Анализ наношероховатостей подложек с использованием левитирующих электронов над сверхтекучей плёнкой гелия

• Published in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Date: 2011
• Main Authors: Смородин, А.В., Николаенко, В.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2011
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75186
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Анализ наношероховатостей подложек с использованием левитирующих электронов над сверхтекучей плёнкой гелия / А.В. Смородин, В.А. Николаенко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 4. — С. 849-854. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Описано устройство для исследования наношероховатостей подложек путём анализа проводимости левитирующих электронов над плёнкой жидкого гелия в зависимости от её толщины. Устройство представляет собой камеру для сверхтекучего гелия и измерительную ячейку с подложкой, горизонтально расположенной над измерительными электродами, которые в вертикальном направлении перемещаются с помощью электромеханической тяги. По характеристикам переноса электронов имеется возможность идентифицировать наношероховатости размером от единиц ангстремов при ненасыщенной гелиевой плёнке до 10² нм при насыщенной плёнке гелия. Описано пристрій для дослідження наношерсткостей підкладок шляхом аналізи провідности електронів, що левітують над плівкою рідкого гелію, залежно від її товщини. Пристрій є камерою для надплинного гелію і вимірювальною коміркою з підкладкою, горизонтально розташованою над вимірювальними електродами, які у вертикальному напрямку переміщуються за допомогою електромеханічного тягу. За характеристиками переносу електронів є можливість ідентифікувати наношерсткості розміром від одиниць Онґштремів (при ненасиченій гелійовій плівці) до 10² нм (при насиченій плівці гелію). The device for study of nanoroughness of substrates by the analysis of conductivity of electrons levitating above a helium film as a function of film thickness is described. The device contains the chamber for superfluid helium and a measuring cell with substrate horizontally positioned above measuring electrodes, which are moved in a vertical direction by electromechanical draught. Using measured electron-transport characteristics, one can identify nanoroughness from angstrom range (for an unsaturated helium film) to 10² nanometers (for a saturated helium film).