Вплив підшару ґерманію на процес перколяції в тонких плівках паладію
Досліджено електропровідність щойнонанесених ультратонких плівок
 паладію. Показано, що попередньо нанесений на діелектричне підложжя
 підшар ґерманію субатомової товщини пришвидшує процес металізації
 плівок паладію. Для пояснення процесу металізації шару використано
...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2012
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75864 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Вплив підшару ґерманію на процес перколяції в тонких плівках паладію / Р.І. Бігун, М.Д. Бучковська, Б.Р. Пенюх, З.В. Стасюк, Д.С. Леонов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 3. — С. 503-509. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860162942388928512 |
|---|---|
| author | Бігун, Р.І. Бучковська, М.Д. Пенюх, Б.Р. Стасюк, З.В. Леонов, Д.С. |
| author_facet | Бігун, Р.І. Бучковська, М.Д. Пенюх, Б.Р. Стасюк, З.В. Леонов, Д.С. |
| citation_txt | Вплив підшару ґерманію на процес перколяції в тонких плівках паладію / Р.І. Бігун, М.Д. Бучковська, Б.Р. Пенюх, З.В. Стасюк, Д.С. Леонов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 3. — С. 503-509. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | Досліджено електропровідність щойнонанесених ультратонких плівок
паладію. Показано, що попередньо нанесений на діелектричне підложжя
підшар ґерманію субатомової товщини пришвидшує процес металізації
плівок паладію. Для пояснення процесу металізації шару використано
перколяційну теорію. Підшар ґерманію сприяє 2D-механізму росту плівки металу. Розмірні залежності питомого опору плівки паладію описано
за допомогою теорій перенесення заряду в системах обмежених розмірів.
Electrical conduction in as deposited ultrathin palladium films is investigated.
Predeposition of subatomic-thickness Ge sublayer on dielectric substrates
hastens metallization of palladium films. The percolation theory is used for
explanation of the metallisation in palladium layer. The germanium sublayer
promotes 2D mechanism of metal film growth. The size dependences of palladium
film conductivity are explained within the scope of the electronic
transport theory in finite-size systems.
Исследована электропроводность свежеосаждённых ультратонких плёнок палладия. Показано, что предварительное осаждение на диэлектрическую подложку подслоя германия субатомной толщины ускоряет процесс металлизации плёнок палладия. Для объяснения процесса металлизации слоя использована перколяционная теория. Подслой германия содействует 2D-механизму роста плёнки металла. Размерные зависимости
электропроводности плёнок палладия описаны с помощью теорий электронного переноса в системах ограниченных размеров.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:55:35Z |
| format | Article |
| fulltext |
503
PACS numbers: 64.60.ah, 64.60.an,72.10.Fk,72.15.Qm,73.40.-c,73.50.Bk, 73.61.At
Вплив підшару ґерманію на процес перколяції
в тонких плівках паладію
Р. І. Бігун, М. Д. Бучковська, Б. Р. Пенюх, З. В. Стасюк, Д. С. Леонов
*
Львівський національний університет імені Івана Франка,
вул. Драгоманова, 50,
79005 Львів, Україна
*Технічний центр НАН України,
вул. Покровська, 13,
04070 Київ, Україна
Досліджено електропровідність щойнонанесених ультратонких плівок
паладію. Показано, що попередньо нанесений на діелектричне підложжя
підшар ґерманію субатомової товщини пришвидшує процес металізації
плівок паладію. Для пояснення процесу металізації шару використано
перколяційну теорію. Підшар ґерманію сприяє 2D-механізму росту плів-
ки металу. Розмірні залежності питомого опору плівки паладію описано
за допомогою теорій перенесення заряду в системах обмежених розмірів.
Electrical conduction in as deposited ultrathin palladium films is investigat-
ed. Predeposition of subatomic-thickness Ge sublayer on dielectric substrates
hastens metallization of palladium films. The percolation theory is used for
explanation of the metallisation in palladium layer. The germanium sublayer
promotes 2D mechanism of metal film growth. The size dependences of palla-
dium film conductivity are explained within the scope of the electronic
transport theory in finite-size systems.
Исследована электропроводность свежеосаждённых ультратонких плё-
нок палладия. Показано, что предварительное осаждение на диэлектри-
ческую подложку подслоя германия субатомной толщины ускоряет про-
цесс металлизации плёнок палладия. Для объяснения процесса металли-
зации слоя использована перколяционная теория. Подслой германия со-
действует 2D-механизму роста плёнки металла. Размерные зависимости
электропроводности плёнок палладия описаны с помощью теорий элек-
тронного переноса в системах ограниченных размеров.
Ключові слова: тонкі металеві плівки, перколяція, електропровідність.
(Отримано 15 серпня 2012 р.)
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies
2012, т. 10, № 3, сс. 503—509
© 2012 ІМФ (Інститут металофізики
ім. Г. В. Курдюмова НАН України)
Надруковано в Україні.
Фотокопіювання дозволено
тільки відповідно до ліцензії
504 Р. І. БІГУН, М. Д. БУЧКОВСЬКА, Б. Р. ПЕНЮХ та ін.
1. ВСТУП
Розроблення методик препарування ультратонких провідних плів-
кових шарів зі стабільною структурою та електричними властивос-
тями обумовлено потребами сучасного виробництва мікроелект-
ронних приладів. У початковій стадії зародження і росту металевої
плівки на діелектричній підкладці коаґуляція зародків кристалі-
зації металу призводить до формування шарів з острівцевою струк-
турою. Металевий характер провідности в плівці звичайно форму-
ється при відносно великих товщинах плівок, коли окремі острівці
фізично контактують між собою. Послабнення процесу коаґуляції в
плівці можна досягти шляхом попереднього нанесення на діелект-
ричну підкладку підшарів слабкопровідних поверхнево-активних
матеріялів завтовшки в декілька атомових шарів. З цією метою
можуть використовуватися різні матеріяли, зокрема, ґерманій,
кремній, стибій [1]. Використання згаданих підшарів сприяє зме-
ншенню лінійних розмірів кристалітів у порівнянні з розмірами
кристалітів у плівках, нанесених на чисту діелектричну підкладку
[1]. Наслідком цих процесів є зниження товщини металевої плівки,
при якій виникає поріг протікання струму (percolation threshold).
Порогу протікання струму в плівці металу відповідає мінімальна
товщина плівки dc, при якій виникають перші канали провідности
металевого характеру, на відміну від активаційного характеру пе-
ренесення заряду, що забезпечує провідність острівцевої плівки.
Згідно з перколяційним моделем [2, 3] в околі переходу від острів-
цевої плівки до електрично суцільної плівки, опір R плівки металу
можна представити деякою універсальною функцією товщини d:
R ∝ (d − dc)
−ν
. (1)
Вираз (1) одержано на основі припущення, що (d − dc) ∝ (x − xc), де x
– параметер, що характеризує ступінь заповнености поверхні підк-
ладки металом; xc – параметер перколяції, який дорівнює ступеню
заповнености поверхні підкладки, при якому кристаліти (острівці),
сформують перший провідний канал. Величина xc залежить від фо-
рми та розміру кристалітів. Степеневий показник ν у виразі (1) за-
лежить від механізму росту плівки [3]. Зокрема, при двовимірному
рості плівки (2D-перколяція) степеневий показник ν змінюється від
1 до 1,3, тоді як для 3D-перколяції характерні величини більші за
1,5. Відповідно ступінь заповнення поверхні, що відповідає 2D-
percolation threshold xc ≥ 0,31, а для 3D-режиму росту xc ≥ 0,5.
Метою даної роботи було дослідити вплив підшару ґерманію су-
батомової товщини на поріг протікання струму в щойнонанесених
на охолоджену до 78 К підкладку плівок паладію.
ВПЛИВ ПІДШАРУ Ge НА ПРОЦЕС ПЕРКОЛЯЦІЇ В ТОНКИХ ПЛІВКАХ Pd 505
2. МЕТОДИКА ЕКСПЕРИМЕНТУ
Препарування плівок та дослідження їхньої електропровідности
виконували в евакуйованих скляних експериментальних приладах
при тиску залишкових газів не вищих за 10
−7
Па. У цілому методи-
ка експерименту аналогічна методикам, що використовувалися у
наших попередніх роботах [1]. Досліджувалися щойнонанесені на
охолоджену до 78 К підкладку плівки. Як підкладки використову-
вали оплавлене поліроване скло (чисте або покрите щойнонанесе-
ним підшаром ґерманію масовою товщиною в декілька атомових
шарів). Паладій та ґерманій наносили на підкладку шляхом кон-
денсації пари термічно випаровуваного матеріялу. Швидкість кон-
денсації була стабільною в часі і не перевищувала 0,1 нм/с. Конт-
роль масової товщини підшару ґерманію та плівки паладію здійс-
нювали за зсувом резонансної частоти п’єзокварцового вібратора,
розміщеного в потоці пари випаровуваного матеріялу (Ge або Pd).
Опір плівки паладію вимірювали неперервно в процесі нанесення
двозондовою методою за допомогою приладу Щ301-1 і фіксували за
допомогою ЕОМ. Фіксувалися опори, нижчі за 108
Ом. Опір підша-
ру ґерманію перевищував цю величину.
Обидві підкладки (чиста поверхня скла та поверхня скла, покри-
та підшаром ґерманію) розміщені в приладі поруч, і нанесення па-
ладію на їхні поверхні здійснювали одночасно. Опір обох плівок
вимірювали одним приладом за допомогою електронної схеми, яка
дозволяла почергово комутувати Щ301-1 з плівкою. Дана методика
дозволила одержати надійні, і добре відтворювані дані, що харак-
теризують вплив підшару ґерманію на електропровідність плівок
паладію.
3. РЕЗУЛЬТАТИ ЕКСПЕРИМЕНТУ ТА ЇХНЄ ОБГОВОРЕННЯ
Типові залежності опору щойнонанесених на охолоджену до 78 К
підкладку плівок паладію наведено на рис. 1. Як видно з рисунка,
поведінка величини опорів плівок паладію однакових геометрич-
них розмірів, нанесених на чисте поліроване скло (крива 1), та на
скло, покрите підшаром ґерманію субатомової товщини (крива 2),
відрізняються між собою. У ділянці малих товщин (d < 5—6 нм) опір
плівки, нанесеної на підшар германію, менший за опір плівки, на-
несеної на чисте скло. При товщина, вищих за згадану величину,
опір плівки, нанесеної на підшар германію, більший за опір плівки,
нанесеної на чисте скло. Причиною цього є різні умови виникнення
зародків кристалізації в обох випадках. Сказане стане зрозумілим
після аналізи одержаних залежностей. Згідно з передбаченнями
перколяційного моделю [3], залежність опору плівки від її товщини
лінійна на графіку функції R = R(d), побудованому в логаритмічно-
506 Р. І. БІГУН, М. Д. БУЧКОВСЬКА, Б. Р. ПЕНЮХ та ін.
му масштабі R ∝ (d − dc)
−ν
. У цьому виразі поправка dc чисельно до-
рівнює масовій товщині, при якій виникає перший «металевий»
канал провідности. Графік залежности R = R(d), побудованої на ос-
нові даних рис. 1 з врахуванням сказаного, наведено на рис. 2.
З рисунка видно, що показник степеня ν, відповідно, дорівнює
1,3 для плівки, нанесеної на чисте скло, та 1,2 для плівки, нанесе-
ної на поверхню підшару ґерманію. Перколяційна товщина dc = 2,6
нм для плівки, нанесеної на підшар ґерманію, та dc = 2,9 нм для плі-
вки, нанесеної на поліроване скло. На основі одержаного результа-
ту можна стверджувати, що в обох випадках має місце 2D-
перколяція, бо величина ν ≤ 1,3. Зауважимо, що наведені дані на
рис. 1 і на рис. 2 добре відтворювались в інших експериментах і ве-
личини dc та ν можна узагальнити в таких межах. Для плівок пала-
дію, нанесених на чисте поліроване скло, dc = 2,9±0,5 нм, ν = 1,3±0,1
нм, а для плівок паладію, нанесених на підшар германію,
dc = 2,6±0,5 нм, ν = 1,2±0,1 нм. Крім того, із залежностей, наведених
на рис. 1 і рис. 2, видно, що на ділянці d > 5—6 нм опір плівки, нане-
сеної на чисте скло, менший за опір плівки, нанесеної на підшар ґе-
рманію. Атоми щойнонанесеної плівки (quench condensed) можна
вважати практично нерухомими на поверхні підкладки, а тому з
розгляду виключається можливість дифузії атомів ґерманію в об’єм
плівки металу. Про це також свідчить і стабільність опорів плівок
при Т = 78 К протягом тривалого часу (принаймні, протягом декіль-
кох годин). Тому слід очікувати, що і як у випадку плівок паладію,
нанесених на поліроване скло та підшар ґерманію при 78 К і термі-
чно стабілізованих при 370 К [4], середні лінійні розміри кристалі-
Рис. 1. Залежності опору плівок паладію R від товщини d, нанесених на
чисту скляну підкладку (крива 1) та підкладку, попередньо покриту під-
шаром ґерманію масової товщини 1,5 нм (крива 2), при температурі 78 К.
ВПЛИВ ПІДШАРУ Ge НА ПРОЦЕС ПЕРКОЛЯЦІЇ В ТОНКИХ ПЛІВКАХ Pd 507
тів у плівках, нанесених на скло, більші за середні лінійні розміри
кристалітів у плівках, нанесених на підшар ґерманію.
Оскільки кінетичні коефіцієнти досліджуваних плівок у даному
діяпазоні товщин підлягають прояву класичного розмірного ефек-
ту, цікаво здійснити кількісний опис одержаних експерименталь-
них результатів з використанням існуючих теорій розмірного ефек-
ту. У літературі кількісний опис розмірних залежностей питомого
опору ρ в післяперколяційній ділянці товщин найчастіше здійсню-
ють за допомогою теорій Намба [5] та Віссмана [6].
Наближена розмірна залежність ρ від середньої товщини плівки
d в теорії Намба [5] може бути записана як
ρ(d) = ρ∞[1 + (h/d)2]
−1/2{1 + 3λ[1 + (h/d)2]
−1/8d}, (2)
а у Віссмановій теорії [6] –
ρ(d) = ρ∞[1 + 3(1 − p)/8d + 3(1 − p)h2/8d3]. (3)
У записаних виразах ρ∞ – питомий опір плівки безмежної товщини
(d → ∞), структура якої ідентична будові плівки товщиною d, λ –
середня товщина вільного пробігу носіїв струму в плівці при d → ∞,
p – коефіцієнт дзеркальности поверхневого відбивання носіїв
струму (для дрібнокристалічних плівок p = 0), h – середня амплі-
туда макроскопічних поверхневих неоднорідностей. При d >> h
обидва вирази трансформуються у відомий вираз теорії Фукса—
Рис. 2. Дані рис. 1, побудовані в логаритмічному масштабі в координатах
R—(d − dc). Крива 1 – плівка паладію, осаджена на чисту поверхню скла; 2
– плівка паладію, осаджена на підшари ґерманію товщиною 1,5 нм. Точ-
ки – експериментальні дані, відрізки прямих– лінійна апроксимація.
508 Р. І. БІГУН, М. Д. БУЧКОВСЬКА, Б. Р. ПЕНЮХ та ін.
Зондгаймера, з якого випливає, що при d >> λ розмірна залежність
ρ(d)d = f(d) повинна бути лінійною. Лінійність цієї функції для екс-
периментальних даних зберігається лише в тих випадках, коли
структура плівки не залежить від її товщини, і для опису властиво-
стей плівки можна використовувати величину ρ∞.
На рисунку 3 наведено експериментальні розмірні залежності
ρ(d)d плівок паладію, нанесених на чисте поліроване скло (рис. 3, а)
та на скло, покрите підшаром ґерманію масовою товщиною 1,5 нм
(рис. 3, б). На графіках суцільними лініями показані найближчі до
експериментальних даних теоретичні криві, побудовані на основі
виразів (2) і (3), з відповідним підбором параметра h. З графіків ви-
дно, що крива, побудована на основі теорії Намба, достатньо добре
описує хід експериментальної залежности ρ(d)d від d в околі міні-
муму цієї кривої. Хід кривої, побудованої на основі теорії Віссмана,
при товщина d, менших за dmin, суттєво відрізняється від експери-
ментальних даних. Тому більш реальними є характеристики плі-
вок, розраховані на основі виразу теорії Намба. Зокрема, величини
h1 = 2,9 нм та h2 = 2,5 нм є дещо меншими за величини h1 = 4,5 нм та
h2 = 4,0 нм, одержані нами для термічно стабілізованих при 370 К
плівок паладію [4]. З даних, наведених на рис. 3, можна розрахува-
ти середні лінійні розміри кристалітів у плівках з використанням
відомого виразу теорії Тельє—Тосcе—Пішар [1]:
ρ∞/ρ0 = 1 + 3λ0(1 − t)/[D(1 + t)], (4)
Нàìáà
Нàìáà
³ññìàí
³ññìàí
Нàìáà
Нàìáà
³ññìàí
³ññìàí
а б
Рис. 3. Розмірні залежності ρ(d)d плівок паладію, нанесених на чисте по-
ліроване скло (а) та на скло, покрите підшаром ґерманію масовою товщи-
ною 1,5 нм (б).
ВПЛИВ ПІДШАРУ Ge НА ПРОЦЕС ПЕРКОЛЯЦІЇ В ТОНКИХ ПЛІВКАХ Pd 509
у якому ρ0 – питомий опір масивного зразка металу; λ0 – середня
товщина вільного пробігу носіїв струму в цьому зразку; D – середні
лінійні розміри кристалітів у плівці; t – ймовірність міжзеренного
тунелювання носіїв струму. Для плівок паладію величина t = 0,84
[4].
У результаті одержуємо, що середні лінійні розміри кристалітів у
щойнонанесеній на поверхню чистого скла плівці D = 6 нм, а в плів-
ці, щойнонанесеній на підшар ґерманію, ця величина дорівнює 5
нм. Дана оцінка дає розмірні величини D, оскільки в термічно ста-
білізованих при 370 К плівках паладію на склі D = 10 нм, а в плівці
на підшарі ґерманію D = 8 нм [4]. Зауважимо, що величини серед-
ньої амплітуди поверхневих неоднорідностей, наведені вище, бли-
зькі до h ≅ D/2 [7].
4. ВИСНОВКИ
У межах перколяційного моделю розраховано товщину перколяції
та встановлено режим росту тонких плівок паладію.
Показано, що підшар ґерманію зменшує товщину порогу перко-
ляції та сприяє 2D-режиму росту ультратонких плівок паладію.
Встановлено, що в області товщин d < 3,5 нм розмірні залежності
питомого опору ультратонких плівок паладію не можуть бути опи-
сані в межах моделів Віссмана та Намба.
ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА
1. А. П. Шпак, Р. І. Бігун, З. В. Стасюк, Ю. А. Куницький, Наносистеми, на-
номатеріали, нанотехнології, 8, вип. 2: 339 (2010).
2. M. Walther, D. Cooke, C. Sherstan, M. Hajar, M. Freeman, and F. Hegmann,
Phys. Rev. B, 76: 125408 (1—9) (2007).
3. K. H. Han, Z. S. Lim, and Sung-Ik Lee, Physica B, 167: 185 (1990).
4. Р. І. Бігун, О. Є. Кравченко, З. В. Стасюк, Д. С. Леонов, Металлофиз. но-
вейшие технол., 34, № 4: 469 (2012).
5. H. Hoffmann and J. Vancea, Thin Solid Films, 85: 147 (1981).
6. H. U. Finzel and P. Wissman, Annalen der Physik, 1/2: 5 (1986).
7. Z. V. Stasyuk, Journ. Phys. Studies, 3, No. 1: 102 (1999).
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-75864 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:55:35Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Бігун, Р.І. Бучковська, М.Д. Пенюх, Б.Р. Стасюк, З.В. Леонов, Д.С. 2015-02-05T13:05:43Z 2015-02-05T13:05:43Z 2012 Вплив підшару ґерманію на процес перколяції в тонких плівках паладію / Р.І. Бігун, М.Д. Бучковська, Б.Р. Пенюх, З.В. Стасюк, Д.С. Леонов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 3. — С. 503-509. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. 1816-5230 PACSnumbers:64.60.ah,64.60.an,72.10.Fk,72.15.Qm,73.40.-c,73.50.Bk,73.61.At https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75864 Досліджено електропровідність щойнонанесених ультратонких плівок
 паладію. Показано, що попередньо нанесений на діелектричне підложжя
 підшар ґерманію субатомової товщини пришвидшує процес металізації
 плівок паладію. Для пояснення процесу металізації шару використано
 перколяційну теорію. Підшар ґерманію сприяє 2D-механізму росту плівки металу. Розмірні залежності питомого опору плівки паладію описано
 за допомогою теорій перенесення заряду в системах обмежених розмірів. Electrical conduction in as deposited ultrathin palladium films is investigated.
 Predeposition of subatomic-thickness Ge sublayer on dielectric substrates
 hastens metallization of palladium films. The percolation theory is used for
 explanation of the metallisation in palladium layer. The germanium sublayer
 promotes 2D mechanism of metal film growth. The size dependences of palladium
 film conductivity are explained within the scope of the electronic
 transport theory in finite-size systems. Исследована электропроводность свежеосаждённых ультратонких плёнок палладия. Показано, что предварительное осаждение на диэлектрическую подложку подслоя германия субатомной толщины ускоряет процесс металлизации плёнок палладия. Для объяснения процесса металлизации слоя использована перколяционная теория. Подслой германия содействует 2D-механизму роста плёнки металла. Размерные зависимости
 электропроводности плёнок палладия описаны с помощью теорий электронного переноса в системах ограниченных размеров. uk Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Вплив підшару ґерманію на процес перколяції в тонких плівках паладію Article published earlier |
| spellingShingle | Вплив підшару ґерманію на процес перколяції в тонких плівках паладію Бігун, Р.І. Бучковська, М.Д. Пенюх, Б.Р. Стасюк, З.В. Леонов, Д.С. |
| title | Вплив підшару ґерманію на процес перколяції в тонких плівках паладію |
| title_full | Вплив підшару ґерманію на процес перколяції в тонких плівках паладію |
| title_fullStr | Вплив підшару ґерманію на процес перколяції в тонких плівках паладію |
| title_full_unstemmed | Вплив підшару ґерманію на процес перколяції в тонких плівках паладію |
| title_short | Вплив підшару ґерманію на процес перколяції в тонких плівках паладію |
| title_sort | вплив підшару ґерманію на процес перколяції в тонких плівках паладію |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75864 |
| work_keys_str_mv | AT bígunrí vplivpídšarugermaníûnaprocesperkolâcíívtonkihplívkahpaladíû AT bučkovsʹkamd vplivpídšarugermaníûnaprocesperkolâcíívtonkihplívkahpaladíû AT penûhbr vplivpídšarugermaníûnaprocesperkolâcíívtonkihplívkahpaladíû AT stasûkzv vplivpídšarugermaníûnaprocesperkolâcíívtonkihplívkahpaladíû AT leonovds vplivpídšarugermaníûnaprocesperkolâcíívtonkihplívkahpaladíû |