Електрофізичні та теплофізичні властивості наносистеми із структурою «ядро—оболонка» AgI/SiO₂

• Published in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Date: 2012
• Main Authors: Мудрак, І.М., Сторожук, Л.П., Махно, С.М., Горбик, П.П.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2012
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75886
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Електрофізичні та теплофізичні властивості наносистеми із структурою «ядро—оболонка» AgI/SiO₂ / І.М. Мудрак, Л.П. Сторожук, С.М. Махно, П.П. Горбик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 4. — С. 819-827. — Бібліогр.: 29 назв. — укр.

Досліджено електрофізичні та теплофізичні властивості нанокомпозитів AgI/SiO₂ зі структурою «ядро—оболонка» (розмір ядра AgI ≅ 40 нм) в діяпазоні температур 300—450 К залежно від товщини оболонки діоксиду кремнію (5—15 нм). Встановлено залежність між температурою фазового β→α-переходу йодиду срібла із діелектричного до суперйонного стану і товщиною оболонки SiO₂. З’ясовано, що електропровідність наносистеми AgI/SiO₂ на порядок величини вища, ніж йодиду срібла у β-фазі, і характеризується оберненою залежністю від товщини оболонки SiO₂. Electrophysical and thermophysical properties of the ‘core—shell’ AgI/SiO₂ nanocomposites (with AgI core of ≅ 40 nm) are studied within the temperature range 300—450 K, depending on silica shell thickness (5—15 nm). Relationship between the silica shell thickness and the β→α (dielectric—superionic) phasetransition temperature of silver iodide is found. As shown, the electrical conductivity of AgI/SiO₂ nanosystem is higher by one order of magnitude than β- AgI and increases with the decrease of silica shell thickness. Исследованы электрофизические и теплофизические свойства нанокомпозитов AgI/SiO₂ со структурой «ядро—оболочка» (размер ядра AgI ≅ 40 нм) в диапазоне температур 300—450 К в зависимости от толщины оболочки диоксида кремния (5—15 нм). Установлена зависимость между температурой фазового β→α-перехода йодида серебра из диэлектрического в суперионное состояние и толщиной оболочки SiO₂. Обнаружено, что электропроводность наносистемы AgI/SiO₂ на порядок величины выше, чем йодида серебра в β-фазе, и характеризуется обратной зависимостью от толщины оболочки SiO₂.