Фотоґенерація носіїв заряду в тонких плівках нанокомпозитів ПЕПК—С₆₀

Фотоґенерація носіїв заряду в тонких плівках нанокомпозитів ПЕПК—С₆₀

На даний час є недостатньо вивченими етапи процесу фотоґенерації носіїв заряду аморфних напівпровідників з домішками. Було досліджено фотоґенераційні властивості аморфних напівпровідників, допованих фуллеренами в різних концентраціях. Встановлено, що температура топлення композитів полі-N-епоксипроп...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Datum:2012
Hauptverfasser: Заболотний, М.А., Сорока, А.Ю., Дмитренко, О.П., Куліш, М.П., Барабаш, Ю.М., Давиденко, М.О., Студзинський, С.Л., Оласюк, О.П., Рарата, О.М.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2012
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75866
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Фотоґенерація носіїв заряду в тонких плівках нанокомпозитів ПЕПК—С₆₀ / М.А. Заболотний, А.Ю. Сорока, О.П. Дмитренко, М.П. Куліш, Ю.М. Барабаш, М.О. Давиденко, С.Л. Студзинський, О.П. Оласюк, О.М. Рарата // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 3. — С. 519-531. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-75866
record_format dspace
spelling Заболотний, М.А.
Сорока, А.Ю.
Дмитренко, О.П.
Куліш, М.П.
Барабаш, Ю.М.
Давиденко, М.О.
Студзинський, С.Л.
Оласюк, О.П.
Рарата, О.М.
2015-02-05T13:14:05Z
2015-02-05T13:14:05Z
2012
Фотоґенерація носіїв заряду в тонких плівках нанокомпозитів ПЕПК—С₆₀ / М.А. Заболотний, А.Ю. Сорока, О.П. Дмитренко, М.П. Куліш, Ю.М. Барабаш, М.О. Давиденко, С.Л. Студзинський, О.П. Оласюк, О.М. Рарата // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 3. — С. 519-531. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.
1816-5230
PACSnumbers:72.20.Jv,72.80.Tm,73.30.+y,73.50.Gr,73.50.Pz,73.61.Wp,83.60.La
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75866
На даний час є недостатньо вивченими етапи процесу фотоґенерації носіїв заряду аморфних напівпровідників з домішками. Було досліджено фотоґенераційні властивості аморфних напівпровідників, допованих фуллеренами в різних концентраціях. Встановлено, що температура топлення композитів полі-N-епоксипропілкарбазолу (ПЕПК) з фуллеренами С₆₀ зростає при збільшенні концентрації С₆₀. Спостерігалося збільшення ефективної температури при збільшенні концентрації С₆₀, що свідчить про участь С₆₀ у формуванні Кулонових пасток у центрах фотоґенерації носіїв заряду. Значення ефективної температури з точністю у 10% збігається із значенням температури топлення композитів ПЕПК +С₆₀.
The process stages of charge-carriers’ photogeneration in amorphous semiconductors with impurities are under investigation until now. Photogeneration properties of amorphous semiconductors doped by fullerenes of various concentrations are studied. As revealed, the melting point of composites of poly-N-epoxypropylcarbazole (PEPC) with fullerene C₆₀ increases with growing C₆₀ concentration. Increase of effective temperature with growing C₆₀ concentration takes place, indicating the participation of C₆₀ in the formation of Coulomb traps in the centres of charge-carriers’ photogeneration. The value of effective temperature coincides with the value of the melting temperature of PEPC—C₆₀ composites with an accuracy of 10%.
На данный момент недостаточно изученными являются этапы процесса фотогенерации носителей заряда аморфных полупроводников с примесями. Были исследованы фотогенерационные свойства аморфных полупроводников, допированных фуллеренами в разных концентрациях. Установлено, что температура плавления композитов поли-N-эпоксипропилкарбазола (ПЭПК) с фуллеренами С₆₀ возрастает при увеличении концентрации С₆₀. Наблюдалось увеличение эффективной температуры при увеличении концентрации С₆₀, что свидетельствует об участии С₆₀ в формировании кулоновских ловушек в центрах фотогенерации носителей заряда. Значение эффективной температуры с точностью в 10% совпадает со значением температуры плавления композитов ПЭПК + С₆₀.
uk
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Фотоґенерація носіїв заряду в тонких плівках нанокомпозитів ПЕПК—С₆₀
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Фотоґенерація носіїв заряду в тонких плівках нанокомпозитів ПЕПК—С₆₀
spellingShingle Фотоґенерація носіїв заряду в тонких плівках нанокомпозитів ПЕПК—С₆₀
Заболотний, М.А.
Сорока, А.Ю.
Дмитренко, О.П.
Куліш, М.П.
Барабаш, Ю.М.
Давиденко, М.О.
Студзинський, С.Л.
Оласюк, О.П.
Рарата, О.М.
title_short Фотоґенерація носіїв заряду в тонких плівках нанокомпозитів ПЕПК—С₆₀
title_full Фотоґенерація носіїв заряду в тонких плівках нанокомпозитів ПЕПК—С₆₀
title_fullStr Фотоґенерація носіїв заряду в тонких плівках нанокомпозитів ПЕПК—С₆₀
title_full_unstemmed Фотоґенерація носіїв заряду в тонких плівках нанокомпозитів ПЕПК—С₆₀
title_sort фотоґенерація носіїв заряду в тонких плівках нанокомпозитів пепк—с₆₀
author Заболотний, М.А.
Сорока, А.Ю.
Дмитренко, О.П.
Куліш, М.П.
Барабаш, Ю.М.
Давиденко, М.О.
Студзинський, С.Л.
Оласюк, О.П.
Рарата, О.М.
author_facet Заболотний, М.А.
Сорока, А.Ю.
Дмитренко, О.П.
Куліш, М.П.
Барабаш, Ю.М.
Давиденко, М.О.
Студзинський, С.Л.
Оласюк, О.П.
Рарата, О.М.
publishDate 2012
language Ukrainian
container_title Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
format Article
description На даний час є недостатньо вивченими етапи процесу фотоґенерації носіїв заряду аморфних напівпровідників з домішками. Було досліджено фотоґенераційні властивості аморфних напівпровідників, допованих фуллеренами в різних концентраціях. Встановлено, що температура топлення композитів полі-N-епоксипропілкарбазолу (ПЕПК) з фуллеренами С₆₀ зростає при збільшенні концентрації С₆₀. Спостерігалося збільшення ефективної температури при збільшенні концентрації С₆₀, що свідчить про участь С₆₀ у формуванні Кулонових пасток у центрах фотоґенерації носіїв заряду. Значення ефективної температури з точністю у 10% збігається із значенням температури топлення композитів ПЕПК +С₆₀. The process stages of charge-carriers’ photogeneration in amorphous semiconductors with impurities are under investigation until now. Photogeneration properties of amorphous semiconductors doped by fullerenes of various concentrations are studied. As revealed, the melting point of composites of poly-N-epoxypropylcarbazole (PEPC) with fullerene C₆₀ increases with growing C₆₀ concentration. Increase of effective temperature with growing C₆₀ concentration takes place, indicating the participation of C₆₀ in the formation of Coulomb traps in the centres of charge-carriers’ photogeneration. The value of effective temperature coincides with the value of the melting temperature of PEPC—C₆₀ composites with an accuracy of 10%. На данный момент недостаточно изученными являются этапы процесса фотогенерации носителей заряда аморфных полупроводников с примесями. Были исследованы фотогенерационные свойства аморфных полупроводников, допированных фуллеренами в разных концентрациях. Установлено, что температура плавления композитов поли-N-эпоксипропилкарбазола (ПЭПК) с фуллеренами С₆₀ возрастает при увеличении концентрации С₆₀. Наблюдалось увеличение эффективной температуры при увеличении концентрации С₆₀, что свидетельствует об участии С₆₀ в формировании кулоновских ловушек в центрах фотогенерации носителей заряда. Значение эффективной температуры с точностью в 10% совпадает со значением температуры плавления композитов ПЭПК + С₆₀.
issn 1816-5230
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75866
citation_txt Фотоґенерація носіїв заряду в тонких плівках нанокомпозитів ПЕПК—С₆₀ / М.А. Заболотний, А.Ю. Сорока, О.П. Дмитренко, М.П. Куліш, Ю.М. Барабаш, М.О. Давиденко, С.Л. Студзинський, О.П. Оласюк, О.М. Рарата // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 3. — С. 519-531. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT zabolotniima fotogeneracíânosíívzarâduvtonkihplívkahnanokompozitívpepks60
AT sorokaaû fotogeneracíânosíívzarâduvtonkihplívkahnanokompozitívpepks60
AT dmitrenkoop fotogeneracíânosíívzarâduvtonkihplívkahnanokompozitívpepks60
AT kulíšmp fotogeneracíânosíívzarâduvtonkihplívkahnanokompozitívpepks60
AT barabašûm fotogeneracíânosíívzarâduvtonkihplívkahnanokompozitívpepks60
AT davidenkomo fotogeneracíânosíívzarâduvtonkihplívkahnanokompozitívpepks60
AT studzinsʹkiisl fotogeneracíânosíívzarâduvtonkihplívkahnanokompozitívpepks60
AT olasûkop fotogeneracíânosíívzarâduvtonkihplívkahnanokompozitívpepks60
AT rarataom fotogeneracíânosíívzarâduvtonkihplívkahnanokompozitívpepks60
first_indexed 2025-12-07T19:43:33Z
last_indexed 2025-12-07T19:43:33Z
_version_ 1850879889173905408

Ähnliche Einträge