Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si

• Veröffentlicht in: Праці наукового товариства ім. Шевченка
• Datum: 2011
• 1. Verfasser: Витрихівський, М.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Західний науковий центр НАН України і МОН України 2011
• Schlagworte: Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75285
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si / М. Витрихівський // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 305-308. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.

The paper is devoted to the technological peculiarities of growing the A²B⁶ needle crystals the solid solutions on its basis as well as silicon crystals originally developed and realized by the author. Physical properties of these materials are explored in dependence on composition and form of growt...