Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами

The computational method of current voltage characteristics of metal undoped semiconductor (i) - doped semiconductor substrate (n)+ structure with clusters of defects is described. The offered method permits to take into account the elastic deformations near the defect deformation structures and the...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Праці наукового товариства ім. Шевченка
Date:2011
Main Authors: Пелещак, Р., Данньків, О., Кузик, О.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Західний науковий центр НАН України і МОН України 2011
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75363
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами / Р. Пелещак, О. Даньків, О. Кузик // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 361-372. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-75363
record_format dspace
spelling Пелещак, Р.
Данньків, О.
Кузик, О.
2015-01-28T21:57:00Z
2015-01-28T21:57:00Z
2011
Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами / Р. Пелещак, О. Даньків, О. Кузик // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 361-372. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.
1563-3569
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75363
The computational method of current voltage characteristics of metal undoped semiconductor (i) - doped semiconductor substrate (n)+ structure with clusters of defects is described. The offered method permits to take into account the elastic deformations near the defect deformation structures and the deformations caused by a mismatch of crystal lattices of contacting semiconductor materials.
uk
Західний науковий центр НАН України і МОН України
Праці наукового товариства ім. Шевченка
Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами
Мodelling of current-voltage characteristics of structure metal-i-n⁺ with the self-organized nanoclusters
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами
spellingShingle Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами
Пелещак, Р.
Данньків, О.
Кузик, О.
Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
title_short Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами
title_full Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами
title_fullStr Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами
title_full_unstemmed Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами
title_sort моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами
author Пелещак, Р.
Данньків, О.
Кузик, О.
author_facet Пелещак, Р.
Данньків, О.
Кузик, О.
topic Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
topic_facet Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
publishDate 2011
language Ukrainian
container_title Праці наукового товариства ім. Шевченка
publisher Західний науковий центр НАН України і МОН України
format Article
title_alt Мodelling of current-voltage characteristics of structure metal-i-n⁺ with the self-organized nanoclusters
description The computational method of current voltage characteristics of metal undoped semiconductor (i) - doped semiconductor substrate (n)+ structure with clusters of defects is described. The offered method permits to take into account the elastic deformations near the defect deformation structures and the deformations caused by a mismatch of crystal lattices of contacting semiconductor materials.
issn 1563-3569
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75363
citation_txt Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами / Р. Пелещак, О. Даньків, О. Кузик // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 361-372. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT peleŝakr modelûvannâvolʹtampernihharakteristikstrukturimetalinízsamoorganízovaniminanoklasterami
AT dannʹkívo modelûvannâvolʹtampernihharakteristikstrukturimetalinízsamoorganízovaniminanoklasterami
AT kuziko modelûvannâvolʹtampernihharakteristikstrukturimetalinízsamoorganízovaniminanoklasterami
AT peleŝakr modellingofcurrentvoltagecharacteristicsofstructuremetalinwiththeselforganizednanoclusters
AT dannʹkívo modellingofcurrentvoltagecharacteristicsofstructuremetalinwiththeselforganizednanoclusters
AT kuziko modellingofcurrentvoltagecharacteristicsofstructuremetalinwiththeselforganizednanoclusters
first_indexed 2025-12-07T15:51:37Z
last_indexed 2025-12-07T15:51:37Z
_version_ 1850865297259495424