Формування металевого характеру електропровідности у вакуумних конденсатах міді, нанесених на поверхню підшару кремнію субатомової товщини

В умовах надвисокого вакууму (тиск залишкових газів P ≤ 10⁻⁷ Па) досліджено вплив морфології плівок міді, нанесених на поверхню скла, покриту підшаром кремнію масовою товщиною dSi ≤ 5 нм, на особливості розмірних залежностей електропровідности плівок. Результати експерименту кількісно описано з вико...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Datum:2013
Hauptverfasser: Бігун, Р.І., Бучковська, М.Д., Стасюк, З.В., Леонов, Д.С.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2013
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75920
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Формування металевого характеру електропровідности у
 вакуумних конденсатах міді, нанесених на поверхню підшару
 кремнію субатомової товщини
 / Р.І. Бігун, М.Д. Бучковська, З.В. Стасюк, Д.С. Леонов
 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 2. — С. 259-267. — Бібліогр.: 9 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:В умовах надвисокого вакууму (тиск залишкових газів P ≤ 10⁻⁷ Па) досліджено вплив морфології плівок міді, нанесених на поверхню скла, покриту підшаром кремнію масовою товщиною dSi ≤ 5 нм, на особливості розмірних залежностей електропровідности плівок. Результати експерименту кількісно описано з використанням сучасних квазикласичних та квантової теоретичних моделей явищ перенесення заряду в зразках обмежених розмірів. Встановлено наявність кореляції між особливостями будови плівок і перколяційними процесами у виникненні електропровідности плівок. The influence of surface morphology of thin copper films deposited under high-vacuum condition on silicon underlayers on transport phenomenon is investigated. Experimental data of size dependences of electron transport in copper films are quantitatively explained within the scope of the contemporary theories of size effects in restricted systems. The correlation between features of thin-film structure and percolation processes in electron transport is revealed. В условиях сверхвысокого вакуума (давление остаточных газов P ≤ 10⁻⁷ Па) исследовано влияние морфологии плёнок меди, сформированных на поверхности стекла, предварительно покрытой подслоем кремния массовой толщиной dSi ≤ 5 нм, на характеристики размерных зависимостей электропроводности плёнок. Результаты эксперимента количественно описаны с помощью современных квазиклассических и квантовой теоретических моделей явлений переноса заряда в образцах ограниченных размеров. Обнаружено наличие корреляции между особенностями строения плёнок и перколяционными процессами появления электропроводности плёнок.
ISSN:1816-5230