Исследование стекла системы Ag₂O—B₂O₃ методом сканирующей туннельной микроскопии с полупроводниковым алмазным остриём
Представлены исследования стекла системы Ag₂O—B₂O₃. Было установлено, что можно использовать сканирующий туннельный микроскоп для исследования качества обработки поверхности. Также был рассмотрен случай перепада высот при переходе от материала стекла к материалу вставки Ni. Наведено дослідження скла...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2012
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75293 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Исследование стекла системы Ag₂O—B₂O₃ методом сканирующей туннельной микроскопии с полупроводниковым алмазным остриём / М.А. Цысарь // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 2. — С. 343-349. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Представлены исследования стекла системы Ag₂O—B₂O₃. Было установлено, что можно использовать сканирующий туннельный микроскоп для исследования качества обработки поверхности. Также был рассмотрен случай перепада высот при переходе от материала стекла к материалу вставки Ni.
Наведено дослідження скла системи Ag₂O—B₂O₃. Показано, що можливо використовувати сканувальний тунельний мікроскоп для дослідження якости оброблення поверхні. Також розглянуто випадок перепаду висот при переході від матеріялу скла до матеріялу вставки Ni.
Investigation of Ag₂O—B₂O₃ glass is presented. As established, the method of scanning tunnelling microscopy can be used to determine a surface quality. A case of step on boundary between glass and Ni interlayer is also considered.
|
|---|---|
| ISSN: | 1816-5230 |