Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках
Warm up dependency of the ground state exciton energy in a at semiconductor based nanofilm was studied by Green s function method. The binding energy of exciton and its dependency on the temperature has been evaluated using the Bethe method Numeric calculations for at nanofilms based on the double h...
Saved in:
| Published in: | Праці наукового товариства ім. Шевченка |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Західний науковий центр НАН України і МОН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75284 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках / В. Крамар // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 335-345. — Бібліогр.: 29 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862743488464945152 |
|---|---|
| author | Крамар, В. |
| author_facet | Крамар, В. |
| citation_txt | Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках / В. Крамар // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 335-345. — Бібліогр.: 29 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Праці наукового товариства ім. Шевченка |
| description | Warm up dependency of the ground state exciton energy in a at semiconductor based nanofilm was studied by Green s function method. The binding energy of exciton and its dependency on the temperature has been evaluated using the Bethe method Numeric calculations for at nanofilms based on the double hetero junction GaAs/AlxGa1-xAs were performed as an example. It is found that the exciton binding energy practically does not depend on the temperature T in the studied nanosystems having a weak electron phonon coupling Energy of the ground state exciton transition de creases with an increase of T according to nonlinear law due to the carrier energy transformations by electron phonon interaction. The scale of the exciton energy warm up changes in a nanofilm depends on its thickness a and has the greatest value in case a =<10 nm.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:30:32Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-75284 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1563-3569 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:30:32Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Західний науковий центр НАН України і МОН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Крамар, В. 2015-01-27T20:10:52Z 2015-01-27T20:10:52Z 2011 Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках / В. Крамар // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 335-345. — Бібліогр.: 29 назв. — укр. 1563-3569 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75284 Warm up dependency of the ground state exciton energy in a at semiconductor based nanofilm was studied by Green s function method. The binding energy of exciton and its dependency on the temperature has been evaluated using the Bethe method Numeric calculations for at nanofilms based on the double hetero junction GaAs/AlxGa1-xAs were performed as an example. It is found that the exciton binding energy practically does not depend on the temperature T in the studied nanosystems having a weak electron phonon coupling Energy of the ground state exciton transition de creases with an increase of T according to nonlinear law due to the carrier energy transformations by electron phonon interaction. The scale of the exciton energy warm up changes in a nanofilm depends on its thickness a and has the greatest value in case a =<10 nm. uk Західний науковий центр НАН України і МОН України Праці наукового товариства ім. Шевченка Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників" Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках Warm-up changes of the excinon transition energy in the flat semiconductor-based nanofilms Article published earlier |
| spellingShingle | Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках Крамар, В. Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників" |
| title | Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках |
| title_alt | Warm-up changes of the excinon transition energy in the flat semiconductor-based nanofilms |
| title_full | Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках |
| title_fullStr | Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках |
| title_full_unstemmed | Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках |
| title_short | Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках |
| title_sort | температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках |
| topic | Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників" |
| topic_facet | Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників" |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75284 |
| work_keys_str_mv | AT kramarv temperaturnízmínienergííeksitonnogoperehoduvploskihnapívprovídnikovihnanoplívkah AT kramarv warmupchangesoftheexcinontransitionenergyintheflatsemiconductorbasednanofilms |