Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома
В рамках концепции «снизу–вверх» наноэлектроники рассмотрены общие
 вопросы электронной проводимости, причины возникновения тока, роль
 электрохимических потенциалов, функций Ферми и фермиевского окна проводимости, модель упругого резистора, различные режимы транспорта электронов, мо...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2013
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75910 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Обобщённая модель электронного транспорта
 Ландауэра–Датты–Лундстрома / Ю.А. Кругляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 3. — С. 519-549. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862561509101535232 |
|---|---|
| author | Кругляк, Ю.А. |
| author_facet | Кругляк, Ю.А. |
| citation_txt | Обобщённая модель электронного транспорта
 Ландауэра–Датты–Лундстрома / Ю.А. Кругляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 3. — С. 519-549. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | В рамках концепции «снизу–вверх» наноэлектроники рассмотрены общие
вопросы электронной проводимости, причины возникновения тока, роль
электрохимических потенциалов, функций Ферми и фермиевского окна проводимости, модель упругого резистора, различные режимы транспорта электронов, моды проводимости, коэффициент прохождения. Изложена обобщённая модель транспорта электронов в режиме линейного отклика, развитая Р.
Ландауэром, С. Даттой и М. Лундстромом применительно к проводникам любой размерности, любого масштаба и произвольной дисперсии, работающих в
баллистическом, квазибаллистическом или диффузионном режиме.
В межах концепції «знизу–вгору» наноелектроніки розглянуто загальні питання електронної провідности, причини виникнення струму, роль електрохімічних потенціалів, функцій Фермі і Фермівського вікна провідности, модель пружнього резистора, різні режими транспорту електронів, моди провідности, коефіцієнт проходження. Викладено узагальнену модель транспорту
електронів у режимі лінійного відгуку, розвинену Р. Ландауером, С. Даттой і
М. Лундстромом стосовно провідників будь-якої вимірности, будь-якого масштабу і довільної дисперсії, що працюють у балістичному, квазибалістичному
або дифузійному режимі.
Generalissues of electronic conductivity and the causes of the current flow, role of
electrochemical potentials, Fermi functions, and Fermi window for conduction,
elastic-resistor model, different electron-transport regimes, conductivity modes,
and transmission coefficient are discussed within the scope of the ‘bottom–up’
approach of modern nanoelectronics. Generalized model of electron transport in
the linear-response regime developed by R. Landauer, S. Datta, and M. Lundstrom
with application to the resistors of any dimension, any size scale, and arbitrary
dispersionoperating in ballistic, quasi-ballistic or diffusion regime is summarized.
|
| first_indexed | 2025-11-25T23:26:41Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-75910 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T23:26:41Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Кругляк, Ю.А. 2015-02-06T07:15:30Z 2015-02-06T07:15:30Z 2013 Обобщённая модель электронного транспорта
 Ландауэра–Датты–Лундстрома / Ю.А. Кругляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 3. — С. 519-549. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. 1816-5230 PACSnumbers:71.15.Mb,72.10.Bg,73.22.Dj,73.23.Ad,73.63.-b,84.32.Ff,85.35.-p https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75910 В рамках концепции «снизу–вверх» наноэлектроники рассмотрены общие
 вопросы электронной проводимости, причины возникновения тока, роль
 электрохимических потенциалов, функций Ферми и фермиевского окна проводимости, модель упругого резистора, различные режимы транспорта электронов, моды проводимости, коэффициент прохождения. Изложена обобщённая модель транспорта электронов в режиме линейного отклика, развитая Р.
 Ландауэром, С. Даттой и М. Лундстромом применительно к проводникам любой размерности, любого масштаба и произвольной дисперсии, работающих в
 баллистическом, квазибаллистическом или диффузионном режиме. В межах концепції «знизу–вгору» наноелектроніки розглянуто загальні питання електронної провідности, причини виникнення струму, роль електрохімічних потенціалів, функцій Фермі і Фермівського вікна провідности, модель пружнього резистора, різні режими транспорту електронів, моди провідности, коефіцієнт проходження. Викладено узагальнену модель транспорту
 електронів у режимі лінійного відгуку, розвинену Р. Ландауером, С. Даттой і
 М. Лундстромом стосовно провідників будь-якої вимірности, будь-якого масштабу і довільної дисперсії, що працюють у балістичному, квазибалістичному
 або дифузійному режимі. Generalissues of electronic conductivity and the causes of the current flow, role of
 electrochemical potentials, Fermi functions, and Fermi window for conduction,
 elastic-resistor model, different electron-transport regimes, conductivity modes,
 and transmission coefficient are discussed within the scope of the ‘bottom–up’
 approach of modern nanoelectronics. Generalized model of electron transport in
 the linear-response regime developed by R. Landauer, S. Datta, and M. Lundstrom
 with application to the resistors of any dimension, any size scale, and arbitrary
 dispersionoperating in ballistic, quasi-ballistic or diffusion regime is summarized. Благодарю проф. Марка Лундстрома и проф. Суприе Датту за
 возможность прослушать их курсы лекций, положенных в основу
 при написании настоящего обзора, на темы ‘Near-Equilibrium
 Transport: Fundamentals and Applications’, ‘Nanoscale Transistors’ и
 ‘Fundamentals of Nanoelectronics, Part I: Basic Concepts’, прочитанных в 2011–2012 годах в рамках инициативы Purdue University/nanoHUB-U
 Я также благодарен Í. Е. Кругляк за помощь в работе и за изготовление рисунков. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома Article published earlier |
| spellingShingle | Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома Кругляк, Ю.А. |
| title | Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома |
| title_full | Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома |
| title_fullStr | Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома |
| title_full_unstemmed | Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома |
| title_short | Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома |
| title_sort | обобщённая модель электронного транспорта ландауэра–датты–лундстрома |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75910 |
| work_keys_str_mv | AT kruglâkûa obobŝennaâmodelʹélektronnogotransportalandauéradattylundstroma |