Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами
Исследованы полевые зависимости низкотемпературного (Т = 4,2 К) латерального магнитосопротивления гетероструктур с квантовыми ямами и селективным легированием в области ям. Концентрация примеси в квантовых ямах изменялась в пределах (1–7)∙10¹¹ см⁻² . Выполнен анализ экспериментальных результатов в р...
Saved in:
| Published in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2014
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75945 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах
 с селективно легированными квантовыми ямами / В.В. Вайнберг, А.С. Пилипчук, В.Н. Порошин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 1. — С. 19-28. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862590093706919936 |
|---|---|
| author | Вайнберг, В.В. Пилипчук, А.С. Порошин В.Н. |
| author_facet | Вайнберг, В.В. Пилипчук, А.С. Порошин В.Н. |
| citation_txt | Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах
 с селективно легированными квантовыми ямами / В.В. Вайнберг, А.С. Пилипчук, В.Н. Порошин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 1. — С. 19-28. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | Исследованы полевые зависимости низкотемпературного (Т = 4,2 К) латерального магнитосопротивления гетероструктур с квантовыми ямами и селективным легированием в области ям. Концентрация примеси в квантовых ямах изменялась в пределах (1–7)∙10¹¹ см⁻² . Выполнен анализ экспериментальных результатов в рамках существующих теорий слабой локализации. Получено хорошее согласие теории с экспериментом при достаточно большой концентрации примеси. Обсуждаются причины отклонения при малых концентрациях.
Досліджено польові залежності низькотемпературного (Т = 4,2 К) латерального магнетоопору гетероструктур з квантовими ямами і селективним леґуванням в області ям. Концентрація домішки у квантових ямах змінювалась у діапазоні (1–7)∙10¹¹ см⁻². Виконано аналіз експериментальних результатів у межах наявних теорій слабкої локалізації. Одержано добре узгодження теорії з експериментом при достатньо великій концентрації домішки. Обговорено причини відхилення за малих концентрацій.
The field dependence of the low-temperature (T = 4.2 K) lateral magnetoresistance of quantum wells with selective doping in the wells is studied. The concentration of impurities within the quantum wells is changed in the range of (1–7)∙10¹¹ cm⁻². The analysis of experimental results within the scope of the available theories of weak localization is carried out. A good agreement between theory and experiment at a sufficiently high concentration of impurities is obtained. The reasons for the disagreement at low concentrations are discussed.
|
| first_indexed | 2025-11-27T04:06:45Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-75945 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T04:06:45Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Вайнберг, В.В. Пилипчук, А.С. Порошин В.Н. 2015-02-06T13:51:55Z 2015-02-06T13:51:55Z 2014 Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах
 с селективно легированными квантовыми ямами / В.В. Вайнберг, А.С. Пилипчук, В.Н. Порошин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 1. — С. 19-28. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 72.20.Fr,72.80.Ey,73.21.Fg,73.50.Dn,73.63.Hs,75.47.Pq,81.07.St https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75945 Исследованы полевые зависимости низкотемпературного (Т = 4,2 К) латерального магнитосопротивления гетероструктур с квантовыми ямами и селективным легированием в области ям. Концентрация примеси в квантовых ямах изменялась в пределах (1–7)∙10¹¹ см⁻² . Выполнен анализ экспериментальных результатов в рамках существующих теорий слабой локализации. Получено хорошее согласие теории с экспериментом при достаточно большой концентрации примеси. Обсуждаются причины отклонения при малых концентрациях. Досліджено польові залежності низькотемпературного (Т = 4,2 К) латерального магнетоопору гетероструктур з квантовими ямами і селективним леґуванням в області ям. Концентрація домішки у квантових ямах змінювалась у діапазоні (1–7)∙10¹¹ см⁻². Виконано аналіз експериментальних результатів у межах наявних теорій слабкої локалізації. Одержано добре узгодження теорії з експериментом при достатньо великій концентрації домішки. Обговорено причини відхилення за малих концентрацій. The field dependence of the low-temperature (T = 4.2 K) lateral magnetoresistance of quantum wells with selective doping in the wells is studied. The concentration of impurities within the quantum wells is changed in the range of (1–7)∙10¹¹ cm⁻². The analysis of experimental results within the scope of the available theories of weak localization is carried out. A good agreement between theory and experiment at a sufficiently high concentration of impurities is obtained. The reasons for the disagreement at low concentrations are discussed. Работа выполнена при поддержке Государственной целевой
 научно-технической программы «Нанотехнологии и наноматериалы» на 2010–2014 гг.» (проект 1.1.7.18/13–H-18). Авторы благодарят проô. О. Г. Сарбея за обсуждение работы и полезные советы, а также Б. Н. Звонкова и Н. В. Байдуся за предоставленные образцы гетероструктур. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами Вайнберг, В.В. Пилипчук, А.С. Порошин В.Н. |
| title | Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами |
| title_full | Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами |
| title_fullStr | Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами |
| title_full_unstemmed | Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами |
| title_short | Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами |
| title_sort | особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75945 |
| work_keys_str_mv | AT vainbergvv osobennostimagnitotransportavgeterostrukturahsselektivnolegirovannymikvantovymiâmami AT pilipčukas osobennostimagnitotransportavgeterostrukturahsselektivnolegirovannymikvantovymiâmami AT porošinvn osobennostimagnitotransportavgeterostrukturahsselektivnolegirovannymikvantovymiâmami |