Формування металевого характеру електропровідности у вакуумних конденсатах міді, нанесених на поверхню підшару кремнію субатомової товщини

В умовах надвисокого вакууму (тиск залишкових газів P ≤ 10⁻⁷ Па) досліджено вплив морфології плівок міді, нанесених на поверхню скла, покриту підшаром кремнію масовою товщиною dSi ≤ 5 нм, на особливості розмірних залежностей електропровідности плівок. Результати експерименту кількісно описано з вико...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Дата:	2013
Автори:	Бігун, Р.І., Бучковська, М.Д., Стасюк, З.В., Леонов, Д.С.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2013
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75920
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Формування металевого характеру електропровідности у вакуумних конденсатах міді, нанесених на поверхню підшару кремнію субатомової товщини / Р.І. Бігун, М.Д. Бучковська, З.В. Стасюк, Д.С. Леонов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 2. — С. 259-267. — Бібліогр.: 9 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

_version_	1860088272852615168
author	Бігун, Р.І. Бучковська, М.Д. Стасюк, З.В. Леонов, Д.С.
author_facet	Бігун, Р.І. Бучковська, М.Д. Стасюк, З.В. Леонов, Д.С.
citation_txt	Формування металевого характеру електропровідности у вакуумних конденсатах міді, нанесених на поверхню підшару кремнію субатомової товщини / Р.І. Бігун, М.Д. Бучковська, З.В. Стасюк, Д.С. Леонов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 2. — С. 259-267. — Бібліогр.: 9 назв. — укр.
collection	DSpace DC
container_title	Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
description	В умовах надвисокого вакууму (тиск залишкових газів P ≤ 10⁻⁷ Па) досліджено вплив морфології плівок міді, нанесених на поверхню скла, покриту підшаром кремнію масовою товщиною dSi ≤ 5 нм, на особливості розмірних залежностей електропровідности плівок. Результати експерименту кількісно описано з використанням сучасних квазикласичних та квантової теоретичних моделей явищ перенесення заряду в зразках обмежених розмірів. Встановлено наявність кореляції між особливостями будови плівок і перколяційними процесами у виникненні електропровідности плівок. The influence of surface morphology of thin copper films deposited under high-vacuum condition on silicon underlayers on transport phenomenon is investigated. Experimental data of size dependences of electron transport in copper films are quantitatively explained within the scope of the contemporary theories of size effects in restricted systems. The correlation between features of thin-film structure and percolation processes in electron transport is revealed. В условиях сверхвысокого вакуума (давление остаточных газов P ≤ 10⁻⁷ Па) исследовано влияние морфологии плёнок меди, сформированных на поверхности стекла, предварительно покрытой подслоем кремния массовой толщиной dSi ≤ 5 нм, на характеристики размерных зависимостей электропроводности плёнок. Результаты эксперимента количественно описаны с помощью современных квазиклассических и квантовой теоретических моделей явлений переноса заряда в образцах ограниченных размеров. Обнаружено наличие корреляции между особенностями строения плёнок и перколяционными процессами появления электропроводности плёнок.
first_indexed	2025-12-07T17:21:23Z
format	Article
fulltext	259 PACS numbers: 68.35.Ct, 68.55.J-, 72.10.Fk, 73.23.Ad, 73.25.+i, 73.50.Bk, 73.63.Bd Формування металевого характеру електропровідности у вакуумних конденсатах міді, нанесених на поверхню підшару кремнію субатомової товщини Р. І. Бігун, М. Д. Бучковська, З. В. Стасюк, Д. С. Леонов Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Драгоманова, 50, 79005 Львів, Україна *Технічний центр НАН України, вул. Покровська, 13, 04070 Київ, Україна В умовах надвисокого вакууму (тиск залишкових газів P10 7 Па) дослі- джено вплив морфології плівок міді, нанесених на поверхню скла, покри- ту підшаром кремнію масовою товщиною dSi5 нм, на особливості розмі- рних залежностей електропровідности плівок. Результати експерименту кількісно описано з використанням сучасних квазикласичних та кванто- вої теоретичних моделей явищ перенесення заряду в зразках обмежених розмірів. Встановлено наявність кореляції між особливостями будови плівок і перколяційними процесами у виникненні електропровідности плівок. The influence of surface morphology of thin copper films deposited under high-vacuum condition on silicon underlayers on transport phenomenon is investigated. Experimental data of size dependences of electron transport in copper films are quantitatively explained within the scope of the contempo- rary theories of size effects in restricted systems. The correlation between features of thin-film structure and percolation processes in electron transport is revealed. В условиях сверхвысокого вакуума (давление остаточных газов P10 7 Па) исследовано влияние морфологии плёнок меди, сформированных на поверхности стекла, предварительно покрытой подслоем кремния массо- вой толщиной dSi5 нм, на характеристики размерных зависимостей электропроводности плёнок. Результаты эксперимента количественно описаны с помощью современных квазиклассических и квантовой теоре- тических моделей явлений переноса заряда в образцах ограниченных размеров. Обнаружено наличие корреляции между особенностями строе- Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies 2013, т. 11, № 2, сс. 259–267  2013 ІМÔ (Інститут металофізики ім. Ã. В. Êурдюмова ÍÀÍ Óкраїни) Íадруковано в Óкраїні. Ôотокопіювання дозволено тільки відповідно до ліцензії 260 Р. І. БІÃÓÍ, М. Д. БÓЧÊОВСЬÊÀ, З. В. СТÀСЮÊ, Д. С. ЛЕОÍОВ ния плёнок и перколяционными процессами появления электропровод- ности плёнок. Ключові слова: ультратонкі металеві плівки, поверхневе розсіяння, зер- номежове розсіяння, напівпровідникові підшари, субатомова товщина, електропровідність, термоелектрорушійна сила. (Отримано 30 квітня 2013 р.) 1. ВСТУП Розвиток сучасної мікро- та наноелектроніки вимагає створення методик приготування ультратонких плівок з наперед заданими стабільними структурою та електронними властивостями. Пода- льша мікромініатюризація елементів мікросхем можлива у випад- ку використання об’єктів з лінійними розмірами в декілька нано- метрів. Саме тому формування та дослідження фізичних властивос- тей ультратонких плівок товщиною в декілька атомових шарів є цікавим як з точки зору можливого подальшого практичного вико- ристання, так і у зв’язку з можливістю одержання інформації про фундаментальні властивості речовини в зразках малих розмірів. Ріст металевої плівки на поверхні діелектричної підкладки роз- починається з утворення електрично непов’язаних між собою заро- дків кристалізації, перенесення електричного заряду між якими здійснюється за рахунок різних активаційних механізмів. Метале- вий характер провідности в плівці виникає при певних критичних товщинах, величина яких залежить від матеріалів плівки та підк- ладки і особливостей методик препарування плівки. Поблизу зга- даних товщин існує певна суперпозиція активаційних та омічних механізмів перенесення заряду. Процеси перенесення заряду в ділянці переходу від активацій- них до суто металевих механізмів перенесення заряду (поріг проті- кання — percolation threshold) на даний час недостатньо вивчені, а тому інтерес до дослідження ультратонких плівок невипадковий. Ôормування суцільних металевих плівок на діелектричних під- кладках суттєво ускладнюється явищем коагуляції зародків крис- талізації металу, оскільки взаємодія між атомами металу звичайно переважає сили змочування, що існують між атомами (чи молеку- лами) підкладки та атомами металу. Ó 90-ті роки минулого століття було запропоновано використати попереднє нанесення на діелект- ричне підложжя підшарів субатомової товщини поверхнево- активних речовин, які б послаблювали явище коагуляції зародків кристалізації металу [1]. Ó наших попередніх роботах [2] достатньо широко розглядалася проблема використання підшарів германію, кремнію та сурми при формуванні плівок благородних металів із ÔОРМÓВÀÍÍЯ МЕТÀЛЕВОÃО ХÀРÀÊТЕРÓ ЕЛЕÊТРОПРОВІДÍОСТИ Ó МІДІ 261 заданою морфологією. Було показано, що при використанні конк- ретної методики термічного осадження металу на поверхню діелек- трика, зміною лінійних розмірів кристалітів у плівці можна керу- вати з допомогою зміни маси попередньо конденсованої поверхнево- активної речовини. В даній роботі наведено результати дослідження явищ, пов’яза- них з виникненням електропровідности в плівках міді, нанесених на чисту поверхню скла та на поверхню скла, попередньо покриту підшаром кремнію різних товщин. Для кількісного трактування експериментальних розмірних за- лежностей електропровідности плівок міді використано вирази, одержані в квазикласичних теоріях Віссмана [3] та полікристаліч- ного шару неоднорідної товщини [4] і однієї з теорій квантового пе- ренесення заряду [5]. 2. ОСОБЛИВОСТІ МЕТОДИКИ ЕКСПЕРИМЕНТУ Препарування та дослідження електропровідности плівок проводи- ли в евакуйованих скляних приладах в умовах надвисокого вакуу- му при тиску залишкових газів, не вищому за 10 7 Па. Досліджено плівки, нанесені шляхом конденсації пари термічно випаровувано- го металу на охолоджені до 78 Ê підложжя і пізніше термостабілі- зовані прогрівом протягом однієї години за температури 295 Ê. Ви- міри електропровідности термостабілізованих плівок проводили при Т78 Ê двозондовою методою за допомогою приладу В7-34À. Оцінку масової товщини плівок проводили за зсувом резонансної частоти п’єзокварцового вібратора, розміщеного в потоці пари ви- паровуваного металу, з чутливістю, не гіршою за 0,2–0,5 нм. Під- шар кремнію відповідної масової товщини наносили на поліровану отоплене скляне підложжя безпосередньо перед конденсацією пари металу. Більш детально особливості методики експерименту описа- но в [2]. 3. РЕЗУЛЬТАТИ ЕКСПЕРИМЕНТУ ТА ЇХ ОБГОВОРЕННЯ Про розмірні залежності питомого опору  плівок міді, нанесених на поверхню отопленого полірованого скла та поверхню підшарів кремнію різних товщин, можна судити з даних, показаних на рис. 1. З рисунка видно, що електропровідність в плівках міді, нанесе- них на підшар кремнію, виникає при товщина, менших, аніж у плі- вках, нанесених на чисту поверхню скла. При збільшені товщини плівок питомий опір плівок, нанесених на поверхню скла, стає меншим за опір плівок, нанесених на повер- хню підшарів кремнію. Такий характер залежностей питомого опо- 262 Р. І. БІÃÓÍ, М. Д. БÓЧÊОВСЬÊÀ, З. В. СТÀСЮÊ, Д. С. ЛЕОÍОВ ру очевидний, якщо для пояснення використати результати дослі- дження структури плівок [2]. Електронно-мікроскопічне та елект- рографічне дослідження структури плівок на просвіт показало, що плівки міді, сформовані за згаданою вище технологією при товщи- нах d10 нм, є однорідними суцільними полікристалічними ша- рами металу середні лінійні розміри кристалітів D в них не зале- жать від товщини плівки металу, принаймні, до товщини d70 нм. Вплив підшару кремнію призводить до зменшення D. Зокрема, для плівок, нанесених на чисту поверхню скла D22 нм, а у плівках, нанесених на поверхню підшарів кремнію масовою товщиною 0,5 нм та 3 нм D відповідно, дорівнює 16 нм та 11 нм. Êвазикласичні теоретичні моделі полікристалічного шару неод- норідної товщини [4] та Віссмана [3] дозволяють описати розмірні залежності питомого опору плівок металу в достатньо широкому інтервалі товщин (від плівок великих товщин d, коли плівка може вважатися пласкопаралельним шаром з поверхневими неоднорід- ностями атомової величини, до достатньо малих товщин, при яких середня товщина шару d сумірна з поверхневими макроскопічними неоднорідностями, амплітуда яких — h. Згадані теорії побудовані для суцільних плівок, а тому в діапазоні малих товщин важливою є інформація про особливості морфології плівок, зокрема, чи плівка з достатнім ступенем наближення може вважатись нерозривною. Про ступінь електричної нерозривности плівки можна судити на основі аналізу розмірної залежности опору плівки з допомогою тео- рії перколяційних явищ. Відомо, що під порогом протікання стру- му в плівці розуміють мінімальну товщину плівки dc, при якій ви- никає перший канал провідности металевого типу. При товщинах вищих dc по мірі зростання d росте відносний внесок омічної прові- дности в сумарне перенесення заряду в плівці. Одним з проявів пе- реходу до металевого характеру електропровідности є перехід від негативного до позитивного знаку температурного коефіцієнта опо- ру. Такий перехід реально має місце при товщинах дещо вищих за dc. Згідно з перколяційною теорією [6, 7] в околі переходу від острі- вцевої до електричносуцільної плівки залежність опору R плівки від товщини можна виразити у вигляді деякої універсальної функ- ції товщини: R(d)(ddc)  . (1) Даний вираз одержано на основі припущення (ddc)(ххc), де х — параметр, який характеризує ступінь заповнювання підложжя металом; хс — параметр перколяції, який відповідає ступеню запо- внювання поверхні підложжя, при якому острівці (кристаліти) фо- рмують перший канал провідности. Очевидно, що хc залежить від форми та розмірів кристалітів, а показник степеня  залежить від ÔОРМÓВÀÍÍЯ МЕТÀЛЕВОÃО ХÀРÀÊТЕРÓ ЕЛЕÊТРОПРОВІДÍОСТИ Ó МІДІ 263 механізму формування та росту плівки. Здійснимо аналіз наведених на рис. 1 даних за допомогою перко- ляційної моделі. Ãрафік експериментальної розмірної залежности опору плівок R можна представити у вигляді лінійної залежности у подвійному логарифмічному масштабі. Ó результаті одержуємо лі- нійні відрізки, показані на рис. 2. З даних, показаних на рис. 2, можна бачити, що порогом проті- кання струму в плівках міді, нанесених на чисту поверхню скла Рис. 1. Розмірні залежності питомого опору відпалених плівок міді, оса- джених на чисту поверхню скла та поверхню, попередньо покриту шарами кремнію різної товщини (0,5 нм та 3 нм) за температури Т78 Ê. Рис. 2. Залежності опору плівок міді, нанесених на поверхню скла (1) та поверхню, покриту підшарами кремнію масовою товщиною 0,5 нм (2) та 3,0 нм (3), при Т78 Ê від товщини. Точки — експериментальні дані, прямі — лінійна апроксимація. 264 Р. І. БІÃÓÍ, М. Д. БÓЧÊОВСЬÊÀ, З. В. СТÀСЮÊ, Д. С. ЛЕОÍОВ dc9,7 нм, а для плівок, нанесених на поверхню підшарів кремнію з масовими товщинами 0,5 нм та 3 нм, ця величина відповідно рівна 6,7 нм та 4,3 нм. Íаведені дані показують, що при використанні описаної вище методики препарування плівок має місце двовимір- ний ріст плівки (2D-перколяція), оскільки згідно [7] при двовимір- ному рості величина показника степеня повинна бути в межах від 1 до 1,5. Ó [7] також стверджується, що при 2D-перколяції пер- ший канал металевої провідности виникає при ступені заповнення поверхні металом хc0,3. Одержані величини dc достатньо очіку- вані, оскільки перехід до позитивних значень температурного кое- фіцієнта опору в плівках міді, нанесених на скло та підшари крем- нію різної товщини, має місце при товщинах, на 1–2 нм більших за знайдені dc. Проаналізуємо можливість використання теоретичних моделей [3] і [4] для кількісного опису одержаних експериментальних да- них. В рамках наближення ефективної довжини вільного пробігу тео- рія [4] описує розмірну залежність питомого опору металевої плів- ки таким виразом: 0 0 22 3 ( )(1 ) ( ) 1 8 1( ) 1 f p d hh df dd                                 . (2) Тут 0 і 0 — характеристики масивного монокристалу: питомий опір і середня довжина вільного пробігу носіїв струму, p — коефіці- єнт дзеркальности поверхневого відбивання носіїв струму зовніш- німи поверхнями плівки (0р1), f()13/23 23 3ln(1 1) — зерномежова функція, у якій (0/D)(r/(1r)), де D — серед- ній лінійний розмір кристалітів, r — параметр розсіювальної здат- ности меж кристалітів, що характеризує ймовірність розсіяння но- сіїв струму при тунелюванні з однієї ґранулі в іншу. В тому випад- ку, коли середні лінійні розміри кристалітів у плівках різної тов- щини однакові (Dconst), вираз (1) перетворюється у вираз теорії Íамба [8]: 0 22 3 (1 ) ( ) 1 8 11 p d hh d dd                               . (3) В цьому виразі ∞0/f() — питомий опір плівки безмежної тов- ÔОРМÓВÀÍÍЯ МЕТÀЛЕВОÃО ХÀРÀÊТЕРÓ ЕЛЕÊТРОПРОВІДÍОСТИ Ó МІДІ 265 щини, структура якої ідентична структурі плівки довільної серед- ньої товщини d. Також вважаємо, що поверхневе розсіяння носіїв струму — повністю дифузне: р0. Тому 0f() — середня дов- жина вільного пробігу носіїв струму в масивному зразку, розміри кристалітів в якому такі ж як і розміри кристалітів у плівці. Від- мінність ∞ від величини 0 — питомого опору масивного металу обумовлена внеском зерномежового розсіяння носіїв струму. Вплив поверхневого розсіяння на сумарний час релаксації носіїв струму в плівці зручно характеризувати величиною res — залиш- кова провідність: res1/{(d)∞}. Зауважимо, що залежність res від товщини плівки d на графіках, побудованих в логарифмічному масштабі, є лінійною за умови, що розміри кристалітів не залежать від d. Ó області малих товщин вплив макроскопічних поверхневих неоднорідностей стає суттєвим, а тому ступінь узгодження теорети- чної розмірної залежности з експериментальними залежить від то- го, наскільки вдало теоретична модель відтворює реальні особливо- сті шерсткости поверхні. Теорія Віссмана [3] побудована на основі моделі плівки монобло- чної по товщині (аналог моделі Майадаса–Шацкеса [8]) з макроско- пічними неоднорідностями по товщині плівки. Максимальна амп- літуда поверхневих неоднорідностей H. При цьому вважається, що амплітудні величини виступів і впадин вздовж плівки розподілені величиною за ¥ауссовим розподілом. В рамках підходу подібного до моделі полікристалічного шару неоднорідної товщини теорія Вісс- мана описує розмірну залежність питомого опору плівки наближе- ним виразом:   2 3 3 , , 8 8 H d H d d d                    . (4) Вираз (4) записано з врахуванням припущення, що поверхневе від- бивання носіїв струму повністю дифузне: р0. Тут ∞ — питомий опір плівки металу безмежної товщини; H — максимальне відхи- лення товщини плівки металу від середнього значення товщини плівки металу. Зауважимо, що у випадку синусоїдального відхилу поверхневих неоднорідностей від середнього значення товщини плівки металу зв’язок між H та h запишемо: 2h H . Для ілюстрації можливости використання виразів (3) і (4) для опису експериментальних даних на рис. 3 точками показані експе- риментальні дані для res плівок міді, сформованих на поверхні пі- дшару кремнію масовою товщиною 3 нм. Суцільні криві побудовані на основі виразів (4) (крива 1) та (3) (крива 3); крива 2 — лінійна ап- роксимація розмірної експериментальної залежности res. Як видно з рисунка в діапазоні товщин (d10 нм) залежність resres(d) лі- нійна з нахилом рівним одиниці. Така поведінка res повністю пе- 266 Р. І. БІÃÓÍ, М. Д. БÓЧÊОВСЬÊÀ, З. В. СТÀСЮÊ, Д. С. ЛЕОÍОВ редбачувана в рамках моделі класичного розмірного ефекту для зразків, розміри кристалітів в яких не залежать від товщини плів- ки. В ділянці малих товщин (d10 нм) порушення лінійности обу- мовлена впливом макроскопічних поверхневих неоднорідностей. Зокрема, згідно з виразом (3), найкращий збіг розрахункової кривої в моделі Íамба з показаними на рис. 3 експериментальними дани- ми має місце при h5 нм. Óзгодження виразу (4) теорії Віссмана з експериментальною залежністю в цьому випадку суттєво гірше. Зауважимо, що узгодження експериментальних даних в діапазоні малих товщин з теоретичною залежністю Íамба [9] може бути кращим, якщо врахувати можливе зменшення лінійних розмірів кристалітів при зменшенні товщини плівки при d10 нм. Подібне узгодження теоретичної кривої Віссмана з експеримен- тальними даними можливе при використанні більш точної в порів- нянні з (4) теоретичної залежности, в якій були враховані члени вищого порядку малости (Н/d)4, які в цьому випадку реально не бу- ли малими. Якісно подібні результати одержано при аналізі розмірної зале- жности res плівок міді сформованих на чистій поверхні скла та на поверхні підшарів кремнію інших масових товщин. Цікавим екс- периментальним фактом, виявленим в згаданих дослідах, є добре узгодження величини dc (перколяційної товщини плівки) і величи- ни h, розрахованої на основі виразу (3) та знайденої в результаті СТМ-дослідження поверхні плівок. Ó всіх цих дослідах згадані ве- личини достатньо близькі між собою: dch. Лінійність залежности res від товщини d, показана на рис. 3, в Рис. 3. Розмірні залежності залишкової провідности res відпалених плівок міді, осаджених на поверхню скла, попередньо покриту підшаром крем- нію масовою товщиною 3 нм. Температура вимірювання Т78 Ê. Точки — експериментальні дані. Розрахункові криві: 1 — модель Віссмана; 2 — лінійна апроксимація; 3 — модель Íамба. ÔОРМÓВÀÍÍЯ МЕТÀЛЕВОÃО ХÀРÀÊТЕРÓ ЕЛЕÊТРОПРОВІДÍОСТИ Ó МІДІ 267 діапазоні малих товщин достатньо добре описується виразом кван- тової теорії Ôішмана і Цалецкого [5]: 2 res 5 2/3 6 1 1 (3 ) d dn         ; (5) тут n — концентрація носіїв струму. Даний вираз можна трансфор- мувати до вигляду: resd  , (6) в якому показник степеня  змінюється від 2,1 (монокристал чисто- го металу) до 6 (для широкозонних напівпровідників); крива 2 на рис. 3 відповідає значенню 2. Зауважимо, що одержані нами ек- спериментальні дані достатньо добре узгоджуються з результатами досліджень, проведених в умовах надвисокого вакууму іншими до- слідниками [9]. 4. ВИСНОВКИ З результатів дослідження електропровідности плівок міді, нанесе- них на поверхню підшару кремнію різної масової товщини, показа- но, що товщина плівок міді, яка відповідає порогу протікання елек- тричного струму в плівках може бути скеровано змінена шляхом зміни товщини підшару кремнію. Підтверджено придатність теорій полікристалічного шару неод- норідної товщини та Ôішмана–Цалецкого для кількісного опису змін провідности плівок при зміні товщини в межах наявности ме- талевого характеру електропровідности плівок. ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА 1. T. Lewowski, Appl. Surf. Sci., 93: 85 (1996). 2. À. П. Шпак, Р. І. Бігун, З. В. Стасюк, Ю. À. Êуницький, Наносистеми, на- номатеріали, нанотехнології, 8, вип. 2: 339 (2010). 3. P. Wißmann and H.-U. Finzel, Springer Tracts in Modern Physics. Vol. 223 (2007), p. 128. 4. Z.V. Stasyuk, Journ. Phys. Studies, 3, No. 1: 102 (1999). 5. G. Fishman and D. Calecki, Phys. Rev. Lett., 62, No. 11: 1302 (1989). 6. M. Walther, D. Cooke, C. Sherston, M. Freeman, and F. Germann, Phys. Rev. B, 76, No. 12: 125408(8–17) (2007). 7. J. A. Lourens, S. Arajs, H. F. Helbig, El-Sayed A. Mehanna, and L. Cheriet, Phys. Rev. B, 37, No. 10: 5423 (1988). 8. З. В. Стасюк, À. І. Лопатинський, Фізика і хімія твердого тіла, 2, № 4: 521 (2001). 9. Y. Namba, Jap. J. Appl. Phys., 9: 1326 (1970).
id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-75920
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn	1816-5230
language	Ukrainian
last_indexed	2025-12-07T17:21:23Z
publishDate	2013
publisher	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
record_format	dspace
spelling	Бігун, Р.І. Бучковська, М.Д. Стасюк, З.В. Леонов, Д.С. 2015-02-06T09:14:35Z 2015-02-06T09:14:35Z 2013 Формування металевого характеру електропровідности у вакуумних конденсатах міді, нанесених на поверхню підшару кремнію субатомової товщини / Р.І. Бігун, М.Д. Бучковська, З.В. Стасюк, Д.С. Леонов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 2. — С. 259-267. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. 1816-5230 PACSnumbers:68.35.Ct,68.55.J-,72.10.Fk,73.23.Ad,73.25.+i,73.50.Bk,73.63.Bd https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75920 В умовах надвисокого вакууму (тиск залишкових газів P ≤ 10⁻⁷ Па) досліджено вплив морфології плівок міді, нанесених на поверхню скла, покриту підшаром кремнію масовою товщиною dSi ≤ 5 нм, на особливості розмірних залежностей електропровідности плівок. Результати експерименту кількісно описано з використанням сучасних квазикласичних та квантової теоретичних моделей явищ перенесення заряду в зразках обмежених розмірів. Встановлено наявність кореляції між особливостями будови плівок і перколяційними процесами у виникненні електропровідности плівок. The influence of surface morphology of thin copper films deposited under high-vacuum condition on silicon underlayers on transport phenomenon is investigated. Experimental data of size dependences of electron transport in copper films are quantitatively explained within the scope of the contemporary theories of size effects in restricted systems. The correlation between features of thin-film structure and percolation processes in electron transport is revealed. В условиях сверхвысокого вакуума (давление остаточных газов P ≤ 10⁻⁷ Па) исследовано влияние морфологии плёнок меди, сформированных на поверхности стекла, предварительно покрытой подслоем кремния массовой толщиной dSi ≤ 5 нм, на характеристики размерных зависимостей электропроводности плёнок. Результаты эксперимента количественно описаны с помощью современных квазиклассических и квантовой теоретических моделей явлений переноса заряда в образцах ограниченных размеров. Обнаружено наличие корреляции между особенностями строения плёнок и перколяционными процессами появления электропроводности плёнок. uk Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Формування металевого характеру електропровідности у вакуумних конденсатах міді, нанесених на поверхню підшару кремнію субатомової товщини Article published earlier
spellingShingle	Формування металевого характеру електропровідности у вакуумних конденсатах міді, нанесених на поверхню підшару кремнію субатомової товщини Бігун, Р.І. Бучковська, М.Д. Стасюк, З.В. Леонов, Д.С.
title	Формування металевого характеру електропровідности у вакуумних конденсатах міді, нанесених на поверхню підшару кремнію субатомової товщини
title_full	Формування металевого характеру електропровідности у вакуумних конденсатах міді, нанесених на поверхню підшару кремнію субатомової товщини
title_fullStr	Формування металевого характеру електропровідности у вакуумних конденсатах міді, нанесених на поверхню підшару кремнію субатомової товщини
title_full_unstemmed	Формування металевого характеру електропровідности у вакуумних конденсатах міді, нанесених на поверхню підшару кремнію субатомової товщини
title_short	Формування металевого характеру електропровідности у вакуумних конденсатах міді, нанесених на поверхню підшару кремнію субатомової товщини
title_sort	формування металевого характеру електропровідности у вакуумних конденсатах міді, нанесених на поверхню підшару кремнію субатомової товщини
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75920
work_keys_str_mv	AT bígunrí formuvannâmetalevogoharakteruelektroprovídnostiuvakuumnihkondensatahmídínanesenihnapoverhnûpídšarukremníûsubatomovoítovŝini AT bučkovsʹkamd formuvannâmetalevogoharakteruelektroprovídnostiuvakuumnihkondensatahmídínanesenihnapoverhnûpídšarukremníûsubatomovoítovŝini AT stasûkzv formuvannâmetalevogoharakteruelektroprovídnostiuvakuumnihkondensatahmídínanesenihnapoverhnûpídšarukremníûsubatomovoítovŝini AT leonovds formuvannâmetalevogoharakteruelektroprovídnostiuvakuumnihkondensatahmídínanesenihnapoverhnûpídšarukremníûsubatomovoítovŝini

Формування металевого характеру електропровідности у вакуумних конденсатах міді, нанесених на поверхню підшару кремнію субатомової товщини

Репозитарії

Схожі ресурси