Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами

• Опубліковано в: : Праці наукового товариства ім. Шевченка
• Дата: 2011
• Автори: Пелещак, Р., Данньків, О., Кузик, О.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Західний науковий центр НАН України і МОН України 2011
• Теми: Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75363
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами / Р. Пелещак, О. Даньків, О. Кузик // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 361-372. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

The computational method of current voltage characteristics of metal undoped semiconductor (i) - doped semiconductor substrate (n)+ structure with clusters of defects is described. The offered method permits to take into account the elastic deformations near the defect deformation structures and the...