Diffusion Processes in Ti–Si Systems during Silicide Formation
Two methods of creation of the TiSi₂(C54) stable phase are reviewed, and their comparison is considered. The formation of the structure of TiSi₂(C54) nanosize films on monocrystalline Si is studied. As shown, the TiSi₂(C54) formation is carried out faster (≅ 55 s) by low-energy thermion deposition (...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2013
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75923 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Diffusion Processes in Ti–Si Systems during Silicide Formation / S. E. Bogdanov, G. Beddies, M.Daniel, Yu.N. Makogon // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 2. — С. 295-302. — Бібліогр.: 7 назв. — анг. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-75923 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Bogdanov, S.E. Beddies, G. Daniel, M. Makogon, Yu.N. 2015-02-06T09:27:40Z 2015-02-06T09:27:40Z 2013 Diffusion Processes in Ti–Si Systems during Silicide Formation / S. E. Bogdanov, G. Beddies, M.Daniel, Yu.N. Makogon // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 2. — С. 295-302. — Бібліогр.: 7 назв. — анг. 1816-5230 PACSnumbers:66.30.Pa,68.55.-a,73.61.At,81.15.Cd,81.15.Jj,81.40.Rs,85.40.-e https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75923 Two methods of creation of the TiSi₂(C54) stable phase are reviewed, and their comparison is considered. The formation of the structure of TiSi₂(C54) nanosize films on monocrystalline Si is studied. As shown, the TiSi₂(C54) formation is carried out faster (≅ 55 s) by low-energy thermion deposition (LETD) of Ti on mono-Si than by magnetron sputtering with post-annealing of 150 s and more. As noted, the electrical-resistivity value for TiSi₂(C54) nanosize film deposited by LETD is equal to ρv = 13.5 μΩ∙cm, and with magnetron sputtering, it is equal to ρv = 24 μΩ∙cm. A phenomenological model for titanium disilicide formation on mono-Si by low-energy thermion deposition of titanium is proposed. Розглянуто дві методи формування стабільної фази TiSi₂(C54). Вивчено формування структури нанорозмірних плівок TiSi₂(C54) на монокристалічному кремнії. Показано, що формування TiSi₂(C54) відбувається швидше (≅ 55 с) за допомогою низькоенергетичної термоіонного осадження (НТІО) Ti на монокристалічний Si, аніж магнетронним напорошенням із подальшим відпалом (150 с і більше). Встановлено, що величина електричного опору для нанорозмірної плівки TiSi₂(C54), одержаної за допомогою НТІО, складає ρv = 13.5 μΩ∙cм, а при магнетронному напорошенні та подальшому відпалі — ρv = 24 μΩ∙cм. Запропоновано феноменологічну модель для формування дісиліциду титану на монокристалічному кремнії при НТІО титану. Рассмотрены два метода формирования стабильной фазы TiSi₂(C54). Изучено формирование структуры наноразмерных плёнок TiSi₂(C54) на монокристаллическом кремнии. Показано, что формирование TiSi₂(C54) происходит быстрее (≅ 55 с) при помощи низкоэнергетического термоионного осаждения (НТИО) Ti на монокристаллический Si, чем магнетронным напылением с последующим отжигом (150 с и более). Óстановлено, что величина электрического сопротивления для наноразмерной плёнки TiSi₂(C54), полученной при помощи НТИО, составляет ρv = 13.5 μΩ∙см, а при магнетронном напылении и последующем отжиге — ρv = 24 μΩ∙см. Предложена феноменологическая модель для формирования дисилицида титана на монокристаллическом кремнии при НТИО титана. en Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Diffusion Processes in Ti–Si Systems during Silicide Formation Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Diffusion Processes in Ti–Si Systems during Silicide Formation |
| spellingShingle |
Diffusion Processes in Ti–Si Systems during Silicide Formation Bogdanov, S.E. Beddies, G. Daniel, M. Makogon, Yu.N. |
| title_short |
Diffusion Processes in Ti–Si Systems during Silicide Formation |
| title_full |
Diffusion Processes in Ti–Si Systems during Silicide Formation |
| title_fullStr |
Diffusion Processes in Ti–Si Systems during Silicide Formation |
| title_full_unstemmed |
Diffusion Processes in Ti–Si Systems during Silicide Formation |
| title_sort |
diffusion processes in ti–si systems during silicide formation |
| author |
Bogdanov, S.E. Beddies, G. Daniel, M. Makogon, Yu.N. |
| author_facet |
Bogdanov, S.E. Beddies, G. Daniel, M. Makogon, Yu.N. |
| publishDate |
2013 |
| language |
English |
| container_title |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| format |
Article |
| description |
Two methods of creation of the TiSi₂(C54) stable phase are reviewed, and their comparison is considered. The formation of the structure of TiSi₂(C54) nanosize films on monocrystalline Si is studied. As shown, the TiSi₂(C54) formation is carried out faster (≅ 55 s) by low-energy thermion deposition (LETD) of Ti on mono-Si than by magnetron sputtering with post-annealing of 150 s and more. As noted, the electrical-resistivity value for TiSi₂(C54) nanosize film deposited by LETD is equal to ρv = 13.5 μΩ∙cm, and with magnetron sputtering, it is equal to ρv = 24 μΩ∙cm. A phenomenological model for titanium disilicide formation on mono-Si by low-energy thermion deposition of titanium is proposed.
Розглянуто дві методи формування стабільної фази TiSi₂(C54). Вивчено формування структури нанорозмірних плівок TiSi₂(C54) на монокристалічному кремнії. Показано, що формування TiSi₂(C54) відбувається швидше (≅ 55 с) за допомогою низькоенергетичної термоіонного осадження (НТІО) Ti на монокристалічний Si, аніж магнетронним напорошенням із подальшим відпалом (150 с і більше). Встановлено, що величина електричного опору для нанорозмірної плівки TiSi₂(C54), одержаної за допомогою НТІО, складає ρv = 13.5 μΩ∙cм, а при магнетронному напорошенні та подальшому відпалі — ρv = 24 μΩ∙cм. Запропоновано феноменологічну модель для формування дісиліциду титану на монокристалічному кремнії при НТІО титану.
Рассмотрены два метода формирования стабильной фазы TiSi₂(C54). Изучено формирование структуры наноразмерных плёнок TiSi₂(C54) на монокристаллическом кремнии. Показано, что формирование TiSi₂(C54) происходит быстрее (≅ 55 с) при помощи низкоэнергетического термоионного осаждения (НТИО) Ti на монокристаллический Si, чем магнетронным напылением с последующим отжигом (150 с и более). Óстановлено, что величина электрического сопротивления для наноразмерной плёнки TiSi₂(C54), полученной при помощи НТИО, составляет ρv = 13.5 μΩ∙см, а при магнетронном напылении и последующем отжиге — ρv = 24 μΩ∙см. Предложена феноменологическая модель для формирования дисилицида титана на монокристаллическом кремнии при НТИО титана.
|
| issn |
1816-5230 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75923 |
| fulltext |
|
| citation_txt |
Diffusion Processes in Ti–Si Systems during Silicide Formation / S. E. Bogdanov, G. Beddies, M.Daniel, Yu.N. Makogon // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 2. — С. 295-302. — Бібліогр.: 7 назв. — анг. |
| work_keys_str_mv |
AT bogdanovse diffusionprocessesintisisystemsduringsilicideformation AT beddiesg diffusionprocessesintisisystemsduringsilicideformation AT danielm diffusionprocessesintisisystemsduringsilicideformation AT makogonyun diffusionprocessesintisisystemsduringsilicideformation |
| first_indexed |
2025-11-24T14:12:23Z |
| last_indexed |
2025-11-24T14:12:23Z |
| _version_ |
1850847038743248896 |