Поглощение света квазинульмерными полупроводниковыми наносистемами - Покутний, С.И.; Петренко, С.Д.; Старовойтов, Д.А. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2012)
Развита теория межзонного поглощения света полупроводниковыми квантовыми точками в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона и дырки с поверхностью квантовой точки играет доминирующую
роль. Показано, что край поглощения квантовой точки формируется двумя
сравнимыми по интенсивности переходами с разных уровней размерного
квантования дырки на нижний уровень размерного квантования электрона. Розвинуто теорію міжзонного вбирання світла напівпровідниковими квантовими точками в умовах, коли поляризаційна взаємодія електрона та дірки з поверхнею квантової точки відіграє домінантну роль. Показано, що
край вбирання квантової точки формується двома порівнянними за інтенсивністю переходами з різних рівнів розмірного квантування дірки на нижній рівень розмірного квантування електрона. Theory of interband absorption of light by semiconductor quantum dots in an
environment where polarization interaction of electrons and holes with the surface
of the quantum dot plays a dominant role is developed. As shown, the absorption
edge of quantum dot is formed by two transitions comparable in intensity
from different levels of size quantization of holes onto the lower level of
size quantization of electron.