Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках

• Veröffentlicht in: Праці наукового товариства ім. Шевченка
• Datum: 2011
• 1. Verfasser: Крамар, В.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Західний науковий центр НАН України і МОН України 2011
• Schlagworte: Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75284
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках / В. Крамар // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 335-345. — Бібліогр.: 29 назв. — укр.

Warm up dependency of the ground state exciton energy in a at semiconductor based nanofilm was studied by Green s function method. The binding energy of exciton and its dependency on the temperature has been evaluated using the Bethe method Numeric calculations for at nanofilms based on the double h...