Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів
За допомогою метод функціоналу електронної густини та псевдопотенціялу із перших принципів одержано розподіли густини валентних електронів і електронні спектри епітаксійних гетероструктур Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/CdTe та Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/ZnS. Визначено зменшення густини електронного...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2012
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75889 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Пасивація епітаксійних структур CdHgTe:
 розрахунки із перших принципів / Р.М. Балабай // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 4. — С. 847-857. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862714797053706240 |
|---|---|
| author | Балабай, Р.М. |
| author_facet | Балабай, Р.М. |
| citation_txt | Пасивація епітаксійних структур CdHgTe:
 розрахунки із перших принципів / Р.М. Балабай // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 4. — С. 847-857. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | За допомогою метод функціоналу електронної густини та псевдопотенціялу із перших принципів одержано розподіли густини валентних електронів і електронні спектри епітаксійних гетероструктур Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/CdTe та Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/ZnS. Визначено зменшення густини електронного заряду в шарах CdTe та ZnS, що покривають плівку CdхHg1-xTe (ізолювальний ефект). Визначено наявність потенціяльних бар’єрів на роздільчій межі шарів CdTe та CdхHg1-xTe (х = 0,2), а також ZnS та CdхHg1-xTe (х = 0,2).
The valence-electrons’ density distributions and the electronic energy spectra for the epitaxial Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0.2)/CdTe and Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0.2)/ZnS heterostructures are calculated by the methods of the density functional theory and the pseudopotential construction from the first principles. Reduction of the electron-charge density within the CdTe (or ZnS) layers covering the CdхHg1-xTe film (an insulating effect) is observed. The presence of the potential barriers on the interface of the CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0.2) or ZnS/CdхHg1-xTe (х = 0.2) layers is revealed.
При помощи методов функционала электронной плотности и псевдопотенциала из первых принципов рассчитаны распределения плотности валентных электронов и электронные спектры эпитаксиальных гетероструктур Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/CdTe и Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х - 0,2)/ZnS. Определено уменьшение плотности электронного заряда в слоях CdTe и ZnS, которые покрывают плёнку CdхHg1-xTe (изолирующий эффект). Обнаружено наличие потенциальных барьеров на границе раздела слоёв CdTe та CdхHg1-xTe (х = 0,2), а также ZnS и CdхHg1-xTe (х = 0,2).
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:53:32Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-75889 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:53:32Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Балабай, Р.М. 2015-02-05T16:42:35Z 2015-02-05T16:42:35Z 2012 Пасивація епітаксійних структур CdHgTe:
 розрахунки із перших принципів / Р.М. Балабай // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 4. — С. 847-857. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. 1816-5230 PACSnumbers:71.15.Dx,71.15.Mb,71.15.Pd,71.18.+y,71.20.Nr,71.55.Gs,81.65.Rv https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75889 За допомогою метод функціоналу електронної густини та псевдопотенціялу із перших принципів одержано розподіли густини валентних електронів і електронні спектри епітаксійних гетероструктур Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/CdTe та Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/ZnS. Визначено зменшення густини електронного заряду в шарах CdTe та ZnS, що покривають плівку CdхHg1-xTe (ізолювальний ефект). Визначено наявність потенціяльних бар’єрів на роздільчій межі шарів CdTe та CdхHg1-xTe (х = 0,2), а також ZnS та CdхHg1-xTe (х = 0,2). The valence-electrons’ density distributions and the electronic energy spectra for the epitaxial Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0.2)/CdTe and Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0.2)/ZnS heterostructures are calculated by the methods of the density functional theory and the pseudopotential construction from the first principles. Reduction of the electron-charge density within the CdTe (or ZnS) layers covering the CdхHg1-xTe film (an insulating effect) is observed. The presence of the potential barriers on the interface of the CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0.2) or ZnS/CdхHg1-xTe (х = 0.2) layers is revealed. При помощи методов функционала электронной плотности и псевдопотенциала из первых принципов рассчитаны распределения плотности валентных электронов и электронные спектры эпитаксиальных гетероструктур Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/CdTe и Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х - 0,2)/ZnS. Определено уменьшение плотности электронного заряда в слоях CdTe и ZnS, которые покрывают плёнку CdхHg1-xTe (изолирующий эффект). Обнаружено наличие потенциальных барьеров на границе раздела слоёв CdTe та CdхHg1-xTe (х = 0,2), а также ZnS и CdхHg1-xTe (х = 0,2). uk Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів Article published earlier |
| spellingShingle | Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів Балабай, Р.М. |
| title | Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів |
| title_full | Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів |
| title_fullStr | Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів |
| title_full_unstemmed | Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів |
| title_short | Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів |
| title_sort | пасивація епітаксійних структур cdhgte: розрахунки із перших принципів |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75889 |
| work_keys_str_mv | AT balabairm pasivacíâepítaksíinihstrukturcdhgterozrahunkiízperšihprincipív |