Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках

• Опубліковано в: : Праці наукового товариства ім. Шевченка
• Дата: 2011
• Автор: Крамар, В.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Західний науковий центр НАН України і МОН України 2011
• Теми: Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75284
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках / В. Крамар // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 335-345. — Бібліогр.: 29 назв. — укр.

Warm up dependency of the ground state exciton energy in a at semiconductor based nanofilm was studied by Green s function method. The binding energy of exciton and its dependency on the temperature has been evaluated using the Bethe method Numeric calculations for at nanofilms based on the double h...