Жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений III—V

Авторы описывают получение наногетероструктур с квантовыми точками в процессе жидкофазной эпитаксии при импульсном охлаждении и нагревании подложки. Приведены экспериментальные результаты по выращиванию гетероструктур на основе GaAs и GaP с квантовыми точками Ge, InAs, GaInAs, GeSi, Yb и исследовани...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Date:2012
Main Authors: Марончук, И.Е., Кулюткина, Т.Ф., Марончук, И.И., Быковский, С.Ю.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2012
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75213
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений III—V / И.Е. Марончук, Т.Ф. Кулюткина, И.И. Марончук, С.Ю. Быковский // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 1. — С. 77-88. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862590700734906368
author Марончук, И.Е.
Кулюткина, Т.Ф.
Марончук, И.И.
Быковский, С.Ю.
author_facet Марончук, И.Е.
Кулюткина, Т.Ф.
Марончук, И.И.
Быковский, С.Ю.
citation_txt Жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений III—V / И.Е. Марончук, Т.Ф. Кулюткина, И.И. Марончук, С.Ю. Быковский // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 1. — С. 77-88. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
description Авторы описывают получение наногетероструктур с квантовыми точками в процессе жидкофазной эпитаксии при импульсном охлаждении и нагревании подложки. Приведены экспериментальные результаты по выращиванию гетероструктур на основе GaAs и GaP с квантовыми точками Ge, InAs, GaInAs, GeSi, Yb и исследованию их характеристик с помощью атомносиловой микроскопии и фотолюминесценции. Автори описують одержання наногетероструктур з квантовими точками в процесі рідкофазної епітаксії при імпульсному охолодженні та нагріванні підложжя. Наведено експериментальні результати з вирощування гетероструктур на основі GaAs та GaP з квантовими точками Ge, InAs, GaInAs, GeSi, Yb і дослідження їх характеристик за допомогою атомово-силової мікроскопії та фотолюмінесценції. The authors describe the fabrication of nanoheterostructures with quantum dots during the liquid-phase epitaxy by means of the method of pulse cooling and heating of a substrate. The experimental results for heterostructures grown on the base of GaAs and GaP with Ge, InAs, GaInAs, GeSi, Yb quantum dots and their parameters obtained using the atomic force microscopy and by the method of photoluminescence-spectra analysis are presented.
first_indexed 2025-11-27T05:31:32Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-75213
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1816-5230
language Russian
last_indexed 2025-11-27T05:31:32Z
publishDate 2012
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
record_format dspace
spelling Марончук, И.Е.
Кулюткина, Т.Ф.
Марончук, И.И.
Быковский, С.Ю.
2015-01-27T17:35:53Z
2015-01-27T17:35:53Z
2012
Жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений III—V / И.Е. Марончук, Т.Ф. Кулюткина, И.И. Марончук, С.Ю. Быковский // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 1. — С. 77-88. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
1816-5230
PACS numbers: 68.37.Ps, 68.65.Hb, 78.55.Cr, 78.67.Hc, 81.07.Ta, 81.15.Lm, 84.60.Jt
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75213
Авторы описывают получение наногетероструктур с квантовыми точками в процессе жидкофазной эпитаксии при импульсном охлаждении и нагревании подложки. Приведены экспериментальные результаты по выращиванию гетероструктур на основе GaAs и GaP с квантовыми точками Ge, InAs, GaInAs, GeSi, Yb и исследованию их характеристик с помощью атомносиловой микроскопии и фотолюминесценции.
Автори описують одержання наногетероструктур з квантовими точками в процесі рідкофазної епітаксії при імпульсному охолодженні та нагріванні підложжя. Наведено експериментальні результати з вирощування гетероструктур на основі GaAs та GaP з квантовими точками Ge, InAs, GaInAs, GeSi, Yb і дослідження їх характеристик за допомогою атомово-силової мікроскопії та фотолюмінесценції.
The authors describe the fabrication of nanoheterostructures with quantum dots during the liquid-phase epitaxy by means of the method of pulse cooling and heating of a substrate. The experimental results for heterostructures grown on the base of GaAs and GaP with Ge, InAs, GaInAs, GeSi, Yb quantum dots and their parameters obtained using the atomic force microscopy and by the method of photoluminescence-spectra analysis are presented.
ru
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений III—V
Article
published earlier
spellingShingle Жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений III—V
Марончук, И.Е.
Кулюткина, Т.Ф.
Марончук, И.И.
Быковский, С.Ю.
title Жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений III—V
title_full Жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений III—V
title_fullStr Жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений III—V
title_full_unstemmed Жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений III—V
title_short Жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений III—V
title_sort жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений iii—v
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75213
work_keys_str_mv AT marončukie židkofaznaâépitaksiâisvoistvananogeterostrukturnaosnovesoedineniiiiiv
AT kulûtkinatf židkofaznaâépitaksiâisvoistvananogeterostrukturnaosnovesoedineniiiiiv
AT marončukii židkofaznaâépitaksiâisvoistvananogeterostrukturnaosnovesoedineniiiiiv
AT bykovskiisû židkofaznaâépitaksiâisvoistvananogeterostrukturnaosnovesoedineniiiiiv