Температурні трансформацiї смуг екситонного поглинання в iонному напiвпровiднику зі слабким електрон-фононним зв'язком
In the approximations of dielectric continuum for phonons and within the effective masses for electrons the effect of longitudinal optical phonons on the formation of exciton spectra in polar semiconductors is determined by the Green s function method The calculations have been made using the Mott-V...
Saved in:
| Published in: | Праці наукового товариства ім. Шевченка |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Західний науковий центр НАН України і МОН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75282 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Температурні трансформацiї смуг екситонного поглинання в iонному напiвпровiднику зі слабким електрон-фононним зв'язком / О. Деревянчук, Н. Крамар, В. Крамар // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 317-325. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859984711617609728 |
|---|---|
| author | Деревянчук, О. Крамар, Н. Крамар, В. |
| author_facet | Деревянчук, О. Крамар, Н. Крамар, В. |
| citation_txt | Температурні трансформацiї смуг екситонного поглинання в iонному напiвпровiднику зі слабким електрон-фононним зв'язком / О. Деревянчук, Н. Крамар, В. Крамар // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 317-325. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Праці наукового товариства ім. Шевченка |
| description | In the approximations of dielectric continuum for phonons and within the effective masses for electrons the effect of longitudinal optical phonons on the formation of exciton spectra in polar semiconductors is determined by the Green s function method The calculations have been made using the Mott-Vannier model of exciton in n S-states ( n = 1, 2, 3) for a semiconductor compound CdS as an example The results obtained make it possible to confirm that interaction of exciton with the longitudinal optical phonons manifest itself in the shift of absorption band peaks to low-energy region. The value of the shift varies for different states and depends on the temperature. This may be the cause of the violation of serial regularities of exciton absorption bands Unlike the main one ( n = 1) the temperature change of the position of the peaks and of the width of higher exciton bands as a result of interaction with optical phonons is considered to be nonessential.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:27:35Z |
| format | Article |
| fulltext |
Fiziqni� zbirnik NTX t�� ���� p� ���
TEMPERATURN� TRANSFORMAC��
SMUG EKSITONNOGO POGLINANN�
V �ONNOMU NAP�VPROV�DNIKU
Z� SLABKIM ELEKTRON�FONONNIM ZV��ZKOM
Oleksandr DEREV�NQUK� Natali� KRAMAR�
Valeri� KRAMAR
Qernivec�ki� nacional�ni� universitet
imen� �ri� Fed�koviqa�
vul� Koc�bins�kogo �� Qernivci �����
e�mail� kramar itf�cv�ua
Redakci� otrimala statt� �� l�togo ���� r�
Metodami teori� funkci� �rina v modeli dielektriqnogo kon�
tinuumu dl� fononno� sistemi ta v nabli�enni efektivnih mas �
dl� elektronno�� doslid�eno vpliv pozdov�nih optiqnih fononiv
na formuvann� spektriv viwih eksitonnih staniv ionnih napiv�
providnikiv� Teoretiqni rozrahunki� vikonani v modeli eksito�
nu Van���Motta dl� nS �staniv � n � �� ��
u napivprovidnikovo�
spoluki CdS� dozvol��t� stverd�uvati� wo vza�modi� z optiqni�
mi pozdov�nimi pol�rizaci�nimi fononami u oblasti absol�t�
nogo nul� temperatur pro�vl��t�s� u dovgohvil�ovomu zmiwenni
smug poglinann� kra�ovih eksitoniv� wo mo�e buti priqino� po�
ruxenn� �h serial�nih zakonomirnoste�� Na vidminu vid osnovno�
� n � �
� zmini polo�enn� ta xirini viwih eksitonnih smug
unaslidok vza�modi� z optiqnimi fononami vi�vilis� neistotni�
mi�
�� VSTUP
Va�livim instrumentom doslid�enn� fiziqnih �viw i procesiv u napi�
vprovidnikovih kristalah � eksitonna spektroskopi�� Na osnovi
vivqenn� eksitonnih spektriv otrimu�mo rozlogu informaci� pro
kristaliqnu � zonnu strukturu kristaliv� stacionarni stani elektron�
no� ta fononno� sistem� �h vza�modi�� a tako� pro vpliv na nih zov�
nixnih qinnikiv ������
Doslid�enn� eksitoniv ta �h vza�modi� z fononami u napivprovid�
nikah prisv�qeno veliku kil�kist� eksperimental�nih i teoretiqnih
robit� nepovni� perelik �kih navedeni� u ��� �� Zokrema� pobudovano
teori� eksitonnih spektriv u ionnih napivprovidnikah� �ki dosit� de�
tal�no � adekvatno opisu�t� formuvann� ta genezis eksitonnih spek�
triv pri �h vza�modi� z fononami �
����� U cih doslid�enn�h rozgl�dali
PACS number ������Cc
��� O� Derev�nquk� N� Kramar� V� Kramar
pereva�no osnovni� eksitonni� stan� todi �k u oblasti dovgohvil�o�
vogo kra� smugi fundamental�nogo poglinann� bagat�oh kristaliv
sposteriga�t�s� dobre rozdileni spektral�ni lini�� pohod�enn� �kih
pripisu�t�s� perehodam u eksitonni stani ���
����� Energi� �h zazviqa�
viznaqa�t�s� znaqenn�m golovnogo kvantovogo qisla n za formulo�
En
Eg � Rex
n�
� ���
de Eg � xirina zaboroneno� zoni� Rex
��e��������� � energi� zv��zku
eksitonu� �
memh��me � mh� � zvedena masa elektrona i dirki �
��
Prote polo�enn� eksitonnih pikiv qasto vi�vl��t�s� zm�wen� poriv�
n�no z viznaqenimi za formulo� ���� osoblivo u vipadku n
��
Priqini takih zmiwen� pov��zu�t� z anizotropi�� zonnogo spektra�
vplivom poverhon�� deformaci�mi� vidhilenn�mi vid trivimirno� mo�
deli eksitonu v sil�noanizotropnih i xaruvatih kristalah towo�
Spektral�na oblast� eksitonnih perehodiv cikava tako� �z ogl��
du na mo�livist� realizaci� u ni� �viwa optiqno� bistabil�nosti ����
� �� Usi teoretiqni vikladki buli vikonani dl� osnovno� eksitonno�
smugi poglinann�� hoqa peredbaqalas� tako� mo�livist� realizaci�
c�ogo �viwa v oblasti perehodiv u viwi eksitonni stani� Materiali� u
�kih mo�liva realizaci� optiqno� bistabil�nosti� perspektivni z toq�
ki zoru stvorenn� na �h osnovi elemento� bazi riznomanitnih optiqnih
� optoelektronnih pristro�v � logiqnih elementiv� peremikaqiv� ob�
me�uvaqiv� diskriminatoriv� transfazoriv � t��n� ��
�� Oskil�ki spek�
tral�ni harakteristiki lini� perehodiv u viwi eksitonni stani ta �h
perenormuvann� eksiton�fononno� vza�modi�� teoretiqno ne vivqen��
to doslid�enn� formi smugi eksitonnogo poglinann� vnaslidok pere�
hodiv u taki stani � aktual�nim�
U ci� praci navod�t�s� rezul�tati teoretiqnogo doslid�enn� tem�
peraturnih zale�noste� spektral�nih harakteristik formi smu�
gi poglinann�� pov��zanogo z perehodami u nS� eksitonni stani
� n � ��� vikonanogo na prikladi r�du napivprovidnikovih spoluk
A � B � i A � B � � Z��sovano� wo v oblasti absol�tnogo nul� temperatur
vza�modi� z optiqnimi pozdov�n�mi pol�rizaci�nimi fononami vi�
�vl��t�s� u dovgohvil�ovomu zmiwenni smug poglinann� kra�ovih ek�
sitoniv� wo mo�e buti priqino� poruxenn� �h serial�nih zakonomir�
noste�� Na vidminu vid osnovno� � n
��� rozxirenn� viwih eksiton�
nih smug unaslidok vza�modi� z optiqnimi fononami u doslid�uvanih
kristalah vi�vilos� neistotnim�
�� POSTANOVKA ZADAQI � DOSLID�UVANA MODEL�
Dl� z��suvann� harakteru temperaturnih zmin smug eksitonnih pere�
hodiv u nS� stani � n
�� �� �� u napivprovidnikovih kristalah zi
slabkim elektron�fononnim zv��zkom mo�na vikoristovuvati model�
eksitonu Van���Motta� utvorenogo vnaslidok pr�mogo fotoperehodu
elektrona z valentno� zoni� Vidomo ���� wo qastotna zale�nist� ko�
efici�nta poglinann�� obumovlenogo takimi perehodami� poda�t�s� u
Smugi eksitonnogo poglinann� v ionnomu napivprovidniku ���
vigl�di funkci�
�����k�
��jD�k
j������k�h
� � ��k ������k�
i�
� ������k�
���
��jD�k
j�S����k��
de D�k
� matriqni� element dipol�nogo momentu perehodu v stan �k
na qastoti � � S����k� � funkci� formi smugi poglinann�� �ka vizna�
qa�t�s� di�sno� i u�vno� qastinami masovogo operatora M����k�
�����k�� i�����k� � funkci� �rina eksitoniv�
Rozgl�da�t�s� vza�modi� pozdov�n�h optiqnih fononiv z perximi
tr�oma eksitonnimi zonami� sformovanimi z nS� staniv� Beruqi do
uvagi slabkist� eksiton�fononno� vza�modi� �EFZ�� mo�na obme�i�
tis� rozgl�dom lini�no� za fononnimi operatorami vza�modi� v odno�
fononnomu nabli�enni� Nehtu�qi eksiton�fononno� vza�modi�� za
uqasti staniv z riznih zon� masovi� operator mo�na zna�ti� obme�iv�
xis� nabli�enn�m drugogo por�dku teori� zburen�� k naslidok� vin
nabuva� vigl�du funkci�� zale�no� vid qastoti svitla � � kvaziimpul��
su eksitonu �k i temperaturi T �
M����k� T �
�
N��
X
n��q
jFn��q�j�
�
� � ��q�T �
� � ��q � ���q� � i
�
�s�T �
� � ��q ����q� � i
�
�
���
de
Fn��q�
�
s
��he��
V��
� I
�e�
n ��q�� I
�h�
n ��q�
q
���
� funkci� EFZ�
I�p�n ��q�
ZZZ
ei��qp��r�j
n��r�j�d�r � �
� fur���obraz wil�nosti rozpodilu elektrona � p
e� abo dirki � p
h�
u n �mu stani� �q ta ���q� � hvil�ovi� vektor i energi� fonona� �qe
mh�q�mex � �qh
me�q�mex � me � mh i mex
me
mh � masi vidpovidno
elektrona� dirki i eksitonu� � veliqina� wo vrahovu� pozdov�n�
relaksaci� eksitoniv ����
Vikoristovu�qi nabir ortonormovanih hvil�ovih funkci� vodne�
vopodibno� sistemi u nS �stanah � n
�� �� �� ���� ta rozvinenn� u r�d
za sferiqnimi funkci�mi
ei��q��r�
�X
l��
��l � ��iljl�qr�Pl�cos �qr�� �
�
de jl�x� � sferiqni funkci� Bessel�� P �cos � � � polinomi Le�andra
l� go por�dku� a �qr � kut mi� vektorami �q i �r � otrimu�mo analitiq�
��� O� Derev�nquk� N� Kramar� V� Kramar
ni� vigl�d funkci� � �� Unaslidok sferiqno� simetri� hvil�ovih funk�
ci� S �staniv� nenul�ovi� vnesok u integral � � dadut� lixe dodanki z
l
�� Todi� za umovi
P��cos �qr�
�� j��qr�
sin qr
qr
�
oder�u�mo
I
�p�
��q�
�
�a�ex
Z Z Z
exp
�
� �r
aex
�
sin qr
qr
r� sin �drd�d
���
�
qa�ex
�Z
�
drr sin qr � exp
�
� �r
aex
�
�� �
�
�
q�pa
�
ex�
���
wo zbiga�t�s� z virazom� navedenim u ���� ta analogiqno
I
�p�
� ��q�
�� �q�pa
�
ex � �q�pa
�
ex
�� � q�pa
�
ex�
�
� ���
i
I
�p�
� ��q�
�� ��
�
�
�qpaex
�
��
� ��
�
�qpaex
�
��
� �
�
�qpaex
�
��
� �
�
�qpaex
�
�
�
� �
�
�qpaex
�
���� �
���
Analiz dispersi�no� zale�nosti funkci� zv��zku zruqno vikonati u
bezrozmirnih zminnih y
qa�� � a � stala
ratki�� zapisavxi
Fn�y�
s
��he��
V��
� a
�y
h
I�h�n �y�� I�e�n �y�
i
����
p
f��
y
�I�h�n �y�� I�e�n �y���
de f�
��e�a���V��� � stala EFZ�
Nadali vidlik energi� eksitonnogo perehodu do n �� zoni
��
n�k
Eg � Rex
n�
�
�
�k�
�mex
vestimemo vid na�ni�qogo eksitonnogo rivn� E�
Eg � Rex � tak wo
��n�y�
E� � Ly� �Rex��� ��n��� ����
Smugi eksitonnogo poglinann� v ionnomu napivprovidniku ���
de L
�
������mexa
�� � xirina eksitonno� zoni� Usi energetiqni para�
metri zruqno viraziti v odinic�h xirini eksitonno� zoni L � vvesti
poznaqenn� w
�h��E���L i pere�ti v masovomu operatori ��� vid su�
mi za kvaziimpul�som �q do integruvann� za zminno� y � Todi real�na i
u�vna qastini masovogo opratora eksitoniv n� � zoni� wo vza�modi�t�
z optiqnimi fononami� nabuva�t� vigl�du
�n�w�
f��
Z
�
in�y�
y� � q�n�w�
dy� �n�w�
� �f��
in�qn�w��
qn�w�
� ����
de in�y�
�I
�h�
n �y�� I
�e�
n �y��� � qn�w�
��w�Rex��� ��n�� � � � energi�
fonona� a integral beret�s� u sensi golovnogo znaqenn��
Za vidomimi znaqenn�mi di�sno� i u�vno� qastin masovogo operato�
ra mo�na dosliditi qastotnu zale�nist� funkci� formi smugi pogli�
nann�� pov��zanogo z eksitonnim perehodom u n �� stan�
Sn�w�
�n�w�
�w �Rex��� ��n�����w��� � ���w�
� ����
�� REZUL�TATI I OBGOVORENN�
Konkretni rozrahunki vikonani na prikladi napivprovidnikovo� spo�
luki CdS� z vikoristann�m vidomih znaqen� �� fiziqnih parametriv�
posti�na
ratki a
���� ��A�� vidnosni dielektriqni proniknosti
��
��� i ��
� � efektivni masi elektrona me
���m� i dirki
mh
���m� �m� � masa vil�nogo elektrona�� energi� optiqnih fononiv
�
��� meV� xirina zaboroneno� zoni Eg
�� eV� ta rozrahovanih
znaqen� efektivno� stalo� R�dberga Rex
� �
meV� xirini zoni
L
���� eV ta konstanti EFZ f�
������ �h rezul�tati svidqat�
pro na�vnist� dovgohvil�ovogo zmiwenn� smug poglinann�� pov��zanogo
z perehodami �k u osnovni�� tak i u viwi eksitonni stani�
Smuga poglinann�� pov��zanogo z perehodom u osnovni� stan eksi�
tonu� zmiwena v dovgohvil�ovu oblast� �ris� �a� priblizno na �� meV�
Pri T
� K ci smugi trohi asimetriqni � prave krilo zat�gnute u
bik korotkohvil�ovogo diapazonu� P�dviwenn� temperaturi spriqi�
n�� zrostann� zmiwenn� maksimumu smugi v oblast� dovgih hvil�� ��
rozxirenn� ta vidpovidno zmenxenn� visoti v maksimumi poglinann��
Zmenxu�t�s� tako� korotkohvil�ova asimetri� smugi� Sutt�vi pro�
�vi temperaturnih zmin poqina�t�s� pri pri T � ��� K� Verhn�
me�a �h spostere�enn� viznaqa�t�s� umovo� kBT � Rex i stanovit�
� � K� Zmin��qi temperaturu u vkazanih me�ah� mo�na dos�gti zmini
polo�enn� golovnogo eksitonnogo piku na �� meV�
Perehodi u � S� stan eksitonu harakterizu�t�s� ma��e sime�
triqno� smugo�� zmiweno� pri T
� K u dovgohvil�ovu oblast�
priblizno na ��� meV� P�dviwenn� temperaturi spriqin�� neznaqne
�bliz�ko ��� meV� zrostann� zmiwenn� maksimumu smugi v oblast�
dovgih hvil� i praktiqno ne zmin�� �� xirinu � visotu v maksimumi
poglinann� �ris� �b�� Analogiqno � smuga� sformovana perehodami u
� S� stan� simetriqna� zmiwena v to� sami� bik� lixe na znaqno menxu
��� O� Derev�nquk� N� Kramar� V� Kramar
-0,16 -0,12 -0,08
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
CdS
T = 250 K
T = 200 K
T = 150 K 0 < T < 100 K
S 1 (w
)
w
)
0,143 0,144 0,145 0,146 0,147
0,0
0,5
1,0
CdS
T = 200 K
T = 250 K
T = 150 K
0 < T < 100 K
S 2(w
)
w
)
0,176 0,180 0,184
0,0
0,5
1,0
T = 250 K
0 < T < 100 K
CdS
S 3(w
)
w
)
Ris� �� Funkci� formi smug poglinann� Sn�w� eksitonnih perehodiv
u nS� stani � n
�� �� ���
veliqinu � ���� meV� Polo�enn�� xirina ta visota pika eksitonnogo
perehodu v � S �stan praktiqno ne zale�at� vid temperaturi �ris� �v��
Vva�a�qi� wo sila oscil�tora eksitonnogo perehodu oberneno
Smugi eksitonnogo poglinann� v ionnomu napivprovidniku ���
0,15 0,16 0,17 0,18
0,00
0,04
0,08
0,12
3S
2S
T = 250 K
0 < T < 100 K CdS
I,
ar
b.
u
n.
w
Ris� �� Temperaturni zmini vza�mnogo roztaxuvann� spektral�nih
smug eksitonnih perehodiv u nS �stani vidnosno polo�en�� viznaqenih
bez urahuvann� eksiton�fononno� vza�modi� �vertikal�ni vidrizki�
proporci�na do n� � �� mo�na pobuduvati shematiqno spektr pogli�
nann� v oblasti perehodiv u viwi eksitonni stani �ris� ��� k baqimo�
spektral�ni smugi n
� i n
� vuz�ki � dobre rozdileni� wo da�
zmogu sposterigati �h okremo�
Riznici hvil�ovih qisel � k� � k � i � k� � k � doslid�uvanih pe�
rehodiv� viznaqeni na osnovi navedenih rozrahunkiv u vkazanih kri�
stalah� pereviwu�t� obqisleni za formulo� ��� u ��
� i ��
� raz� a
�h vidnoxenn� � k� � k � �� k� � k � � u ���� raz� Ce� fakt svidqit�
pro na�vnist� poruxenn� serial�nih zakonomirnoste� ta vidminnist�
efektivnosti eksiton�fononno� vza�modi� u � S� � � S� i � S� stanah
doslid�uvanogo kristala�
�� VISNOVKI
Na pidstavi navedenih rozrahunkiv mo�na stverd�uvati� take�
�� Sutt�vo� priqino� eksperimental�no spostere�uvanogo vidhi�
lenn� vid serial�nih zakonomirnoste� eksitonnih smug poglinan�
n� mo�e buti eksiton�fononna vza�modi�� rol� �ko� posil�vati�
met�s� pri zrostanni temperaturi�
�� Vidminnosti vplivu eksiton�fononno� vza�modi� na polo�enn�
smug� viklikanih perehodami u osnovni� ta viwi eksitonni stani�
po�sn��t�s� vidminnost�mi zale�nosti vidpovidnih funkci� EFZ
���� vid kvaziimpul�su� k naslidok� zmiwenn� � rozxirenn� smugi
viznaqa�t�s� ne lixe znaqenn�m stalo� EFZ f� � a � znaqenn�m
energi� zv��zku eksitonu Rex ta xirini zaboroneno� zoni Eg �
��� O� Derev�nquk� N� Kramar� V� Kramar
L�TERATURA
��� �ksitony� Pod red� ��I� Raxba� M�D� Stred�a� M�� Nauka� ��� �
�
s�
��� Davydov A�S� Teori� tverdogo tela� M�� Nauka� ���
�
�� s�
��� Brodin M�S�� Blonski� I�V� �ksitonnye processy v sloistyh
kristallah� K�� Nauk� Dumka� ���
� � � s�
��� Gross E�F� Uspehi fiz� nauk� ��
�� ���
� ��������
� � F�n G� Foton��lektronnoe vzaimode�stvie v kristallah v otsut�
stvie vnexnih pole�� M�� Mir� ��
�� ��
s�
�
� Elliott R� Phys� Rev� �� �� ����
� ����������
��� Moskalenko S�� Xmigl�k M� Qinik B� V kn�� �ksitonnoe poglo�
wenie sveta i kinetika �ksitonov v poluprovodnikah� Kixinev�
Izd�vo AN MSSR� ��
�� ��
�
��� Lubqenko A�F�� Nicoviq V�M�� Tkaq N�V� Teor� mat� fiz� ����� ���
�� �� �����
��� Lubqenko A�F�� Nicoviq V�M�� Tkaq N�V� Ukr� fiz� �urn� ��� � ���
��� �
� ����
�
���� Tkaq N�V� Ukr� fiz� �urn� ����� ���
��� ��� ������
���� Tkaq N�V�� Nicoviq V�M� � Voron�k ��M� Ukr� fiz� �urn� ����� ���
�� �����
���� Nicoviq B�M� Fiz� tv� tela� ���
� ���
�� ����������
���� Kurik M�V�� Savquk A�I�� Rarenko I�M� Optika i spektroskopi��
��
�� ���
� ���������
���� Krehivski� O�V�� Nicoviq B�M�� Falenquk V�D� Preprint
���
In�t fiziki AN USSR� Kiev� ���� �� s�
�� � Nitsovich B�M�� Krehivskii O�V�� Pestryakov G�M� Phys� Stat� Sol� �b��
����� � ��
��
��
�
��
� Gibbs H� Optiqeska� bistabil�nost�� M�� Mir� ����� �� s�
���� Vakarquk I�O� Kvantova mehanika� L�viv� LDU im� I� Franka� �����
�
s�
Smugi eksitonnogo poglinann� v ionnomu napivprovidniku ��
TEMPERATURE
DEPENDENT CHANGES OF THE EXCITON
ABSORPTION SPECTRA IN POLAR SEMICONDUCTOR
WITH WEAK ELECTRON
PHONON COUPLING
Aleksandr DEREVYANCHUK� Natalia KRAMAR� Valeriy KRAMAR
Yuriy Fed�kovych Chernivtsi National University�
� Kotsyubynsky Str�� Chernivtsi ����
e�mail� kramar�itf�cv�ua
In the approximations of dielectric continuum for phonons and within the
e�ective masses for electrons� the e�ect of longitudinal optical phonons on
the formation of exciton spectra in polar semiconductors is determined by the
Green�s function method� The calculations have been made using the Mott�
Vannier model of exciton in n S�states � n
�� �� �� for a semiconductor
compound CdS as an example� The results obtained make it possible to con�
�rm that interaction of exciton with the longitudinal optical phonons manifest
itself in the shift of absorption band peaks to low�energy region� The value of
the shift varies for di�erent states and depends on the temperature� This may
be the cause of the violation of serial regularities of exciton absorption bands�
Unlike the main one � n
��� the temperature change of the position of the
peaks and of the width of higher exciton bands as a result of interaction with
optical phonons is considered to be non�essential�
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-75282 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1563-3569 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:27:35Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Західний науковий центр НАН України і МОН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Деревянчук, О. Крамар, Н. Крамар, В. 2015-01-27T20:02:45Z 2015-01-27T20:02:45Z 2011 Температурні трансформацiї смуг екситонного поглинання в iонному напiвпровiднику зі слабким електрон-фононним зв'язком / О. Деревянчук, Н. Крамар, В. Крамар // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 317-325. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. 1563-3569 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75282 In the approximations of dielectric continuum for phonons and within the effective masses for electrons the effect of longitudinal optical phonons on the formation of exciton spectra in polar semiconductors is determined by the Green s function method The calculations have been made using the Mott-Vannier model of exciton in n S-states ( n = 1, 2, 3) for a semiconductor compound CdS as an example The results obtained make it possible to confirm that interaction of exciton with the longitudinal optical phonons manifest itself in the shift of absorption band peaks to low-energy region. The value of the shift varies for different states and depends on the temperature. This may be the cause of the violation of serial regularities of exciton absorption bands Unlike the main one ( n = 1) the temperature change of the position of the peaks and of the width of higher exciton bands as a result of interaction with optical phonons is considered to be nonessential. uk Західний науковий центр НАН України і МОН України Праці наукового товариства ім. Шевченка Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників" Температурні трансформацiї смуг екситонного поглинання в iонному напiвпровiднику зі слабким електрон-фононним зв'язком Тemperature dependent changes of the exciton absorption spectra in polar semiconductor with weak electron phonon coupling Article published earlier |
| spellingShingle | Температурні трансформацiї смуг екситонного поглинання в iонному напiвпровiднику зі слабким електрон-фононним зв'язком Деревянчук, О. Крамар, Н. Крамар, В. Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників" |
| title | Температурні трансформацiї смуг екситонного поглинання в iонному напiвпровiднику зі слабким електрон-фононним зв'язком |
| title_alt | Тemperature dependent changes of the exciton absorption spectra in polar semiconductor with weak electron phonon coupling |
| title_full | Температурні трансформацiї смуг екситонного поглинання в iонному напiвпровiднику зі слабким електрон-фононним зв'язком |
| title_fullStr | Температурні трансформацiї смуг екситонного поглинання в iонному напiвпровiднику зі слабким електрон-фононним зв'язком |
| title_full_unstemmed | Температурні трансформацiї смуг екситонного поглинання в iонному напiвпровiднику зі слабким електрон-фононним зв'язком |
| title_short | Температурні трансформацiї смуг екситонного поглинання в iонному напiвпровiднику зі слабким електрон-фононним зв'язком |
| title_sort | температурні трансформацiї смуг екситонного поглинання в iонному напiвпровiднику зі слабким електрон-фононним зв'язком |
| topic | Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників" |
| topic_facet | Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників" |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75282 |
| work_keys_str_mv | AT derevânčuko temperaturnítransformaciísmugeksitonnogopoglinannâvionnomunapivprovidnikuzíslabkimelektronfononnimzvâzkom AT kramarn temperaturnítransformaciísmugeksitonnogopoglinannâvionnomunapivprovidnikuzíslabkimelektronfononnimzvâzkom AT kramarv temperaturnítransformaciísmugeksitonnogopoglinannâvionnomunapivprovidnikuzíslabkimelektronfononnimzvâzkom AT derevânčuko temperaturedependentchangesoftheexcitonabsorptionspectrainpolarsemiconductorwithweakelectronphononcoupling AT kramarn temperaturedependentchangesoftheexcitonabsorptionspectrainpolarsemiconductorwithweakelectronphononcoupling AT kramarv temperaturedependentchangesoftheexcitonabsorptionspectrainpolarsemiconductorwithweakelectronphononcoupling |