Поузельная миграция на неоднородной поверхности

• Veröffentlicht in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Datum: 2013
• Hauptverfasser: Долгов, А.С., Валуйская, А.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2013
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75921
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Поузельная миграция на неоднородной поверхности / А.С. Долгов, А.В. Валуйская // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 2. — С. 269-279. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

В рамках одномерной модели структуры теоретически изучаются эффекты миграции атомов в поверхностном монослое. Анализируются закономерности распределений в монослое для наиболее типичных форм неоднородностей подстилающей матрицы. Определены вероятности заполнения атомами возможных позиций в равновесных режимах. Выявлена зависимость основных параметров анализа от температуры. Effects of atom migration in surface monolayer are theoretically explored within the scope of the one-dimensional model of a structure. Patterns of distributions in monolayer are analysed for the most typical forms of inhomogeneities of underlying matrix. Probabilities of occupation of possible positions with atoms in equilibrium conditions are determined. Dependence of the main parameters on temperature is revealed. В рамках одновимірної моделі структури теоретично вивчаються ефекти міґрації атомів у поверхневому моношарі. Аналізуються закономірності розподілів у моношарі для найбільш типових форм неоднорідностей підстилкової матриці. Визначено ймовірності заповнення атомами можливих позицій у рівноважних режимах. Виявлено залежність основних параметрів аналізу від температури.