Buchumschlag

Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів

За допомогою метод функціоналу електронної густини та псевдопотенціялу із перших принципів одержано розподіли густини валентних електронів і електронні спектри епітаксійних гетероструктур Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/CdTe та Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/ZnS. Визначено зменшення густини електронного...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Datum:	2012
1. Verfasser:	Балабай, Р.М.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2012
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75889
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів / Р.М. Балабай // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 4. — С. 847-857. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів
von: Балабай, Р.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe
von: Цибрій, З.Ф.
Veröffentlicht: (2019)

Passivation of CdHgTe epitaxial structures: ab initio calculations
von: R. M. Balabai
Veröffentlicht: (2012)

Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Studies of CdHgTe as a material for x- and γ-ray detectors
von: Kosyachenko, L.A., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
von: A. B. Smirnov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
von: O. B. Smirnov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Наноструктурування поверхні гетероепітаксіальної плівки CdHgTe методом йонної імплантації Ag⁺
von: Удовицька, Р.С.
Veröffentlicht: (2015)

Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Study of the morphology of p-CdHgTe layers structured by grazing silver-ion beam irradiation
von: A. B. Smirnov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Study of the morphology of p-CdHgTe layers structured by grazing silver-ion beam irradiation
von: O. B. Smirnov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Nanostructurization of a Surface of a Heteroepitaxial CdHgTe Film by a Method of the Ion Implantation of Ag+
von: R. S. Udovytska
Veröffentlicht: (2015)

Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов
von: Reva, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Features of the technology of formation of metal contacts to discrete IR and THz radiation detectors based on CdHgTe epitaxial layers
von: Z. F. Tsybrii
Veröffentlicht: (2019)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
von: Войцеховский, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Galvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals
von: Ostapov, S.E., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах
von: Балабай, Р.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)

HgCrCdSe as an element of new heterostructure HgCrCdSe/HgMnTe
von: Bekirov, B., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
von: I. N. Yakovkin
Veröffentlicht: (2021)

Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
von: I. N. Yakovkin
Veröffentlicht: (2021)

Noise in HgCdTe LWIR arrays
von: Sizov, F.F., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
von: Melezhik, Ye.O., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
von: Z. F. Tsibrij, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
von: E. O. Melezhik, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Polyassociative thermodynamic model of A²B⁶ semiconductor meltand phase equilibria in Cd-Hg-Te system. 4. p-T-x diagram of Cd-Hg-Te system
von: Moskvin, P.P., et al.
Veröffentlicht: (2006)

HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
von: Dvoretsky, S.A, et al.
Veröffentlicht: (2007)

Influence of elastic strains on LPE growth kinetics in the Cd-Hg-Te System
von: Moskvin, P.P., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Діелектричні властивості апатитів кальцію і кадмію, розраховані з перших принципів
von: Карбівський, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Оцінка структурної досконалості епітаксійних плівок залізоітрієвого ґранату
von: Мокляк, В.В.
Veröffentlicht: (2015)

The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions
von: Malyk, O.P.
Veröffentlicht: (2009)

Пасивація поверхні високочистих гранульованих металів: кадмію, цинку, свинцю
von: Pirozhenko, L. A., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
von: Tsybrii, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
von: Цибрий, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
von: Боднарук, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals
von: Popenko, N., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
von: F. Sizov
Veröffentlicht: (2015)

Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
von: F. Sizov
Veröffentlicht: (2015)

Effect of thermal neutron irradiation on the electrophysical and photoelectric properties of Hg₀.₈Cd₀.₂Te crystals
von: Virt, I.S., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Структура фононних спектрів апатитів кальцію і кадмію, розрахована з перших принципів
von: Карбівський, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2011)