Поглощение света квазинульмерными полупроводниковыми наносистемами

• Veröffentlicht in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Покутний, С.И., Петренко, С.Д., Старовойтов, Д.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2012
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75891
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Поглощение света квазинульмерными полупроводниковыми наносистемами / С.И. Покутний, С.Д. Петренко, Д.А. Старовойтов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 4. — С. 869-872. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Развита теория межзонного поглощения света полупроводниковыми квантовыми точками в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона и дырки с поверхностью квантовой точки играет доминирующую роль. Показано, что край поглощения квантовой точки формируется двумя сравнимыми по интенсивности переходами с разных уровней размерного квантования дырки на нижний уровень размерного квантования электрона. Розвинуто теорію міжзонного вбирання світла напівпровідниковими квантовими точками в умовах, коли поляризаційна взаємодія електрона та дірки з поверхнею квантової точки відіграє домінантну роль. Показано, що край вбирання квантової точки формується двома порівнянними за інтенсивністю переходами з різних рівнів розмірного квантування дірки на нижній рівень розмірного квантування електрона. Theory of interband absorption of light by semiconductor quantum dots in an environment where polarization interaction of electrons and holes with the surface of the quantum dot plays a dominant role is developed. As shown, the absorption edge of quantum dot is formed by two transitions comparable in intensity from different levels of size quantization of holes onto the lower level of size quantization of electron.