Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si

The paper is devoted to the technological peculiarities of growing the A²B⁶ needle crystals the solid solutions on its basis as well as silicon crystals originally developed and realized by the author. Physical properties of these materials are explored in dependence on composition and form of growt...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Праці наукового товариства ім. Шевченка
Date:2011
Main Author: Витрихівський, М.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Західний науковий центр НАН України і МОН України 2011
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75285
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si / М. Витрихівський // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 305-308. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-75285
record_format dspace
spelling Витрихівський, М.
2015-01-27T20:15:14Z
2015-01-27T20:15:14Z
2011
Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si / М. Витрихівський // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 305-308. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.
1563-3569
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75285
The paper is devoted to the technological peculiarities of growing the A²B⁶ needle crystals the solid solutions on its basis as well as silicon crystals originally developed and realized by the author. Physical properties of these materials are explored in dependence on composition and form of growth. These crystals may be used in quantum electronics.
uk
Західний науковий центр НАН України і МОН України
Праці наукового товариства ім. Шевченка
Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
Тhe needle crystals of Si and A²B⁶ semiconductors
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
spellingShingle Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
Витрихівський, М.
Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
title_short Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
title_full Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
title_fullStr Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
title_full_unstemmed Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
title_sort голчастi кристали напівпровідників a²b⁶ i si
author Витрихівський, М.
author_facet Витрихівський, М.
topic Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
topic_facet Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
publishDate 2011
language Ukrainian
container_title Праці наукового товариства ім. Шевченка
publisher Західний науковий центр НАН України і МОН України
format Article
title_alt Тhe needle crystals of Si and A²B⁶ semiconductors
description The paper is devoted to the technological peculiarities of growing the A²B⁶ needle crystals the solid solutions on its basis as well as silicon crystals originally developed and realized by the author. Physical properties of these materials are explored in dependence on composition and form of growth. These crystals may be used in quantum electronics.
issn 1563-3569
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75285
citation_txt Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si / М. Витрихівський // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 305-308. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT vitrihívsʹkiim golčastikristalinapívprovídnikíva2b6isi
AT vitrihívsʹkiim theneedlecrystalsofsianda2b6semiconductors
first_indexed 2025-12-07T20:51:29Z
last_indexed 2025-12-07T20:51:29Z
_version_ 1850884164173168640