Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках
Warm up dependency of the ground state exciton energy in a at semiconductor based nanofilm was studied by Green s function method. The binding energy of exciton and its dependency on the temperature has been evaluated using the Bethe method Numeric calculations for at nanofilms based on the double h...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Праці наукового товариства ім. Шевченка |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Західний науковий центр НАН України і МОН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75284 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках / В. Крамар // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 335-345. — Бібліогр.: 29 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-75284 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Крамар, В. 2015-01-27T20:10:52Z 2015-01-27T20:10:52Z 2011 Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках / В. Крамар // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 335-345. — Бібліогр.: 29 назв. — укр. 1563-3569 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75284 Warm up dependency of the ground state exciton energy in a at semiconductor based nanofilm was studied by Green s function method. The binding energy of exciton and its dependency on the temperature has been evaluated using the Bethe method Numeric calculations for at nanofilms based on the double hetero junction GaAs/AlxGa1-xAs were performed as an example. It is found that the exciton binding energy practically does not depend on the temperature T in the studied nanosystems having a weak electron phonon coupling Energy of the ground state exciton transition de creases with an increase of T according to nonlinear law due to the carrier energy transformations by electron phonon interaction. The scale of the exciton energy warm up changes in a nanofilm depends on its thickness a and has the greatest value in case a =<10 nm. uk Західний науковий центр НАН України і МОН України Праці наукового товариства ім. Шевченка Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників" Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках Warm-up changes of the excinon transition energy in the flat semiconductor-based nanofilms Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках |
| spellingShingle |
Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках Крамар, В. Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників" |
| title_short |
Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках |
| title_full |
Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках |
| title_fullStr |
Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках |
| title_full_unstemmed |
Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках |
| title_sort |
температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках |
| author |
Крамар, В. |
| author_facet |
Крамар, В. |
| topic |
Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників" |
| topic_facet |
Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників" |
| publishDate |
2011 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Праці наукового товариства ім. Шевченка |
| publisher |
Західний науковий центр НАН України і МОН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Warm-up changes of the excinon transition energy in the flat semiconductor-based nanofilms |
| description |
Warm up dependency of the ground state exciton energy in a at semiconductor based nanofilm was studied by Green s function method. The binding energy of exciton and its dependency on the temperature has been evaluated using the Bethe method Numeric calculations for at nanofilms based on the double hetero junction GaAs/AlxGa1-xAs were performed as an example. It is found that the exciton binding energy practically does not depend on the temperature T in the studied nanosystems having a weak electron phonon coupling Energy of the ground state exciton transition de creases with an increase of T according to nonlinear law due to the carrier energy transformations by electron phonon interaction. The scale of the exciton energy warm up changes in a nanofilm depends on its thickness a and has the greatest value in case a =<10 nm.
|
| issn |
1563-3569 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75284 |
| citation_txt |
Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках / В. Крамар // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 335-345. — Бібліогр.: 29 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT kramarv temperaturnízmínienergííeksitonnogoperehoduvploskihnapívprovídnikovihnanoplívkah AT kramarv warmupchangesoftheexcinontransitionenergyintheflatsemiconductorbasednanofilms |
| first_indexed |
2025-12-07T20:30:32Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:30:32Z |
| _version_ |
1850882845748232192 |