Електрофізичні та теплофізичні властивості наносистеми із структурою «ядро—оболонка» AgI/SiO₂
Досліджено електрофізичні та теплофізичні властивості нанокомпозитів
 AgI/SiO₂ зі структурою «ядро—оболонка» (розмір ядра AgI ≅ 40 нм) в діяпазоні температур 300—450 К залежно від товщини оболонки діоксиду
 кремнію (5—15 нм). Встановлено залежність між температурою фазового
...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2012
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75886 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Електрофізичні та теплофізичні властивості наносистеми
 із структурою «ядро—оболонка» AgI/SiO₂ / І.М. Мудрак, Л.П. Сторожук, С.М. Махно, П.П. Горбик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 4. — С. 819-827. — Бібліогр.: 29 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862550148835442688 |
|---|---|
| author | Мудрак, І.М. Сторожук, Л.П. Махно, С.М. Горбик, П.П. |
| author_facet | Мудрак, І.М. Сторожук, Л.П. Махно, С.М. Горбик, П.П. |
| citation_txt | Електрофізичні та теплофізичні властивості наносистеми
 із структурою «ядро—оболонка» AgI/SiO₂ / І.М. Мудрак, Л.П. Сторожук, С.М. Махно, П.П. Горбик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 4. — С. 819-827. — Бібліогр.: 29 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | Досліджено електрофізичні та теплофізичні властивості нанокомпозитів
AgI/SiO₂ зі структурою «ядро—оболонка» (розмір ядра AgI ≅ 40 нм) в діяпазоні температур 300—450 К залежно від товщини оболонки діоксиду
кремнію (5—15 нм). Встановлено залежність між температурою фазового
β→α-переходу йодиду срібла із діелектричного до суперйонного стану і
товщиною оболонки SiO₂. З’ясовано, що електропровідність наносистеми
AgI/SiO₂ на порядок величини вища, ніж йодиду срібла у β-фазі, і характеризується оберненою залежністю від товщини оболонки SiO₂.
Electrophysical and thermophysical properties of the ‘core—shell’ AgI/SiO₂
nanocomposites (with AgI core of ≅ 40 nm) are studied within the temperature
range 300—450 K, depending on silica shell thickness (5—15 nm). Relationship
between the silica shell thickness and the β→α (dielectric—superionic) phasetransition
temperature of silver iodide is found. As shown, the electrical conductivity
of AgI/SiO₂ nanosystem is higher by one order of magnitude than β-
AgI and increases with the decrease of silica shell thickness.
Исследованы электрофизические и теплофизические свойства нанокомпозитов AgI/SiO₂ со структурой «ядро—оболочка» (размер ядра AgI ≅ 40
нм) в диапазоне температур 300—450 К в зависимости от толщины оболочки диоксида кремния (5—15 нм). Установлена зависимость между температурой фазового β→α-перехода йодида серебра из диэлектрического в
суперионное состояние и толщиной оболочки SiO₂. Обнаружено, что электропроводность наносистемы AgI/SiO₂ на порядок величины выше, чем
йодида серебра в β-фазе, и характеризуется обратной зависимостью от
толщины оболочки SiO₂.
|
| first_indexed | 2025-11-25T20:43:04Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-75886 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-25T20:43:04Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Мудрак, І.М. Сторожук, Л.П. Махно, С.М. Горбик, П.П. 2015-02-05T15:55:53Z 2015-02-05T15:55:53Z 2012 Електрофізичні та теплофізичні властивості наносистеми
 із структурою «ядро—оболонка» AgI/SiO₂ / І.М. Мудрак, Л.П. Сторожук, С.М. Махно, П.П. Горбик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 4. — С. 819-827. — Бібліогр.: 29 назв. — укр. 1816-5230 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75886 Досліджено електрофізичні та теплофізичні властивості нанокомпозитів
 AgI/SiO₂ зі структурою «ядро—оболонка» (розмір ядра AgI ≅ 40 нм) в діяпазоні температур 300—450 К залежно від товщини оболонки діоксиду
 кремнію (5—15 нм). Встановлено залежність між температурою фазового
 β→α-переходу йодиду срібла із діелектричного до суперйонного стану і
 товщиною оболонки SiO₂. З’ясовано, що електропровідність наносистеми
 AgI/SiO₂ на порядок величини вища, ніж йодиду срібла у β-фазі, і характеризується оберненою залежністю від товщини оболонки SiO₂. Electrophysical and thermophysical properties of the ‘core—shell’ AgI/SiO₂
 nanocomposites (with AgI core of ≅ 40 nm) are studied within the temperature
 range 300—450 K, depending on silica shell thickness (5—15 nm). Relationship
 between the silica shell thickness and the β→α (dielectric—superionic) phasetransition
 temperature of silver iodide is found. As shown, the electrical conductivity
 of AgI/SiO₂ nanosystem is higher by one order of magnitude than β-
 AgI and increases with the decrease of silica shell thickness. Исследованы электрофизические и теплофизические свойства нанокомпозитов AgI/SiO₂ со структурой «ядро—оболочка» (размер ядра AgI ≅ 40
 нм) в диапазоне температур 300—450 К в зависимости от толщины оболочки диоксида кремния (5—15 нм). Установлена зависимость между температурой фазового β→α-перехода йодида серебра из диэлектрического в
 суперионное состояние и толщиной оболочки SiO₂. Обнаружено, что электропроводность наносистемы AgI/SiO₂ на порядок величины выше, чем
 йодида серебра в β-фазе, и характеризуется обратной зависимостью от
 толщины оболочки SiO₂. uk Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Електрофізичні та теплофізичні властивості наносистеми із структурою «ядро—оболонка» AgI/SiO₂ Article published earlier |
| spellingShingle | Електрофізичні та теплофізичні властивості наносистеми із структурою «ядро—оболонка» AgI/SiO₂ Мудрак, І.М. Сторожук, Л.П. Махно, С.М. Горбик, П.П. |
| title | Електрофізичні та теплофізичні властивості наносистеми із структурою «ядро—оболонка» AgI/SiO₂ |
| title_full | Електрофізичні та теплофізичні властивості наносистеми із структурою «ядро—оболонка» AgI/SiO₂ |
| title_fullStr | Електрофізичні та теплофізичні властивості наносистеми із структурою «ядро—оболонка» AgI/SiO₂ |
| title_full_unstemmed | Електрофізичні та теплофізичні властивості наносистеми із структурою «ядро—оболонка» AgI/SiO₂ |
| title_short | Електрофізичні та теплофізичні властивості наносистеми із структурою «ядро—оболонка» AgI/SiO₂ |
| title_sort | електрофізичні та теплофізичні властивості наносистеми із структурою «ядро—оболонка» agi/sio₂ |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75886 |
| work_keys_str_mv | AT mudrakím elektrofízičnítateplofízičnívlastivostínanosistemiízstrukturoûâdroobolonkaagisio2 AT storožuklp elektrofízičnítateplofízičnívlastivostínanosistemiízstrukturoûâdroobolonkaagisio2 AT mahnosm elektrofízičnítateplofízičnívlastivostínanosistemiízstrukturoûâdroobolonkaagisio2 AT gorbikpp elektrofízičnítateplofízičnívlastivostínanosistemiízstrukturoûâdroobolonkaagisio2 |