Особенности распределения электрического поля в 1D фотонных кристаллах с тремя полуволновыми дефектами
Исследованы спектральные характеристики пропускания пространственно-ограниченных 1D фотонных кристаллов с тремя полуволновыми
 дефектами. Фотонный кристалл состоит из 49 чередующихся слоёв оксидов кремния и титана. Найдена структура кристалла и положение полуволновых дефектов, при которых в...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2012
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75860 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Особенности распределения электрического поля в 1D фотонных кристаллах с тремя полуволновыми дефектами / Ю.А. Первак, В.В. Федоров
 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 3. — С. 467-476. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862668632382767104 |
|---|---|
| author | Первак, Ю.А. Федоров, В.В. |
| author_facet | Первак, Ю.А. Федоров, В.В. |
| citation_txt | Особенности распределения электрического поля в 1D фотонных кристаллах с тремя полуволновыми дефектами / Ю.А. Первак, В.В. Федоров
 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 3. — С. 467-476. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | Исследованы спектральные характеристики пропускания пространственно-ограниченных 1D фотонных кристаллов с тремя полуволновыми
дефектами. Фотонный кристалл состоит из 49 чередующихся слоёв оксидов кремния и титана. Найдена структура кристалла и положение полуволновых дефектов, при которых в области фотонной запрещённой зоны
отчётливо проявляются три узкие разрешённые зоны. Исследовано влияние степени согласованности дефектов на положение возникающих разрешённых зон и пространственное распределение электрического поля в
1D фотонном кристалле. Установлено, что электрическое поле концентрируется в середине дефектных слоёв с меньшей диэлектрической проницаемостью, а в случае высокой диэлектрической проницаемости дефектного полуволнового слоя – на интерфейсах слоёв с низкой и высокой диэлектрической проницаемостью. Показано, что при увеличении разни
цы в толщине центрального и двух крайних резонаторов, образующих
дефекты фотонного кристалла, существенно возрастает электрическое
поле в области резонаторов. При разнице в толщинах 40% электрическое
поле в области резонаторных слоёв превышает электрическое поле на
входной поверхности в 5000 раз.
Досліджено спектральні характеристики пропускання просторово-обмежених 1D фотонних кристалів з трьома півхвильовими дефектами. Фотонний кристал містить 49 шарів оксидів кремнію і титану, що чергуються. Знайдено структуру кристалу і положення півхвильових дефектів, за
яких в області фотонної забороненої зони виразно виявляються три вузькі
дозволені зони. Досліджено вплив ступеня погоджености дефектів на положення дозволених зон, що виникають, і просторовий розподіл електричного поля в 1D фотонному кристалі. Встановлено, що електричне поле
концентрується всередині дефектних шарів з меншою діелектричною
проникністю, а у випадку високої діелектричної проникности дефектного
півхвильового шару – на інтерфейсах шарів з низькою та високою діелектричною проникністю. Показано, що збільшення ріжниці в товщині центрального та двох крайніх резонаторів, що утворюють дефекти фотонного кристалу, істотно зростає електричне поле в області резонаторів. За
ріжниці в товщині у 40% електричне поле в області резонаторних шарів
перевищує електричне поле на вхідній поверхні в 5000 разів.
Spectral transmission characteristics of the spatially bounded 1D photonic
crystals with three half-wave defects are investigated. A photonic crystal
consists of 49 alternating layers of silicon and titanium oxides. The structure
of crystal and positions of half-wave defects are found, for which three narrow
allowed bands distinctively manifest themselves in a region of the forbidden
photonic zone. Influence of degree of compliance of defects on positions
of the narrow transmission zones and spatial distribution of electric
field within the 1D photonic crystal is investigated. As revealed, the electric
field is concentrated in the middle of defect layers with a less permittivity,
and in the case of high permittivity of defect half-wave layer, it concentrates
on the interfaces of layers with low and high permittivity. As shown, the increase
of difference in thicknesses of central and two outer resonators, which
form the defects of photonic crystal, results in substantial increase of the
electric field in resonators. At a difference in thicknesses of 40%, the electric
field in resonator layers exceeds the electric field on an entrance surface by
5000 times.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:25:31Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-75860 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:25:31Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Первак, Ю.А. Федоров, В.В. 2015-02-05T12:53:07Z 2015-02-05T12:53:07Z 2012 Особенности распределения электрического поля в 1D фотонных кристаллах с тремя полуволновыми дефектами / Ю.А. Первак, В.В. Федоров
 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 3. — С. 467-476. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1816-5230 PACSnumbers:42.70.Qs,42.79.Bh, 42.79.Wc, 77.84.Bw, 78.67.Pt, 81.70.Fy https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75860 Исследованы спектральные характеристики пропускания пространственно-ограниченных 1D фотонных кристаллов с тремя полуволновыми
 дефектами. Фотонный кристалл состоит из 49 чередующихся слоёв оксидов кремния и титана. Найдена структура кристалла и положение полуволновых дефектов, при которых в области фотонной запрещённой зоны
 отчётливо проявляются три узкие разрешённые зоны. Исследовано влияние степени согласованности дефектов на положение возникающих разрешённых зон и пространственное распределение электрического поля в
 1D фотонном кристалле. Установлено, что электрическое поле концентрируется в середине дефектных слоёв с меньшей диэлектрической проницаемостью, а в случае высокой диэлектрической проницаемости дефектного полуволнового слоя – на интерфейсах слоёв с низкой и высокой диэлектрической проницаемостью. Показано, что при увеличении разни
 цы в толщине центрального и двух крайних резонаторов, образующих
 дефекты фотонного кристалла, существенно возрастает электрическое
 поле в области резонаторов. При разнице в толщинах 40% электрическое
 поле в области резонаторных слоёв превышает электрическое поле на
 входной поверхности в 5000 раз. Досліджено спектральні характеристики пропускання просторово-обмежених 1D фотонних кристалів з трьома півхвильовими дефектами. Фотонний кристал містить 49 шарів оксидів кремнію і титану, що чергуються. Знайдено структуру кристалу і положення півхвильових дефектів, за
 яких в області фотонної забороненої зони виразно виявляються три вузькі
 дозволені зони. Досліджено вплив ступеня погоджености дефектів на положення дозволених зон, що виникають, і просторовий розподіл електричного поля в 1D фотонному кристалі. Встановлено, що електричне поле
 концентрується всередині дефектних шарів з меншою діелектричною
 проникністю, а у випадку високої діелектричної проникности дефектного
 півхвильового шару – на інтерфейсах шарів з низькою та високою діелектричною проникністю. Показано, що збільшення ріжниці в товщині центрального та двох крайніх резонаторів, що утворюють дефекти фотонного кристалу, істотно зростає електричне поле в області резонаторів. За
 ріжниці в товщині у 40% електричне поле в області резонаторних шарів
 перевищує електричне поле на вхідній поверхні в 5000 разів. Spectral transmission characteristics of the spatially bounded 1D photonic
 crystals with three half-wave defects are investigated. A photonic crystal
 consists of 49 alternating layers of silicon and titanium oxides. The structure
 of crystal and positions of half-wave defects are found, for which three narrow
 allowed bands distinctively manifest themselves in a region of the forbidden
 photonic zone. Influence of degree of compliance of defects on positions
 of the narrow transmission zones and spatial distribution of electric
 field within the 1D photonic crystal is investigated. As revealed, the electric
 field is concentrated in the middle of defect layers with a less permittivity,
 and in the case of high permittivity of defect half-wave layer, it concentrates
 on the interfaces of layers with low and high permittivity. As shown, the increase
 of difference in thicknesses of central and two outer resonators, which
 form the defects of photonic crystal, results in substantial increase of the
 electric field in resonators. At a difference in thicknesses of 40%, the electric
 field in resonator layers exceeds the electric field on an entrance surface by
 5000 times. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Особенности распределения электрического поля в 1D фотонных кристаллах с тремя полуволновыми дефектами Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности распределения электрического поля в 1D фотонных кристаллах с тремя полуволновыми дефектами Первак, Ю.А. Федоров, В.В. |
| title | Особенности распределения электрического поля в 1D фотонных кристаллах с тремя полуволновыми дефектами |
| title_full | Особенности распределения электрического поля в 1D фотонных кристаллах с тремя полуволновыми дефектами |
| title_fullStr | Особенности распределения электрического поля в 1D фотонных кристаллах с тремя полуволновыми дефектами |
| title_full_unstemmed | Особенности распределения электрического поля в 1D фотонных кристаллах с тремя полуволновыми дефектами |
| title_short | Особенности распределения электрического поля в 1D фотонных кристаллах с тремя полуволновыми дефектами |
| title_sort | особенности распределения электрического поля в 1d фотонных кристаллах с тремя полуволновыми дефектами |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75860 |
| work_keys_str_mv | AT pervakûa osobennostiraspredeleniâélektričeskogopolâv1dfotonnyhkristallahstremâpoluvolnovymidefektami AT fedorovvv osobennostiraspredeleniâélektričeskogopolâv1dfotonnyhkristallahstremâpoluvolnovymidefektami |