Аналіза кінетики росту нановіскерів кремнію

• Published in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Date: 2011
• Main Authors: Дружинін, А.О., Нічкало, С.І., Когут, Ю.Р., Вуйцик, А.М.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2011
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75194
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Аналіза кінетики росту нановіскерів кремнію / А.О. Дружинін, С.І. Нічкало, Ю.Р. Когут, А.М. Вуйцик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 4. — С. 933-940. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

Наведено результати експериментальних досліджень з вирощування ниткуватих нанокристалів (ННК) кремнію методою хемічного парового осадження (CVD) в закритій бромідній системі та відкритій проточній системі. У результаті одержано ННК кремнію з середнім діяметром ≅ 100 нм. Показано, що поперечний розмір ННК прямо пропорційно залежить від товщини попередньо напорошеної плівки золота. The results of experimental studies of silicon nanowires (NW) growth by the chemical vapour deposition (CVD) method in the opened and closed bromide systems according to ‘vapour—liquid—solid’ (VLS) mechanism are presented. As a result of experiment, the Si NW with average diameter of ≅ 100 nm are grown. As shown, a cross section of the Si NW is directly proportional to thickness of preliminary-deposited gold film. Представлены результаты экспериментальных исследований по выращиванию нитевидных нанокристаллов (ННК) кремния методом химического парового осаждения (CVD) в закрытой бромидной системе и открытой проточной системе. В результате получены ННК кремния со средним диаметром ≅ 100 нм. Показано, что поперечный размер ННК прямо пропорционально зависит от толщины предварительно напылённой плёнки золота.