеяние электронов в каналах на атомах гелия в паре и рипплонах. Предполагается, что подобная зависимость является проявлением квантового характера переноса в электронных каналах. У статті використовується квазиодновимірна система поверхневих електронів (ПЕ) над надплинним гелієм у якості класичного моделю твердотільного напівпровідника. Виконано експериментальні дослідження кінетики поведінки електронів у вузьких каналах у присутності заряду на підложжі. Хід температурної залежности в цих умовах має східчастий характер за температури нижче 1,3 К; параметри сходів у різних випробуваннях є різними. Подібний характер залежности не описується класичними моделями переносу заряду, де враховується розсіяння електронів у каналах на атомах гелію в парі та риплонах. Вважається, що така залежність є виявленням квантового характеру переносу в електронних каналах. Quasi-one-dimensional system of the surface electron (SE) over superfluid helium is used as a classical model for a solid-state quantum conductor. Experimental investigations of electron kinetics in narrow channels in the presence of charge on the substrate are carried out. The course of temperature dependence under such conditions demonstrates stepwise behaviour at temperatures lower than 1.3 K, and parameters of steps in different experiments are varying. Classical models of charge transfer do not describe a similar character of this dependence, when electrons scattering in channels on atoms of helium in steam and ripplons is considered. It is supposed that such dependence demonstrates quantum behaviour of charge transfer in electronic channels. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности Николаенко, В.А. Смородин, А.В. |
| title | Влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности |
| title_full | Влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности |
| title_fullStr | Влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности |
| title_full_unstemmed | Влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности |
| title_short | Влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности |
| title_sort | влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75147 |
| work_keys_str_mv | AT nikolaenkova vliâniezarâdapodložkinaperenospoverhnostnyhélektronovnadgeliemvusloviâhkvaziodnomernosti AT smorodinav vliâniezarâdapodložkinaperenospoverhnostnyhélektronovnadgeliemvusloviâhkvaziodnomernosti |