От баллистической проводимости к диффузионной в транспортной модели Ландауэра–Датты–Лундстрома

• Veröffentlicht in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Datum: 2013
• 1. Verfasser: Кругляк, Ю. А.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2013
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75937
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: От баллистической проводимости к диффузионной в транспортной модели Ландауэра–Датты–Лундстрома / Ю.А. Кругляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 4. — С. 655-677. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

В рамках транспортной модели Ландауэра–Датты–Лундстрома рассмотрено вычисление проводимости резисторов любой размерности, любого масштаба и произвольной дисперсии, работающих в баллистическом или диффузионном режимах, как вблизи 0 К, так и при более высоких температурах. Обсуждены и поныне широко используемые понятия мобильности, диссипации тепла и падения напряжения в баллистических резисторах. У межах транспортної моделі Ландауера–Датти–Лундстрома розглянуто обчислення провідности резисторів будь-якої вимірности, будь-якого масштабу і довільної дисперсії, що працюють у балістичному або дифузійному режимах поблизу 0 К та при більш високих температурах. Також обговорено і донині широко використовувані поняття мобільности, дисипації тепла та спаду напруги в балістичних резисторах The Landauer–Datta–Lundstrom transport model is used to calculate conductivity of resistors of any dimension and scale as well as of an arbitrary dispersion, which are working in the ballistic or diffusion regimes near 0 K and at the higher temperatures. Still widely used concepts of mobility, heat dissipation, and the voltage drop in the ballistic resistors are also discussed.