Образование связности (перколяции) экситонов в плотных и разреженных массивах квантовых точек в матрицах разной топологии
В первой части статьи объясняются различия между геометрической и
 квантовой перколяциями носителей заряда или экситонов в плотных и
 разрежённых массивах квантовых точек II–VI-полупроводников, выращенных в 3D-матрицах или на сферических подложках. Показаны также
 различия в...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2013
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75913 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Образование связности (перколяции) экситонов в плотных
 и разреженных массивах квантовых точек в матрицах
 разной топологии / Н.В. Бондарь, М.С. Бродин, Ю.В. Ермолаева // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 3. — С. 579-594. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862624188867543040 |
|---|---|
| author | Бондарь, Н.В. Бродин, М.С. Ермолаева, Ю.В. |
| author_facet | Бондарь, Н.В. Бродин, М.С. Ермолаева, Ю.В. |
| citation_txt | Образование связности (перколяции) экситонов в плотных
 и разреженных массивах квантовых точек в матрицах
 разной топологии / Н.В. Бондарь, М.С. Бродин, Ю.В. Ермолаева // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 3. — С. 579-594. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | В первой части статьи объясняются различия между геометрической и
квантовой перколяциями носителей заряда или экситонов в плотных и
разрежённых массивах квантовых точек II–VI-полупроводников, выращенных в 3D-матрицах или на сферических подложках. Показаны также
различия в экспериментальных методах регистрации порога протекания
экситонов в 3D-матрицах с металлическими и полупроводниковыми
включениями. Во второй части представлены данные, которые показывают, что в массивах с квантовыми точками ZnO и CdS, выращенных на
сферах диоксида кремния SiO2
, существуют два порога перколяции экситонов. Это явление напоминает то, которое наблюдалось в другой системе,
а именно в ионных проводниках с небольшими включениями диэлектрической фазы. На основании полученных результатов дано обоснование
физической природы этого явления.
У першій частині статті пояснюються відмінності між геометричною та
квантовою перколяціями носіїв заряду або екситонів у щільних та розріджених масивах квантових точок II–VI-напівпровідників, вирощених у
3D-матрицях або на сферичних підложжях. Показано також відмінності
в експериментальних методах реєстрації утворення порогу протікання
екситонів у 3D-матрицях з металевими та напівпровідниковими включеннями. У другій частині наведено дані, які показують, що в масивах з
квантовими точками ZnO або CdS, одержаних на сферах діоксиду кремнію
SiO2
, є два пороги перколяції екситонів. Це явище нагадує те, що спостерігалося в іншій системі, а саме в йонних провідниках з невеликими
включеннями діелектричної фази. На основі одержаних результатів дано
обґрунтування фізичної природи цього явища.
In the first part, a given reports provides an explanation of some differences
between the geometrical and quantum percolations of the charge carriers or
excitons in dense and diluted ensembles of quantum dots, which were synthesized
within the 3D-matrix or over the spherical surface. Differences in experimental
methods of registration of the percolation threshold of excitons
within the 3D-matrixes with the metal or semiconductor contaminations are
shown. In the second part, results are shown, which confirm that, for structures
with the ZnO or CdS quantum dots grown at the spherical surface of
SiO2
, there are two critical concentrations or two percolation thresholds.
Such phenomenon is similar to another one, which has been observed in the
ionic conductors containing the dielectric-phase inclusions. Based on obtained
results, the explanation of nature of this phenomenon is provided.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:31:11Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-75913 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:31:11Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Бондарь, Н.В. Бродин, М.С. Ермолаева, Ю.В. 2015-02-06T07:23:55Z 2015-02-06T07:23:55Z 2013 Образование связности (перколяции) экситонов в плотных
 и разреженных массивах квантовых точек в матрицах
 разной топологии / Н.В. Бондарь, М.С. Бродин, Ю.В. Ермолаева // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 3. — С. 579-594. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. 1816-5230 PACSnumbers:64.60.ah,71.35.-y,73.20.Mf,73.21.La,73.22.Lp,78.55.Et,78.67.Hc https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75913 В первой части статьи объясняются различия между геометрической и
 квантовой перколяциями носителей заряда или экситонов в плотных и
 разрежённых массивах квантовых точек II–VI-полупроводников, выращенных в 3D-матрицах или на сферических подложках. Показаны также
 различия в экспериментальных методах регистрации порога протекания
 экситонов в 3D-матрицах с металлическими и полупроводниковыми
 включениями. Во второй части представлены данные, которые показывают, что в массивах с квантовыми точками ZnO и CdS, выращенных на
 сферах диоксида кремния SiO2
 , существуют два порога перколяции экситонов. Это явление напоминает то, которое наблюдалось в другой системе,
 а именно в ионных проводниках с небольшими включениями диэлектрической фазы. На основании полученных результатов дано обоснование
 физической природы этого явления. У першій частині статті пояснюються відмінності між геометричною та
 квантовою перколяціями носіїв заряду або екситонів у щільних та розріджених масивах квантових точок II–VI-напівпровідників, вирощених у
 3D-матрицях або на сферичних підложжях. Показано також відмінності
 в експериментальних методах реєстрації утворення порогу протікання
 екситонів у 3D-матрицях з металевими та напівпровідниковими включеннями. У другій частині наведено дані, які показують, що в масивах з
 квантовими точками ZnO або CdS, одержаних на сферах діоксиду кремнію
 SiO2
 , є два пороги перколяції екситонів. Це явище нагадує те, що спостерігалося в іншій системі, а саме в йонних провідниках з невеликими
 включеннями діелектричної фази. На основі одержаних результатів дано
 обґрунтування фізичної природи цього явища. In the first part, a given reports provides an explanation of some differences
 between the geometrical and quantum percolations of the charge carriers or
 excitons in dense and diluted ensembles of quantum dots, which were synthesized
 within the 3D-matrix or over the spherical surface. Differences in experimental
 methods of registration of the percolation threshold of excitons
 within the 3D-matrixes with the metal or semiconductor contaminations are
 shown. In the second part, results are shown, which confirm that, for structures
 with the ZnO or CdS quantum dots grown at the spherical surface of
 SiO2
 , there are two critical concentrations or two percolation thresholds.
 Such phenomenon is similar to another one, which has been observed in the
 ionic conductors containing the dielectric-phase inclusions. Based on obtained
 results, the explanation of nature of this phenomenon is provided. Исследования выполнены при финансовой поддержке в рамках
 целевой комплексной программы фундаментальных исследований
 НАН Украины «Фундаментальные проблемы наноструктурных систем, наноматериалов, нанотехнологий» (проект № 14-10 (2013)). ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Образование связности (перколяции) экситонов в плотных и разреженных массивах квантовых точек в матрицах разной топологии Article published earlier |
| spellingShingle | Образование связности (перколяции) экситонов в плотных и разреженных массивах квантовых точек в матрицах разной топологии Бондарь, Н.В. Бродин, М.С. Ермолаева, Ю.В. |
| title | Образование связности (перколяции) экситонов в плотных и разреженных массивах квантовых точек в матрицах разной топологии |
| title_full | Образование связности (перколяции) экситонов в плотных и разреженных массивах квантовых точек в матрицах разной топологии |
| title_fullStr | Образование связности (перколяции) экситонов в плотных и разреженных массивах квантовых точек в матрицах разной топологии |
| title_full_unstemmed | Образование связности (перколяции) экситонов в плотных и разреженных массивах квантовых точек в матрицах разной топологии |
| title_short | Образование связности (перколяции) экситонов в плотных и разреженных массивах квантовых точек в матрицах разной топологии |
| title_sort | образование связности (перколяции) экситонов в плотных и разреженных массивах квантовых точек в матрицах разной топологии |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75913 |
| work_keys_str_mv | AT bondarʹnv obrazovaniesvâznostiperkolâciiéksitonovvplotnyhirazrežennyhmassivahkvantovyhtočekvmatricahraznoitopologii AT brodinms obrazovaniesvâznostiperkolâciiéksitonovvplotnyhirazrežennyhmassivahkvantovyhtočekvmatricahraznoitopologii AT ermolaevaûv obrazovaniesvâznostiperkolâciiéksitonovvplotnyhirazrežennyhmassivahkvantovyhtočekvmatricahraznoitopologii |